STM32F1和GD32F1有什么區(qū)別
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然后，有很多公司開始了尋找其他廠家MCU代替STM32的方案，在國內(nèi)最有效替代STM32的非GD32莫屬了。
想要最有效替代，就需要了解他們之間的差異，下面簡單描述一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片的一些差異。
GD32屬于北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（簡稱兆易創(chuàng)新）開發(fā)的一款（系列）MCU。
兆易創(chuàng)新成立于2005，在2013年正式推出了第一款Cortex-M內(nèi)核的MUC（GD32F1）。
據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，有些型號MCU可以做到無縫替換。
不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了，下面我給大家講一下STM32F1 和 GD32F1系列芯片不同的地方。
內(nèi)核區(qū)別 GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BUG。
使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M。
主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會更快，項目中如果需要進(jìn)行刷屏，各種開方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD32是一個不錯的選擇。
外部供電：GD32外部供電范圍是2.6 ~ 3.6V，STM32外部供電范圍是2 ~ 3.6V,GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運(yùn)行的時候運(yùn)行功耗更低。
GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系：0等待周期，當(dāng)0
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值100ms， 實際測量60ms 左右。對應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。
從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運(yùn)行功耗比STM32小，但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖：
GD的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
FSMC區(qū)別
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
GD103系列和ST103系列的ram和flash對比如下圖：
GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：
還有很多差異，可能有些工程師在實際應(yīng)用過程中都發(fā)現(xiàn)了，歡迎大家留言補(bǔ)充。由于篇幅有限，本文就不再過多介紹了。
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