一直以來，開關(guān)穩(wěn)壓器都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰PS MPQ2420A開關(guān)穩(wěn)壓器的相關(guān)介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

一、MPQ2420A 開關(guān)穩(wěn)壓器概述

MPQ2420A 是一款集成了高端和低端高壓功率 MOSFET 的降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器。它可以提供高達 0.3A 的高效輸出。集成監(jiān)控器增加了系統(tǒng)的額外安全冗余功能。

4.5V 至 75V 的寬輸入范圍使其適合汽車環(huán)境中的各種降壓應(yīng)用。全溫下 5μA 的關(guān)斷模式靜態(tài)電流非常適合電池供電應(yīng)用。在輕載條件下，可通過降低開關(guān)頻率在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率，以減少開關(guān)和柵極驅(qū)動器損耗。也可以降低啟動開關(guān)頻率和短路電流以防止電感電流跑飛。全方位保護功能包括欠壓鎖定保護(UVLO)和過溫關(guān)斷保護。過溫關(guān)斷保護確保了工作的穩(wěn)定性和可靠性。

MPQ2420A 采用 TSSOP-16 EP 封裝。

二、MPQ2420A 開關(guān)穩(wěn)壓器詳述

MPQ2420A 是一款 75V、0.3A、同步、降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，具有集成的高側(cè)和低側(cè)高壓功率 MOSFET(分別為 HS-FET 和 LS-FET)。 它提供高效的 0.3A 輸出，并具有寬輸入電壓范圍、外部軟啟動控制和精確的電流限制。 它具有非常低的工作靜態(tài)電流，使其適用于電池供電的應(yīng)用。

(一)控制方案

ILIM 比較器、FB 比較器和零電流檢測器 (ZCD) 塊控制 PWM。 如果 VFB 低于 1V 參考電壓且電感器電流降至零，則 HSFET 導(dǎo)通，ILIM 比較器開始檢測 HS-FET 電流。 當(dāng) HS-FET 電流達到其極限時，HS-FET 關(guān)閉，LS-FET 和 ZCD 模塊開啟。 ILIM 比較器關(guān)閉以降低靜態(tài)電流。 LS-FET 和 ZCD 模塊在電感電流降至零后關(guān)閉。 如果 VFB 低于 1V 參考電壓，HS-FET 將打開并開始另一個周期。 如果 VFB 保持高于 1V 參考電壓，HS-FET 將保持關(guān)閉，直到 VFB 降至 1V 以下。

(二)內(nèi)部調(diào)節(jié)器和 BIAS

2.6V 內(nèi)部穩(wěn)壓器為大部分內(nèi)部電路供電。 該穩(wěn)壓器采用 VIN 并在整個 VIN 范圍內(nèi)運行。 當(dāng) VIN 大于 3.0V 時，穩(wěn)壓器的輸出處于全穩(wěn)壓狀態(tài)。 較低的 VIN 值會導(dǎo)致較低的輸出電壓。 當(dāng) VBIAS > 2.9V 時，BIAS 電源會覆蓋輸入電壓并為內(nèi)部穩(wěn)壓器供電。 當(dāng) VBIAS > 4.5V 時，BIAS 為 LS-FET 驅(qū)動器供電。 使用 BIAS 為內(nèi)部穩(wěn)壓器供電可提高效率。 當(dāng)穩(wěn)壓輸出電壓在 2.9V 至 5.5V 范圍內(nèi)時，建議將 BIAS 連接到穩(wěn)壓輸出電壓。 當(dāng)輸出電壓超出此范圍時，BIAS 可以使用 >2.9V 至 >4.5V 的外部電源供電。

(三)啟用控制 (EN)

MPQ2420A 具有專用的使能控制 (EN)。 當(dāng) VIN 變高時，EN 啟用和禁用芯片(高邏輯)。 其下降閾值一致為1.2V，上升閾值高出約350mV。 懸空時，EN 被內(nèi)部 0.8mμA 電流源上拉至 4.0V 左右，使能。 要將其下拉，需要 0.8mμA 的電流能力。 當(dāng) EN = 0V 時，芯片進入最低關(guān)斷電流模式。 當(dāng)EN高于零但低于其上升閾值時，芯片保持關(guān)斷模式，關(guān)斷電流稍大。

(四)軟啟動 (SS)

MPQ2420A 采用軟啟動 (SS) 機制來防止轉(zhuǎn)換器輸出電壓在啟動期間出現(xiàn)過沖。 當(dāng)芯片啟動時，內(nèi)部電路會產(chǎn)生一個恒定電流來為外部軟啟動電容充電。 SS 電壓以 SS 時間設(shè)定的慢速從 0V 緩慢上升。 當(dāng) VSS 小于 VREF 時，VSS 會覆蓋 VREF，并且 FB 比較器使用 VSS 而不是 VREF 作為參考。 當(dāng) VSS 高于 VREF 時，VREF 恢復(fù)控制。

(五)熱關(guān)斷

熱關(guān)斷可防止芯片在極高溫度下運行。 當(dāng)硅芯片達到超過其上限閾值的溫度時，整個芯片將關(guān)閉。 當(dāng)溫度低于其下限閾值時，芯片再次啟用。

(六)啟動和關(guān)閉

如果 VIN 和 VEN 都高于相應(yīng)的閾值，則芯片啟動。 參考模塊首先啟動，產(chǎn)生穩(wěn)定的參考電壓和電流，然后啟用內(nèi)部穩(wěn)壓器。 穩(wěn)壓器為其余電路提供穩(wěn)定的電源。

如果內(nèi)部電源軌為高電平，則內(nèi)部定時器會使功率 MOSFET 保持關(guān)閉約 50μs，以清除任何啟動毛刺。 當(dāng)軟啟動模塊啟用時，SS 輸出保持低電平并緩慢上升。

三個事件可以關(guān)閉芯片：VEN 低電平、VIN 低電平和熱關(guān)斷。 在關(guān)閉過程中，首先阻塞信令路徑以避免任何故障觸發(fā)。 然后內(nèi)部電源軌被拉低。 浮動驅(qū)動器不受此關(guān)閉命令的影響，但其充電路徑被禁用。

上述所有信息便是小編這次為大家推薦的內(nèi)容，希望大家能夠喜歡，想了解更多有關(guān)它的信息或者其它內(nèi)容，請關(guān)注我們網(wǎng)站哦。