BLDC驅(qū)動(dòng)電路中的MOS管,誰(shuí)還沒(méi)燒過(guò)管子呢?
如圖,三相直流無(wú)刷電機(jī)(包括BLDC和PMSM)功率級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用6個(gè)N溝道功率MOS構(gòu)成三相全橋,分為三個(gè)連接到電源正極(VBus)的高邊MOS和三個(gè)連接到電源負(fù)極的低邊MOS??刂破魍ㄟ^(guò)控制六個(gè)MOS的通斷,完成換相,使電機(jī)按照預(yù)期轉(zhuǎn)動(dòng)。電機(jī)在運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程中可能會(huì)遇到堵轉(zhuǎn)而導(dǎo)致過(guò)流,因此MOS驅(qū)動(dòng)電路需要具有保護(hù)功能,以防止燒壞控制器或電機(jī)。
對(duì)于單個(gè)NMOS來(lái)說(shuō),在開通時(shí),需要提供瞬間大電流向MOS內(nèi)的寄生電容充電,柵源電壓(VGS)達(dá)到一定閾值后,MOS才能完全開通。在MOS開通后,還需要維持合適的柵源電壓(VGS),才可以保持開通狀態(tài)。
對(duì)于低邊MOS,其源極(S)接到電源負(fù)極,柵源電壓容易滿足,驅(qū)動(dòng)較簡(jiǎn)單。
對(duì)于高邊MOS,其源極(S)接到電機(jī)相線,其電壓是不確定的,如果需要開通,需要通過(guò)自舉電路提供柵極電壓,驅(qū)動(dòng)較復(fù)雜。?圖2 VGS與RDSON的關(guān)系
一般情況下,MOS的導(dǎo)通內(nèi)阻都如圖2所示,隨著VGS的增大而降低,但VGS大于10V之后,下降曲線變得平緩。為了達(dá)到最小的導(dǎo)通電阻(RDSON),VGS的取值通常為10~15V。
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