三星電子是先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。美國(guó)時(shí)間10月7日，在一年一度的三星論壇上，三星代工業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士談到了三星芯片生產(chǎn)的未來(lái)規(guī)劃，以及全球短缺對(duì)其代工廠業(yè)務(wù)的影響。他透露了三星制造3nm和2nm芯片的“路線圖”。

在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點(diǎn)，其他則是升級(jí)改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

全球目前量產(chǎn)的 最先進(jìn)工藝是 5nm ，臺(tái)積電明年就要量產(chǎn) 3nm 工藝，不過(guò) 3nm 節(jié)點(diǎn)他們依然選擇 FinFET 晶體管技術(shù)，三星則選擇了 GAA 技術(shù)，日前三星也成功流片了 3nm GAA 芯片，邁出了關(guān)鍵一步。

在 3nm 節(jié)點(diǎn)，三星比較激進(jìn)，直接選擇了下一代工藝技術(shù)—— GAA 環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了 MBCFET ( Multi-Bridge-Channel FET ，多橋 - 通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。

三星計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)采用2nm工藝的芯片。當(dāng)前，大多數(shù)旗艦智能手機(jī)由基于5nm工藝構(gòu)建的SoC提供支持。這家芯片制造商預(yù)計(jì)將在2022年上半年開(kāi)始為客戶(hù)生產(chǎn)首批基于3nm的芯片。由于采用了3nm全環(huán)柵 (GAA) 技術(shù)，這些新芯片的性能應(yīng)該會(huì)提高30%，并且功耗會(huì)減半。而該芯片比5nm芯片占用的空間最多減少35%。

3nm芯片將在三星位于韓國(guó)平澤的工廠生產(chǎn)——目前正在擴(kuò)建以支持更高的產(chǎn)能。還計(jì)劃在美國(guó)開(kāi)設(shè)一家代工廠，但有關(guān)其位置的細(xì)節(jié)很少。同時(shí)，第二代3nm芯片預(yù)計(jì)將于2023年開(kāi)始生產(chǎn)。此外，三星還透露，2nm工藝的芯片處于開(kāi)發(fā)初期。這些將使用GAA和多橋通道FET技術(shù)，該技術(shù)也在開(kāi)發(fā)中。

10月8日?qǐng)?bào)道，在本周剛剛舉行的第五屆三星晶圓代工年度論壇(Samsung Foundry Forum 2021)上，三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi公布了有關(guān)3/2nm GAA晶體管量產(chǎn)計(jì)劃、三星RF射頻平臺(tái)和其在美建廠的情況。

Siyoung Choi宣布，三星首批3nm芯片將于2022年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，而2nm工藝節(jié)點(diǎn)將于2025年進(jìn)入量產(chǎn)。在本次活動(dòng)上，三星電子還首次推出了17nm FinFET專(zhuān)業(yè)工藝技術(shù)，該工藝比28nm工藝性能提升了39%，功率效率提高了49%。以下是芯東西對(duì)Siyoung Choi完整演講的編譯、整理。

本文福利：三星宣布其基于GAA 技術(shù)的3nm 制程成已成功流片，這是半導(dǎo)體革命一個(gè)新的里程碑事件。推薦精品報(bào)告《三星GAA新技術(shù)成功流片延續(xù)摩爾定律及全球半導(dǎo)體行業(yè)高景氣》?？稍诠娞?hào)聊天欄回復(fù)關(guān)鍵詞【芯東西184】獲取。

在晶圓代工論壇上，Siyoung Choi談道：“我們將提高整體產(chǎn)能并引領(lǐng)最先進(jìn)的技術(shù)，同時(shí)進(jìn)一步擴(kuò)大硅片規(guī)模并通過(guò)應(yīng)用繼續(xù)技術(shù)創(chuàng)新?！?

他提到自2017年以來(lái)，三星電子的制程工藝每年都有所升級(jí)，而三星電子代工業(yè)務(wù)將加強(qiáng)節(jié)點(diǎn)制程多樣化、新晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張和提升代工服務(wù)等領(lǐng)域。

三星電子表示，其8nm射頻平臺(tái)將通過(guò)支持毫米波應(yīng)用，擴(kuò)大在5G半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有率。

此外，該公司還在推進(jìn)14nm制程，以支持3.3V或閃存型的嵌入式MRAM，以提高寫(xiě)入速度和密度，目標(biāo)應(yīng)用是微控制器單元、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和可穿戴設(shè)備等。

TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，三星是僅次于臺(tái)積電的全球第二大芯片代工企業(yè)，至6月底其市場(chǎng)份額為17.3%。

臺(tái)積電此前也已透露，3nm工藝將于明年下半年量產(chǎn)。換言之，三星3nm芯片計(jì)劃與臺(tái)積電計(jì)劃的時(shí)間節(jié)點(diǎn)也不謀而合。只不過(guò)，臺(tái)積電尚未公布其2nm芯片的量產(chǎn)路線圖。但有推測(cè)認(rèn)為，臺(tái)積電的2nm工藝有望在2024年量產(chǎn)。

目前來(lái)看，三星今年最新的代工市場(chǎng)份額還沒(méi)達(dá)到15%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電近六成的份額，兩者并不在一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和級(jí)別上。

不過(guò)，新動(dòng)態(tài)凸顯三星追趕臺(tái)積電技術(shù)與市場(chǎng)的野心。若三星先于臺(tái)積電對(duì)更先進(jìn)的工藝技術(shù)商業(yè)化，或會(huì)搶走一批優(yōu)質(zhì)客戶(hù)，甚至吸引蘋(píng)果、高通、谷歌等國(guó)際頭部客戶(hù)。

另外，三星希望在十年內(nèi)加大投資，重砸千億美元，以成為頭部的半導(dǎo)體代工企業(yè)。而臺(tái)積電或許也感到了壓力，未來(lái)3年也承諾將向代工業(yè)務(wù)加大投資，以鞏固其市場(chǎng)地位。

雖然在7nm節(jié)點(diǎn)上落后了臺(tái)積電，但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗(yàn)證，將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。是的，目前智能手機(jī)中芯片的主要代工都是在臺(tái)積電上，因?yàn)槟壳芭_(tái)積電在7nm工藝上比較成熟。也是因?yàn)?nm成為了主流。所以高通最新的處理器855也是7nm的。

三星早前也有榮光時(shí)刻，比如在之前的32nm、14nm及10nm節(jié)點(diǎn)率先量產(chǎn)，獲得了市場(chǎng)不錯(cuò)的口碑。但是智能手機(jī)市場(chǎng)就是如此的殘酷，不管之前的14nm及10nm節(jié)點(diǎn)如何，只要最新的7nm沒(méi)有跟上，就會(huì)選擇其他公司。

而三星之外顯然就是臺(tái)積電了，在全球晶圓代工市場(chǎng)上臺(tái)積電一家獨(dú)大，占據(jù)全球晶圓代工市場(chǎng)大約60%的份額，在7nm工藝節(jié)點(diǎn)幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單。比如華為、高通、蘋(píng)果都是采用了7nm的制程，三星顯然需要好好加油才行。