在新一代半導(dǎo)體工藝中，美國本土的廠商已經(jīng)落后于三星、臺積電，Intel最先進的工藝現(xiàn)在還是10nm。日前有消息稱三星準(zhǔn)備在美國建設(shè)5nm EUV芯片廠。

據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計劃。

該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計耗資180億美元。

這次在美國建廠也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。

業(yè)內(nèi)估計三星將在5月21日左右就此發(fā)布正式公告。

在此之前，臺積電去年宣布，將在美國亞利桑那州建設(shè)一座芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片，計劃月產(chǎn)能20000片晶圓，這一工廠計劃2021年開始建設(shè)，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)，臺積電計劃2021年到2029年在這一工廠投資120億美元。

最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶代工芯片。

三星此舉一方面是有來自美國政府的壓力，另一方面也是為了保持對代工龍頭臺積電的追趕態(tài)勢。報道認為，如果三星眼看著臺積電不斷擴大投資而無動于衷，那么二者之間的差距將越來越大。

自美國總統(tǒng)***拋出“芯片也是基建”的論調(diào)后，美國政府就開始對臺積電、三星這樣的外國芯片代工巨頭軟硬兼施，一邊是白宮兩次開會“呼吁”各家支持美國的芯片制造業(yè)，另一邊是總統(tǒng)接連拋出上百億的補貼“大餅”，意圖吸引各家前來建廠。

最近一周，臺積電、三星接連傳出計劃在美建設(shè)代工廠的消息，而且用的還是像3納米、5納米這樣的先進工藝，如果計劃最終落地，那將是這兩大代工巨頭首次在非本土地區(qū)建設(shè)先進工藝生產(chǎn)線。有知情人士稱臺積電正在考慮在美國亞利桑那州建設(shè)3納米工藝的高端芯片代工廠，如果成真，這將是臺積電首次在本土以外建設(shè)高端芯片生產(chǎn)線。

臺積電曾在去年宣布投資100-120億美元，在亞利桑那州的州府菲尼克斯建設(shè)一家代工廠，但報道稱那只是臺積電計劃在該地區(qū)建設(shè)的第一家工廠，用的是5納米工藝生產(chǎn)線，以后還會有其他臺積電的代工廠落地，最多達5座。報道指出，臺積電在該州建設(shè)更多工廠的細節(jié)此前從未被報道過。

不僅如此，公司管理層正在討論是否給下一個工廠配備更先進的生產(chǎn)線，比如3納米芯片工藝，這樣的一座廠預(yù)計將耗資230-250億美元。鑒于菲尼克斯的園區(qū)要在未來10-15年才能建成，管理層還草擬了建設(shè)2納米乃至更先進工藝生產(chǎn)線的計劃。

據(jù)悉，美國此前曾成立了一個美國半導(dǎo)體聯(lián)盟，而聯(lián)盟中的企業(yè)沒有一家是來自中國大陸的，美國此前拋出了百億補貼的半導(dǎo)體激勵計劃“大餅”，而這64家美歐日韓以及中國臺灣企業(yè)一起聚集在該聯(lián)盟多半是看中了美國的百億補貼“大餅”。美國在這項半導(dǎo)體激勵計劃中雖然要奉獻出自己的荷包，但這無疑是為了更好地掌控我國的半導(dǎo)體行業(yè)，讓我國半導(dǎo)體行業(yè)對美國芯片產(chǎn)生嚴(yán)重依賴，而臺積電和三星又傳出將在美國建立代工廠的消息，看來美國早有準(zhǔn)備要打壓我國的半導(dǎo)體行業(yè)。

芯片生產(chǎn)并非易事，更不要說高端芯片的生產(chǎn)了，我國目前為止只實現(xiàn)了低端芯片的量產(chǎn)，而作為芯片加工界的巨頭臺積電是5nm制程芯片的引領(lǐng)者，當(dāng)下全球最先進的芯片制程就是5nm芯片工藝，在去年5nm工藝的芯片才開始實現(xiàn)量產(chǎn)，除了是5nm制程工藝芯片的引領(lǐng)者，3nm工藝的芯片業(yè)的技術(shù)掌控也屬臺積電最為領(lǐng)先，而臺積電原本的3nm芯片工廠也將在下半年投入建廠，而最近又傳出了臺積電將在美國建立3nm甚至是2nm工藝芯片的代工廠，工廠的投入費用更是高達數(shù)百億美元。