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戈登·摩爾（Gordon Moore）的經(jīng)驗(yàn)之談：集成電路（IC）上可容納的晶體管數(shù)目大約每24個月便增加一倍，而處理器性能每隔兩年翻一倍，這就是摩爾定律。

但是，看看今天的技術(shù)，晶體管的擴(kuò)展可能行將結(jié)束，IC的性能還能不能翻番？

圖源 | Quotefancy.com

芯片制造商已經(jīng)使出了渾身解數(shù)來跟上摩爾定律的步伐，如增加更多的核，驅(qū)動芯片內(nèi)部線程，利用各種加速器。盡管如此，還是無法避免摩爾定律的加倍效應(yīng)已開始放緩的事實(shí)，不斷地縮小芯片尺寸總會有物理極限。

不過，辦法總比困難多，人們想到了先進(jìn)IC封裝技術(shù)。事實(shí)上，這方面的探索一直在繼續(xù)，開發(fā)的技術(shù)更是不勝枚舉。這里就介紹一些對行業(yè)意義深遠(yuǎn)的創(chuàng)新封裝技術(shù)。

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現(xiàn)有IC封裝技術(shù)各具特色 為什么先進(jìn)封裝進(jìn)入行業(yè)法眼？ 主要原因是先進(jìn)封裝不需要像縮小IC內(nèi)部線寬那樣再次投入巨大資金，而是通過IC的異構(gòu)封裝將不同先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的片芯（die）集成在單個封裝里，以獲得成本和性能的最佳匹配。 之所以叫片芯，是因?yàn)樗菦]有封裝的芯片，也有人叫它“裸片”。

現(xiàn)有IC封裝類型眾多，如垂直堆疊多芯片封裝（TSOP、QFN、FBGA等）、片上系統(tǒng)（SoC）、倒裝芯片、系統(tǒng)級封裝（SiP）、2.5D和3D集成封裝（異構(gòu)集成）、扇出晶圓級封裝（FOWLP）、集成芯片系統(tǒng)（SoIC）、小芯片（chiplet）封裝，等等。

在細(xì)分封裝市場，互連類型也是五花八門，包括晶圓鍵合、焊盤、片芯對片芯（Die-to-Die）、引線鍵合、直通硅通孔（TSV）、模壓通孔（TMV）、晶圓級封裝（WLP）、直接綁定互連（DBI），等等?；ミB是將一個晶圓或芯片連接到另一個晶圓或芯片（封裝），其中TSV的I/O數(shù)量最多，其次是WLP、倒裝芯片和引線鍵合，混合互連比TSV密度更高。

圖源 | blog.samtec.com

國際工程和技術(shù)咨詢公司TechSearch稱，當(dāng)今的封裝大約有80%基于引線鍵合，將一個芯片連接到另一個芯片或基板上。在倒裝芯片中，使用各種工藝在芯片頂部形成大量微小焊料凸點(diǎn)，然后通過鍵合將翻轉(zhuǎn)安裝的芯片連接到載體上。

WLP是直接在晶圓上封裝，之后再切割成單顆組件。采用WLP能夠進(jìn)行較小的2D連接，從而將芯片重新分布到更大面積上，提供更高的I/O密度、更高的帶寬和性能。

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異構(gòu)集成是一種有機(jī)封裝 今天，移動計算、汽車、5G、人工智能（AI）、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）、高性能計算（HPC）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、醫(yī)療和航空航天等領(lǐng)域迫切需要實(shí)現(xiàn)成本、尺寸、性能和功率的優(yōu)化，以滿足不同市場的需求。

對于許多應(yīng)用來說，下一代IC封裝是在減小整體封裝尺寸的同時實(shí)現(xiàn)硅的可擴(kuò)展性、功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)和同構(gòu)集成提供了增強(qiáng)器件功能、加快上市時間和硅產(chǎn)量彈性的途徑。通過異構(gòu)集成技術(shù)可以將單獨(dú)制造的組件集成到更高級別的組件或SiP中，從而提供增強(qiáng)的功能和改進(jìn)的操作特性。

Veeco Instruments技術(shù)營銷負(fù)責(zé)人Gareth Kenyon指出，異構(gòu)集成不是一個新的概念。20世紀(jì)70年代就開始出現(xiàn)多芯片組件（MCM），但正是先進(jìn)封裝技術(shù)使芯片制造業(yè)發(fā)生了革命性的變化。新的封裝技術(shù)使采用不同制造工藝的芯片集成到具有多種功能的單個封裝中。過去二十年，在市場需求的推動下，這些封裝技術(shù)在多樣化的同時，以更低成本獲得了更高的器件性能。

他表示：“功耗、性能、面積和成本（PPAC）是采用異構(gòu)集成技術(shù)的關(guān)鍵驅(qū)動因素。更低的功耗、減少占用空間、更低的延遲、更高的速度和更高的帶寬都是為消費(fèi)者帶來好處的主要性能改進(jìn)?！?/span>

他承認(rèn)，在異構(gòu)集成中，擴(kuò)展仍然是一個考慮因素。互連、接點(diǎn)間距、TSV和焊盤的擴(kuò)展都有助于提高器件的PPAC。這反過來又為先進(jìn)封裝在工藝、工裝和計量改進(jìn)方面帶來了重大挑戰(zhàn)。

其實(shí)，異構(gòu)集成類似于SiP，不過，它不是在一個基板上集成多個片芯，而是在一個基板上以小芯片的形式集成多個IP。異構(gòu)集成的總體思想是在同一個封裝中組合多個系統(tǒng)級別不同的組件，以增強(qiáng)功能和改進(jìn)操作特性。

之所以說異構(gòu)集成是有機(jī)擴(kuò)展，是因?yàn)槠浣M件可以是任何單元，例如微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、高帶寬存儲器（HBM）以及無源元件等。

異構(gòu)集成的組件

最近，對封裝帶寬、集成多個代工廠的不同IP，以及提高良率彈性的需求正在推進(jìn)先進(jìn)封裝的發(fā)展。許多新出現(xiàn)的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計者提供了極大的靈活性，能夠?qū)Σ煌韫に囘M(jìn)行優(yōu)化，將不同IP異構(gòu)集成在單個復(fù)合器件中，以緊湊的外形實(shí)現(xiàn)空間轉(zhuǎn)換，不斷提高功率效率和高帶寬物理封裝互連，從而顯著提高了性能。

Intel Agilex FPGA的封裝內(nèi)的異構(gòu)集成

前沿異構(gòu)集成技術(shù)的應(yīng)用正以越來越低的成本推動電子器件性能的提升，半導(dǎo)體器件制造商已作出了令人滿意的應(yīng)對。不過，這些技術(shù)在生產(chǎn)方面對光刻和補(bǔ)充工藝提出了挑戰(zhàn)，要求以更高的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，以支持所需的互連和TSV處理層要求。其中，器件成本和由于復(fù)雜性增加而導(dǎo)致良率或產(chǎn)量降低是制造商必須面對的挑戰(zhàn)。

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異構(gòu)集成的高速互連 隨著器件的復(fù)雜性不斷增加，器件和封裝規(guī)模的壓力也越來越大，因此技術(shù)的創(chuàng)新需要器件、封裝、系統(tǒng)設(shè)計師和制造商之間新的合作，打破了行業(yè)部門之間的歷史界限； 光刻技術(shù)也在被迫與先進(jìn)封裝工業(yè)的發(fā)展相適應(yīng)。

光刻有兩種模式：前道工藝（FEOL）和后道工藝（BEOL）。傳統(tǒng)上，金屬化互連被認(rèn)為是BEOL，但隨著2.5D和3D架構(gòu)的出現(xiàn)，這一界限已變得模糊。高性能互連要求垂直的電氣連接，即TSV或TMV，直接通過硅或模壓化合物補(bǔ)充和取代傳統(tǒng)的引線鍵合和倒裝芯片解決方案。

TSV和中間層已成為異構(gòu)集成高性能互連的關(guān)鍵

隨著異構(gòu)性的增加，器件、封裝和PCB的融合也將增加，產(chǎn)生了大量先進(jìn)的封裝解決方案。例如，高性能計算應(yīng)用需要2.5D中間層（Interposer）技術(shù)來實(shí)現(xiàn)細(xì)間距微小錫球和重分布層（RDL）。相比之下，消費(fèi)類移動和IoT市場設(shè)計規(guī)則不太嚴(yán)格，不包含昂貴的中間層，而選擇使用高密度扇出（HD-FO）封裝技術(shù)將互連層嵌入相關(guān)模壓化合物中。

至于中間層（TSV）和扇出（無TSV）技術(shù)并不是互斥的，可以組合在一個混合技術(shù)封裝中。最終應(yīng)用在很大程度上決定著使用什么樣的封裝，因此也定義了器件和封裝的復(fù)雜性。

這里需要解釋一下中間層、TSV和RDL：

中間層

一種用于多芯片片芯或電路板的管道，用于通過封裝中的電信號。它是一個插座或連接到另一個插座之間的電氣接口布線；它可以將信號傳播到更寬的間距，或者將連接帶給板上的另一個插座。

中間層由硅或有機(jī)材料制成，充當(dāng)多個片芯和電路板之間的橋梁。硅中間層是一種成熟的技術(shù)，由于其較高的細(xì)間距I/O密度和TSV形成能力，在2.5D和3D-IC芯片封裝中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

TSV

2.5D和3D封裝解決方案中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它提供了一種穿過片芯硅晶圓的高速垂直互連。這些通孔或孔是從晶圓的正面蝕刻到一定深度，然后通過沉積導(dǎo)電材料（通常是銅）來隔離和填充。芯片制造完成后，從背面減薄晶圓，即露出晶圓背面沉積的通孔和金屬，以完成TSV互連。

TSV是一種穿過芯片整個厚度或基板延伸的長通孔電氣連接，取代了以往2D封裝采用的引線鍵合互連工藝。它創(chuàng)建了從芯片一側(cè)到另一側(cè)的最短路徑。不過，TSV除了自身顯著的電氣特性外，還對其附近的器件和互連的電氣行為有間接影響。

重分
布層

redistributionlayer（縮寫：RDL）銅金屬連接線或跡線，用作封裝的一部分與另一部分的電氣連接。RDL是封裝上的金屬或聚合物電介質(zhì)材料層疊，以減小大型芯片組的I/O間距。它已成為2.5D和3D封裝解決方案的一個組成部分，在通過中間層連接的芯片之間實(shí)現(xiàn)通信。

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2.5D和3D集成的成功應(yīng)用 TSV可用于高端2.5D/3D封裝。 在2.5D封裝中，片芯堆疊在中間層上，中間層中包含TSV，可提供更多的I/O和帶寬。 2.5D封裝和3D封裝類型眾多，高帶寬存儲器（HBM）就是一種成功的3D封裝類型，它將DRAM片芯堆疊在一起。 英特爾產(chǎn)品集成總監(jiān)Ramune Nagisetty表示，目前將邏輯堆疊在邏輯上的方法還沒有普及，而將邏輯堆疊在內(nèi)存上的方法正在興起。

HBM是一種標(biāo)準(zhǔn)化的堆疊式存儲器技術(shù)，在堆疊內(nèi)和存儲器與邏輯之間為數(shù)據(jù)提供了更寬通道?；贖BM的封裝將內(nèi)存堆疊在彼此的頂部，并使用TSV將它們連接起來，以創(chuàng)建更多的I/O和帶寬。

HBM是JEDEC的一個標(biāo)準(zhǔn)，它將多層DRAM組件垂直地集成在應(yīng)用處理器、GPU和SoC上。HBM主要用于高端服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)芯片的2.5D/3D封裝；它現(xiàn)在已經(jīng)轉(zhuǎn)向HBM2技術(shù)，以優(yōu)化最初HBM版本中的容量和時鐘速率限制。

2.5D和3D封裝HBM

這方面的最新進(jìn)展是異構(gòu)3D封裝的大型堆疊式HBM片芯的熱壓鍵合，這種連接方法應(yīng)用于大型（12層和16層）HBM片芯的組裝，與傳統(tǒng)的微凸點(diǎn)連接相比，帶寬和功率都有了顯著提高。

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從SoC到FOWLP 國際市場研究機(jī)構(gòu)ResearchandMarkets在《先進(jìn)集成電路封裝技術(shù)、材料和市場》報告中指出，扇出晶圓級封裝（FOWLP）正在迅速成為新的芯片和晶圓級封裝技術(shù)，將會成為下一代緊湊型、高性能電子設(shè)備的基礎(chǔ)。 預(yù)測表明，未來幾年，每年利用FOWLP封裝技術(shù)生產(chǎn)的芯片將以32%的年成長率增長，到2023年，其市場規(guī)模將超過55億美元。

報告也認(rèn)為，從SoC生產(chǎn)轉(zhuǎn)向多片芯戰(zhàn)略是一個挑戰(zhàn)，讓大多數(shù)公司感到恐懼，因?yàn)樗麄円蕾嚥⑹煜ぶС諷oC設(shè)計流程的龐大基礎(chǔ)設(shè)施。SoC的設(shè)計和驗(yàn)證流程已經(jīng)很成熟，設(shè)計師已經(jīng)使用了幾十年。為某個工藝節(jié)點(diǎn)，代工廠都提供一套SoC設(shè)計者必須嚴(yán)格遵循的設(shè)計規(guī)則，以保證代工廠正確制造SoC。

變化在于，相對于早期的基于硅中間層的設(shè)計，3D-IC設(shè)計相對復(fù)雜，成本高，風(fēng)險大，因?yàn)樾枰S多級別的測試（晶片、芯片、中間層、器件），并且有很多出錯的機(jī)會。但是，隨著FOWLP等封裝技術(shù)的出現(xiàn)和日益普及，成本開始急劇下降。

現(xiàn)在，在一個封裝中可以“混合和匹配”現(xiàn)有片芯知識產(chǎn)權(quán)（IP），而不是必須從零開始設(shè)計（或重新設(shè)計）每一個組件。這為進(jìn)一步傳播這一設(shè)計，甚至封裝設(shè)計本身提供了可能性。

FOWLP封裝最早由Intel提出，其優(yōu)勢在于：減小封裝厚度、擴(kuò)展I/O數(shù)量、改進(jìn)電氣性能、良好的熱性能及無基板工藝。

傳統(tǒng)多片芯封裝與FOWLP封裝

現(xiàn)在，F(xiàn)OWLP已經(jīng)在移動設(shè)備的批量生產(chǎn)中使用。其封裝工藝包括將單個芯片安裝在RDL的中間層基板上，該層提供芯片之間的互連以及與I/O焊盤的連接，所有這些芯片都封裝在一個而非多個模壓成型中。

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用小芯片實(shí)現(xiàn)IP混搭 上面多次提到了小芯片（chiplet），它是目前封裝中備受關(guān)注的東西，被認(rèn)為是后SoC時代的拐點(diǎn)，甚至有人說，摩爾定律的延續(xù)也要靠它。 其本身并不是一種封裝類型，但芯片制造商的庫中可以擁有一些模塊化片芯或多種小芯片，客戶可以將它們混合搭配，并使用封裝中的片芯對片芯互連方案進(jìn)行連接。

小芯片是另一種3D-IC封裝形式，可實(shí)現(xiàn)CMOS器件與非CMOS器件的異構(gòu)集成。換句話說，它們是更小的SoC或芯片，而不是封裝中的一個大SoC。UMC（聯(lián)華電子）業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁Walter Ng說：“小芯片是一種架構(gòu)方法，可以存在于現(xiàn)有封裝類型或新的架構(gòu)當(dāng)中。它正在為任務(wù)需求優(yōu)化解決方案，包括速度、熱量、功率等性能，有時還可以考慮成本因素?！?/span>

用戶可以將多芯片組件中的每個組件視為一個具有一組專門功能的小芯片，它不必考慮單一設(shè)計來源，通過彌合目前IC設(shè)計和封裝設(shè)計流程之間的差異，就可以再次組合成一個3D-IC封裝。

這樣做的挑戰(zhàn)在于，在朝著封裝行業(yè)的這種新模式邁進(jìn)時，仍有一些問題需要回答。最重要的是，芯片設(shè)計者或制造商如何確保其組件在封裝中的性能和可靠性？小芯片不像IP那樣針對特定的代工工藝，可在代工廠的幫助下進(jìn)行驗(yàn)證。它必須在獨(dú)立的環(huán)境中進(jìn)行驗(yàn)證，以確保在選擇把它放在封裝中時，能夠準(zhǔn)確地衡量其對性能和功率的電氣影響。然而，一旦供應(yīng)商成功地設(shè)計和制造出小芯片組件，他們就可以簡單地基于已知良好的片芯進(jìn)行測試和銷售。

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新一代IC封裝的未來趨勢

圖源 | henkel-adhesives.com

未來的新一代IC封裝需要新一代設(shè)計和驗(yàn)證解決方案，必須滿足五大關(guān)鍵要求：

數(shù)字原型：

建立一個2.5D/3D異構(gòu)組件的數(shù)字孿生虛擬模型，提供包含多個器件和基板的完整系統(tǒng)的全面描述。數(shù)字孿生使異構(gòu)組件的自動驗(yàn)證從基板級設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）開始，擴(kuò)展到布局對原理圖（LVS）、布局對布局（LVL）、寄生提取、應(yīng)力和熱分析，最后是測試。

多域集成：

數(shù)字孿生方法還可以實(shí)現(xiàn)多域和跨域集成。將更復(fù)雜的先進(jìn)IC封裝更快地推向市場需要高度集成的設(shè)計和驗(yàn)證——從電子基板設(shè)計到機(jī)械封裝散熱裝置和PCB安裝硬件，包括電氣、熱、測試、可靠性，當(dāng)然還有可制造性等相互關(guān)聯(lián)的方面。如果沒有系統(tǒng)級的設(shè)計和驗(yàn)證方法，工程師可能會遇到代價高昂或更糟的響應(yīng)。

可擴(kuò)展性和范圍：

異構(gòu)封裝技術(shù)在設(shè)計、制造和組裝方面更為復(fù)雜，這可能限制了除領(lǐng)先半導(dǎo)體公司及其前沿設(shè)計之外的所有公司的可用性。幸運(yùn)的是，設(shè)計和供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)可以在實(shí)現(xiàn)此類技術(shù)的普及方面發(fā)揮強(qiáng)大的作用，使所有設(shè)計師和公司都能接觸到這些技術(shù)，就像硅代工世界使用工藝設(shè)計套件（PDK）所做的那樣，PDK已變得無處不在。

精密制造移交：

另一個常見的挑戰(zhàn)是在制造前驗(yàn)證簽核所需的時間。避免這一瓶頸及其相關(guān)影響的行之有效的方法是實(shí)施一個綜合和持續(xù)驗(yàn)證的過程和方法，以便最終驗(yàn)證簽核過程得到控制和管理。這意味著提供制造無誤差的制造和裝配數(shù)據(jù)，通過代工廠或外包半導(dǎo)體封測（OSAT）的工藝規(guī)則（PDK或PADK）。

黃金標(biāo)準(zhǔn)簽核：

對于先進(jìn)IC封裝，黃金標(biāo)準(zhǔn)簽核需要一套全面的檢查，否則總的組裝器件產(chǎn)量將達(dá)不到目標(biāo)，并將超出預(yù)計的組裝和測試成本。全面的黃金標(biāo)準(zhǔn)簽核至少應(yīng)包括物理驗(yàn)證、連接性檢查（也稱為LVS）和異構(gòu)組裝級別驗(yàn)證（aka LVL）。這樣一個全面的簽核檢查過程可以突出許多需要重新處理的問題。如果沒有發(fā)現(xiàn)，這些問題很容易延誤項(xiàng)目，增加成本，并導(dǎo)致錯過生產(chǎn)計劃。

最后要說的是，半導(dǎo)體行業(yè)從工藝到封裝技術(shù)的巨變正在發(fā)生，先進(jìn)IC封裝技術(shù)發(fā)展迅速，工程師必須探索新的領(lǐng)域，跟上延續(xù)的摩爾定律步伐，開發(fā)什么應(yīng)用，就要選擇什么樣的先進(jìn)IC封裝。

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