光刻在半導體制程中的作用示意圖

光刻技術類型分為直寫光刻和投影光刻兩個大類。其中直寫光刻是器件中微納結構源頭制備的關鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)將計算機設計數(shù)據(jù)制備到特定基板上，形成高精度微納結構的圖形布局。

激光直寫和電子束直寫是產(chǎn)業(yè)中兩項主要的直寫技術。激光直寫可以滿足半導體0.25微米及以上節(jié)點掩模版制備，以及0.25微米以下部分掩模版制備。當前半導體掩模版總量的約75%由激光直寫設備制備，其余掩模版由電子束直寫設備完成。平板顯示領域的大幅面掩模版，100%由激光直寫設備制備。

在投影光刻領域，半導體采用微縮投影光刻技術，代表性供應商是荷蘭ASML；平板顯示采用大幅面投影光刻，代表性廠商是日本尼康。在諸多研發(fā)、MEMS、LED等領域，掩模版接觸/接近式光刻依然廣泛使用。

光刻技術類型示意圖

蘇大維格通過產(chǎn)學研合作，一直致力于推進3D直寫光刻技術開發(fā)與應用，解決了多項行業(yè)挑戰(zhàn)：

1

大面積微納結構形貌的數(shù)字設計，海量數(shù)據(jù)處理與先進算法，可達百Tb量級數(shù)據(jù)量

2

海量數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)壓縮傳輸、高速率光電轉換技術

3

數(shù)字光場形成三維形貌的曝光模式與機理，3D臨近效應校正技術

4

微納結構形貌精確光刻工藝和運行模式

5

大型運動平臺與光機系統(tǒng)的制造工藝、納米精度控制技術

當前已經(jīng)取得了3D光刻工藝突破，實現(xiàn)了光刻膠3D形貌可控制備。SEM結果舉例如下：