光刻在半導(dǎo)體制程中的作用示意圖

光刻技術(shù)類型分為直寫光刻和投影光刻兩個(gè)大類。其中直寫光刻是器件中微納結(jié)構(gòu)源頭制備的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)將計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)制備到特定基板上，形成高精度微納結(jié)構(gòu)的圖形布局。

激光直寫和電子束直寫是產(chǎn)業(yè)中兩項(xiàng)主要的直寫技術(shù)。激光直寫可以滿足半導(dǎo)體0.25微米及以上節(jié)點(diǎn)掩模版制備，以及0.25微米以下部分掩模版制備。當(dāng)前半導(dǎo)體掩模版總量的約75%由激光直寫設(shè)備制備，其余掩模版由電子束直寫設(shè)備完成。平板顯示領(lǐng)域的大幅面掩模版，100%由激光直寫設(shè)備制備。

在投影光刻領(lǐng)域，半導(dǎo)體采用微縮投影光刻技術(shù)，代表性供應(yīng)商是荷蘭ASML；平板顯示采用大幅面投影光刻，代表性廠商是日本尼康。在諸多研發(fā)、MEMS、LED等領(lǐng)域，掩模版接觸/接近式光刻依然廣泛使用。

光刻技術(shù)類型示意圖

蘇大維格通過產(chǎn)學(xué)研合作，一直致力于推進(jìn)3D直寫光刻技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用，解決了多項(xiàng)行業(yè)挑戰(zhàn)：

1

大面積微納結(jié)構(gòu)形貌的數(shù)字設(shè)計(jì)，海量數(shù)據(jù)處理與先進(jìn)算法，可達(dá)百Tb量級(jí)數(shù)據(jù)量

2

海量數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)壓縮傳輸、高速率光電轉(zhuǎn)換技術(shù)

3

數(shù)字光場(chǎng)形成三維形貌的曝光模式與機(jī)理，3D臨近效應(yīng)校正技術(shù)

4

微納結(jié)構(gòu)形貌精確光刻工藝和運(yùn)行模式

5

大型運(yùn)動(dòng)平臺(tái)與光機(jī)系統(tǒng)的制造工藝、納米精度控制技術(shù)

當(dāng)前已經(jīng)取得了3D光刻工藝突破，實(shí)現(xiàn)了光刻膠3D形貌可控制備。SEM結(jié)果舉例如下：