運算密度跟不上因特網(wǎng)流量增加速度，數(shù)據(jù)中心分析之?dāng)?shù)據(jù)量的成長速度前所未有;要解決這個問題，需要更大的內(nèi)存帶寬，而這是3D芯片堆棧技術(shù)展現(xiàn)其承諾的一個領(lǐng)域。

被甲骨文(Oracle)取消的一個微處理器開發(fā)項目，在傳統(tǒng)制程微縮速度減緩的同時，讓人窺見未來高階芯片設(shè)計的一隅;該Sparc CPU設(shè)計提案的目標是采用仍在開發(fā)的芯片堆棧技術(shù)，取得越來越難透過半導(dǎo)體制程技術(shù)取得的優(yōu)勢。

在上述概念背后的研究人員，是甲骨文在今年初被裁撤的硬件部門之一員;但他的點子化為一家顧問公司而存活了下來，并且已經(jīng)開始與美國硅谷的半導(dǎo)體業(yè)者進行合作。 甲骨文前任資深首席工程師、創(chuàng)辦了一家三人新創(chuàng)公司ProPrincipia的Don Draper表示：「我看得越深，越覺得這是一條可以走的路。 」

Draper指出：「運算密度跟不上因特網(wǎng)流量增加速度，數(shù)據(jù)中心分析之?dāng)?shù)據(jù)量的成長速度前所未有;要解決這個問題，需要更大的內(nèi)存帶寬，而這是3D芯片堆棧技術(shù)展現(xiàn)其承諾的一個領(lǐng)域。 」

在一場去年底舉行的研討會上，Draper展示了現(xiàn)有的Sparc處理器如何能重新設(shè)計成兩顆尺寸較小、相互堆棧的裸晶;其中一顆只有處理器核心與高速緩存(caches)，另一個則是以N-1或N-2制程節(jié)點制造，以一半數(shù)據(jù)速率運作，乘載串行器-解串行器(serdes)等周邊，以及L4高速緩存與芯片上網(wǎng)絡(luò)──可降低成本與功耗。

Draper表示，新架構(gòu)芯片的核心數(shù)量與L3高速緩存也能增加近一倍，特別是如果堆棧技術(shù)采用新興的微流體冷卻(microfluidic-cooling)技術(shù)：「在相同的技術(shù)節(jié)點，可以將性能提升兩倍。 」

一顆大型CPU能被重新設(shè)計成兩顆成本較低的芯片，并取得在功耗、性能方面的優(yōu)勢

(來源：ProPrincipia)

高風(fēng)險卻適用機器學(xué)習(xí)的設(shè)計提案

Draper并指出，新興的芯片堆棧技術(shù)是將一個主處理器與一個加速器綁在一起、以因應(yīng)內(nèi)存密集任務(wù)例如機器學(xué)習(xí)應(yīng)用的理想方案;而相反的，若采用芯片對芯片互連例如CCIX與OpenCAPI：「就像在用吸管吸汽水。 」 此外Draper也建議在后緣的裸晶采用整合式穩(wěn)壓器(integrated voltage regulator，IVR);他估計，采用相對較小的磁性電感(magnetic inductors)，該IVR能節(jié)省功率以及電路板站為面積，并將芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率提升到150MHz。

盡管如此，Draper坦承，這個他在甲骨文提出的設(shè)計提案，也就是在最頂級的M系列處理器采用芯片堆棧技術(shù)，是非常高風(fēng)險且巨大的承諾;舉例來說：「如果在(芯片堆棧)實作過程中出了任何問題，最頂端的裸晶可能就會無法使用。 」

該芯片堆棧采用內(nèi)存堆棧使用的硅穿孔(TSV)技術(shù)，該結(jié)構(gòu)是規(guī)律的，但對于高密度、不規(guī)則的邏輯芯片來說會很棘手;TSV在厚度上也相對較高，在周遭也需要有保留區(qū)域。 Draper聲稱，芯片堆棧的散熱問題大部分可以被解決;具備高導(dǎo)熱性的銅接口能輕易地將熱從溫度較高的頂部裸晶，透過散熱片或是風(fēng)扇從對溫度較低的底部裸晶排出。

Sparc T2處理器重新設(shè)計為兩顆中型尺寸芯片，能將功耗降低17.3%

(來源：Moongon Jung, Georgia Institute of Technology)

Xperi (編按：原為Tessera)旗下的Invensas，在室溫晶圓/裸晶堆棧技術(shù)方面是領(lǐng)導(dǎo)者;其技術(shù)也是新創(chuàng)公司ProPrincipia創(chuàng)辦人Don Draper認為微處理器設(shè)計工程師將會用到的。 Invensas的DRAM堆棧可望在2019年量產(chǎn)，接著是處理器、ASIC、GPU與FPGA等各種組件。

Invensas總裁Craig Mitchell表示：「我們現(xiàn)在的目標是與客戶溝通，取得他們的晶圓片，因為每個人的制程與硅穿孔(TSV)技術(shù)都有點不太一樣。 」

另一個障礙是避免晶圓切割時產(chǎn)生的微小顆粒污染;他指出：「我們正在取得良好的進展，能展現(xiàn)4層的DRAM堆棧;另外我們正以3D DRAM為出發(fā)點，因為這是一個大規(guī)模的市場，而且如果你能在DRAM領(lǐng)域證實技術(shù)，將技術(shù)轉(zhuǎn)移到任何地方就會容易許多。 」

Invensas是為Sony等廠商采以6~14微米間距的晶圓對晶圓技術(shù)接合氧化物，來堆棧CMOS影像傳感器而立足市場;在明年某個時候，Invensas預(yù)期能邁向下一步，提供能封裝一組MEMS傳感器的制程技術(shù)。

接下來Invensas則將提供新開發(fā)的裸晶等級直接結(jié)合互連(die-level Direct Bond Interconnect，DBI)，以鏈接傳感器與邏輯芯片;該技術(shù)已經(jīng)授權(quán)給具備一座大型MEMS晶圓代工廠的Teledyne Dalsa。 最終Invensas的目標是讓DBI互連能小于1微米，好將大型芯片轉(zhuǎn)換成相互堆棧的小芯片數(shù)組。

Draper展示了類DBI芯片堆棧的橫切面

(來源：ProPrincipia)

也有其他廠商準備進軍此一領(lǐng)域，以較低成本的2.5D芯片堆棧技術(shù)，將裸晶并排在相對尺寸較大、較昂貴的硅中介層(interposer)上。

例如臺積電(TSMC)在不久前宣布，正在開發(fā)一個新版本的晶圓級扇出式封裝技術(shù)，名為整合式扇出封裝(InFO)，目前應(yīng)用于手機應(yīng)用處理器。 此外臺積電也將擴展其2.5D CoWos制程，可在約1,500 mm2面積的基板上放最多8顆的HBM2 DRAM。

Mitchell表示，擴展的InFO技術(shù)之40微米I/O焊墊與65mm2基板，不會與Invensas采用DBI技術(shù)的更大、更高密度芯片堆棧直接競爭。 但市場研究機構(gòu)Yole Developpement封裝技術(shù)分析師Emilie Jolivet表示，最近聯(lián)發(fā)科(Mediatek)宣布，將在一款數(shù)據(jù)中心應(yīng)用之芯片使用InFO，顯示該技術(shù)正在伸展觸角。

不過Mitchell表示，DBI與InFO式兩種完全不同的技術(shù)，后者是一種封裝技術(shù)、將精細節(jié)點的芯片鏈接到較大節(jié)點的印刷電路板鏈路，而DBI則是采用精細鏈接的芯片對芯片互連。

舉例來說，蘋果(Apple)的A10應(yīng)用處理器采用InFO技術(shù)，將220微米間距的裸晶接口，轉(zhuǎn)接至印刷電路板的350微米接口;相反的，DBI正被測試應(yīng)用DRAM之間40微米的觸點，可望在未來能堆棧到8層高。

至于英特爾(Intel)，則是開發(fā)了EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技術(shù)，一開始使用于大型FPGA鏈接外部的串行/解串器;Jolivet認為EMIB技術(shù)將改變市場局勢，并擴大封裝技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)場。

而Mitcell則指出，EMIB也不會與DBI直接競爭，并質(zhì)疑該技術(shù)能擴展到多大程度;他表示，DBI目前最大的競爭對手是熱壓接合(thermal compression)技術(shù)，但被限制在25微米以上的互連：「25微米看來是一道難以突破的障礙。 」

Yole Developpement表示，Apple在A10處理器采用的臺積電InFO技術(shù)，可說是扇出式封裝技術(shù)發(fā)展在去年的一個轉(zhuǎn)折點;最近該機構(gòu)有一篇報告指出，扇出封裝的設(shè)備與材料可望取得40%的復(fù)合成長率。