ASML大家都不陌生，它是全球最頂尖的光刻機巨頭，旗下的EUV光刻機更是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備之一，可用于生產(chǎn)7nm和5nm芯片。之前，國內(nèi)一直都想要從ASM那里進(jìn)口一臺EUV光刻機，但卻始終買不到，這也導(dǎo)致國人對ASML這家公司的態(tài)度并不是很好。

ASML是一家總部設(shè)在荷蘭埃因霍芬的全球知名半導(dǎo)體設(shè)備制造商，可為全球復(fù)雜集成電路生產(chǎn)企業(yè)提供領(lǐng)先的綜合性關(guān)鍵設(shè)備，EUV光刻機是其最為業(yè)界所熟知的晶圓制造環(huán)節(jié)核心設(shè)備。臺積電則是ASML生產(chǎn)EUV光刻機最大的行業(yè)客戶與受益者，網(wǎng)絡(luò)公開信息整理顯示，臺積電已經(jīng)獲得ASML生產(chǎn)EUV設(shè)備的一半，目前擁有約50臺EUV光刻機。

眾所周知，此前ASML的主要客戶是臺積電和三星，二者身為全球排名前二的芯片代工廠，對光刻機的需求非常高，每年都需要從ASML大量購買。尤其是臺積電，相關(guān)數(shù)據(jù)表明，在前些年ASML有70%以上的EUV光刻機，都優(yōu)先供貨給了臺積電。

因為缺芯、臺積電和地緣政治等多種因素的影響，大家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)注度火速提升。這也讓ASML這些原本在背后默默支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的企業(yè)被“趕”到了臺前。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，這家來自荷蘭的企業(yè)提供了全球芯片生產(chǎn)都繞不開的關(guān)鍵設(shè)備——光刻機。

尤其是在EUV光刻機方面，市場的關(guān)注度更是空前。這一方面是因為這個設(shè)備是芯片制造工藝走向7nm以下的關(guān)鍵;另一方面，這個設(shè)備的售價高達(dá)上億美金，且只有ASML一家能做。因此其吸引了全球那么多的目光也情有可原。

正如很多分析人士所說，EUV光刻機真可以稱得上是芯片制造的“皇冠”。

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，截至第二季度，ASML EUV 設(shè)備出貨總量達(dá)到 102 臺，隨著需求量的提高和客戶群的擴大，預(yù)計 2 年內(nèi)累計供應(yīng)量將增加 2 倍以上，標(biāo)志著 EUV 時代正式拉開帷幕。

ASML擴大EUV設(shè)備供應(yīng)響應(yīng)了半導(dǎo)體制造業(yè)實現(xiàn)超微電路層的需求。盡管每臺設(shè)備的價格達(dá)到1.71億美元，但由于其卓越的工藝成本和省時效果，可以抵消設(shè)備采購的成本。業(yè)內(nèi)人士指出，通過EUV可以降低設(shè)備成本和工藝成本，因此，在微加工領(lǐng)域引進(jìn)EUV設(shè)備的企業(yè)越來越多。

根據(jù)ASML的說法，5-7nm邏輯半導(dǎo)體(以每月45,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個EUV層需要一臺EUV設(shè)備，16nm及以下節(jié)點DRAM(以每月100,000顆晶圓為基準(zhǔn))每個EUV層則需要1.5-2臺設(shè)備。三星電子計劃，到今年下半年為止，將14nm DDR5 DRAM的EUV應(yīng)用層數(shù)從1層增加到5層，SK海力士也計劃增加EUV應(yīng)用層數(shù)，因此，預(yù)計EUV設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。

除了EUV層的增加，EUV設(shè)備的客戶群也在逐漸擴大。繼2018年三星電子首次引進(jìn)7nm制程的EUV設(shè)備后，臺積電和SK海力士也加入了EUV競爭。美國的美光和英特爾也在推進(jìn)EUV設(shè)備的引進(jìn)，預(yù)計市場規(guī)模將進(jìn)一步擴大。

據(jù) ETNews 報道，過去四個季度(2020 年第三季度-2021 年第二季度)，ASML EUV 設(shè)備出貨總計 40 臺，較之前四個季度(2019 年第三季度-2020 年第二季度)增長了 66%。ASML 今年的出貨目標(biāo)是 40 臺左右，下半年將供應(yīng) 25 臺左右。

ASML 擴大 EUV 設(shè)備供應(yīng)響應(yīng)了半導(dǎo)體制造業(yè)實現(xiàn)超微電路層的需求。盡管每臺設(shè)備的價格達(dá)到 1.71 億美元，但由于其卓越的工藝成本和省時效果，可以抵消設(shè)備采購的成本。業(yè)內(nèi)人士指出，通過 EUV 可以降低設(shè)備成本和工藝成本，因此，在微加工領(lǐng)域引進(jìn) EUV 設(shè)備的企業(yè)越來越多。

根據(jù) ASML 的說法，5-7nm 邏輯半導(dǎo)體(以每月 45,000 顆晶圓為基準(zhǔn))每個 EUV 層需要一臺 EUV 設(shè)備，16nm 及以下節(jié)點 DRAM(以每月 100,000 顆晶圓為基準(zhǔn))每個 EUV 層則需要 1.5-2 臺設(shè)備。三星電子計劃，到今年下半年為止，將 14nm DDR5 DRAM 的 EUV 應(yīng)用層數(shù)從 1 層增加到 5 層，SK 海力士也計劃增加 EUV 應(yīng)用層數(shù)，因此，預(yù)計 EUV 設(shè)備的需求將進(jìn)一步增加。

昨日，韓國存儲廠商SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻機生產(chǎn)的DRAM正式量產(chǎn)。

據(jù)介紹，公司旗下第四代 10 納米級(1a)制程8Gigabit(Gb)LPDDR4 移動設(shè)備專用DRAM已經(jīng)量產(chǎn)。作為SK海力士旗下首款采用EUV生產(chǎn)的DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可以將使相同尺寸晶圓生產(chǎn)的 DRAM 芯片數(shù)量增加 25%，并能將功耗降低20%。

在更早之前，三星已經(jīng)率先量產(chǎn)了使用EUV光刻機生產(chǎn)的DRAM，在過去多年稍顯保守的美光也宣布，將在2024年生產(chǎn)基于EUV的DRAM。至此，三大DRAM大廠都跨入了EUV時代。

EUV層數(shù)的增加，無疑將推動產(chǎn)業(yè)對EUV光刻機的進(jìn)一步需求。業(yè)界也積極預(yù)測，EUV時代將全面加速。

據(jù)悉，對此，AMSL也有意將EUV光刻機年產(chǎn)量從現(xiàn)有的40臺提升到2022年的55臺，直至2023年的60臺產(chǎn)能，以保證市場有超過240臺的EUV設(shè)備在運行。

AMSL對EUV光刻機的產(chǎn)量提升，主要來自下游臺積電、三星、英特爾以及SK海力士等半導(dǎo)體制造商的強烈需求，即使這臺設(shè)備的平均造價已達(dá)到驚人的1.5億美元(約合人民幣10億元)。為此，這家2021年全球最受尊敬企業(yè)正致力于不斷提升其產(chǎn)能。