本文中，小編將對存儲器予以介紹，主要在于介紹什么是存儲器以及磁表面存儲器和緩沖存儲器的基本內(nèi)容。如果你想對存儲器的詳細情況有所認識，或者想要增進對存儲器的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、什么是存儲器

首先，我們來了解下我們?nèi)粘６紩佑|到的電子產(chǎn)品——存儲器。

存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區(qū)別，因此在描述上也有所不同。

存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構(gòu)成，以表示存儲單元中存放的數(shù)值，這種結(jié)構(gòu)和數(shù)組的結(jié)構(gòu)非常相似，故在VHDL語言中，通常由數(shù)組描述存儲器。

二、什么是磁表面存儲器

在了解了存儲器的基本知識后，我們再來看看磁表面存儲器的相關(guān)內(nèi)容。

磁表面存儲器是利用涂覆在載體表面的磁性材料具有兩種不同的磁化狀態(tài)來表示二進制信息的“0”和“1”。將磁性材料均勻地涂覆在圓形的鋁合金或塑料的載體上就成為磁盤，涂覆在聚酯塑料帶上就成為磁帶。

磁頭是磁表面存儲器用來實現(xiàn)“電←→磁”轉(zhuǎn)換的重要裝置，一般由鐵磁性材料(鐵氧體或玻莫合金)制成，上面繞有讀寫線圈，在貼近磁表面處開有一個很窄的縫隙。

將磁性材料涂敷于基體上，制成磁記錄載體，通過磁頭與基體之問的相對運動來讀寫記錄的存儲器就是磁表面存儲器。磁盤存儲器在20世紀50年代研制成功，從1962年美國開始制造軟磁盤，1972年IBM試制成功IBM 3740單面軟磁箍驅(qū)動器，1976年試制成雙面軟磁盤機。1977年試制成雙面雙密度軟磁盤。由于在存取速度、存儲容量、價格等方面的綜合優(yōu)勢，近幾十年來，磁盤存儲器發(fā)展十分迅速，廣泛應(yīng)用于微機系統(tǒng)中。

計算機的外存儲器又稱磁表面存儲設(shè)備。所謂磁表面存儲，是用某些磁性材料薄薄地涂在金屬鋁或塑料表面作載磁體來存儲信息。磁盤存儲器、磁帶存儲器均屬于磁表面存儲器。

三、什么是緩沖存儲器

最后，我們再來了解下緩沖存儲器的相關(guān)內(nèi)容。

緩沖存儲器是一種高速緩沖存儲器，是解決CPU與主內(nèi)存之間速度不匹配的一項重要技術(shù)。 高速緩存是CPU和主內(nèi)存之間的小容量內(nèi)存，但是其訪問速度比主內(nèi)存快。 當前，當主存儲器容量配置為數(shù)百MB時，Cache的典型值為數(shù)百KB。 高速緩存可以高速向CPU提供指令和數(shù)據(jù)，從而加快了程序的執(zhí)行速度。 從功能上來看，它是由高速SRAM組成的主存儲器緩沖存儲器。 為了追求高速，包括管理在內(nèi)的所有功能都是通過硬件實現(xiàn)的，因此對程序員是透明的。

緩沖存儲器的工作原理要求它盡可能多地保存最新數(shù)據(jù)。 當需要將新的主存儲塊復(fù)制到高速緩存，并且允許存儲該塊的行位置都被其他主存儲塊占用時，則需要進行替換。 替換問題與緩存的組織緊密相關(guān)。 對于直接映射的高速緩存，因為主存儲塊只能存儲在特定的行位置，所以只要將特定位置的原始主存儲塊從高速緩存中換出，就可以非常簡單地解決問題。 對于完全關(guān)聯(lián)和組關(guān)聯(lián)高速緩存，有必要從許多特定行中選擇一行，以允許換出新的主內(nèi)存塊。

緩沖存儲器在計算機上使用更為廣泛。 每個硬盤都包含一個緩沖存儲器，主要可以將常用數(shù)據(jù)緩存在硬盤中，以加快系統(tǒng)的讀取性能。通常，緩沖存儲器越大越好，因為緩沖存儲器的速度快于可從硬盤上找到數(shù)據(jù)的速度!

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)存儲器、磁表面存儲器和緩沖存儲器的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!