MP6919智能整流器將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

一、MP6919智能整流器概述

整流器是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測無線電信號等。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成。相反，一套把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置，則稱為“逆變器”。整流器是一個(gè)整流裝置，簡單的說就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。它有兩個(gè)主要功能：第一，將交流電(AC)變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負(fù)載，或者供給逆變器;第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時(shí)又起到一個(gè)充電器的作用。下面，我們來看一款智能整流器產(chǎn)品。

MP6919 是一款用于反激變換器的快速關(guān)斷智能整流器，其內(nèi)部集成了 100V MOSFET。可提供比二極管整流器更高的效率和功率密度。它可將內(nèi)部開關(guān)管的正向電壓壓降調(diào)節(jié)至 40mV(1)，并在漏源電壓反向之前，將開關(guān)管關(guān)斷。

此器件可以自主生成電源電壓，無需輔助繞組，因此非常適用于低輸出電壓要求的充電器應(yīng)用或其他具有高端設(shè)置的適配器應(yīng)用。內(nèi)部振鈴檢測電路可以防止 MP6919 在斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)式或準(zhǔn)諧振工作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。

二、MP6919智能整流器詳述

通過上面的介紹，想必大家對MP6919智能整流器大致內(nèi)容已有所了解。下面，我們來詳細(xì)看下MP6919智能整流器的一些特點(diǎn)。

1.VDD 生成

SENSE 是線性穩(wěn)壓器的輸入，其輸出為 VDD。 VDD 為 MP6919 供電，并在 VDD_REG(約

6.7V)。 當(dāng) SENSE 低于 4.7V 時(shí)，來自 SENSE 的 40mA 電流源為 VDD 充電。 當(dāng) SENSE 高于 4.7V 時(shí)，線性穩(wěn)壓器的最大充電電流被限制在 IVDD，以在 VDD 為外部電容器充電。

2.啟動和欠壓鎖定 (UVLO)

當(dāng) VDD 升至 4.2V 以上時(shí)，MP6919 退出欠壓鎖定 (UVLO) 并啟用。 一旦 VDD 降至 4.0V 以下，MP6919 進(jìn)入睡眠模式，VGS 保持低電平。

3.開啟階段

當(dāng) VDS 降至約 2V 時(shí)，開啟定時(shí)器開始計(jì)時(shí)。如果 VDS 在壓擺率檢測時(shí)間(約 30ns)內(nèi)從 2V 達(dá)到 -80mV 的開啟閾值，則 MOSFET 在開啟延遲 tDON(大約 20ns)后開啟。如果定時(shí)器結(jié)束后 VDS 超過 -80mV，柵極電壓保持關(guān)閉。該開啟定時(shí)器可防止設(shè)備因 DCM 和準(zhǔn)諧振操作的振鈴而錯(cuò)誤開啟。

4.開啟消隱

控制電路包含消隱功能。 當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，控制電路確保導(dǎo)通狀態(tài)持續(xù)一段特定的時(shí)間。開啟消隱時(shí)間為 tB-ON(約 1.2μs)，可防止因振鈴而意外關(guān)閉。如果 VDS 在導(dǎo)通消隱時(shí)間內(nèi)達(dá)到 1.8V，VGS 立即拉低。

5.傳導(dǎo)階段

當(dāng) VDS 上升到高于正向壓降 -VFWD (-40mV) 時(shí)，MP6919 根據(jù)開關(guān)電流的下降，降低柵極電壓電平以增大同步 MOSFET 的導(dǎo)通電阻。

使用這種控制方案，即使通過 MOSFET 的電流相當(dāng)?shù)停琕DS 也會調(diào)整為大約 -VFWD。 當(dāng)同步 MOSFET 關(guān)閉時(shí)，此功能將驅(qū)動器電壓保持在非常低的水平。 它還可以提高關(guān)斷速度，用于 CCM 操作。

6.關(guān)斷階段

當(dāng) VDS 上升以觸發(fā)關(guān)斷閾值(約 -3mV)時(shí)，柵極電壓在 tDOFF(約 25ns)的短暫關(guān)斷延遲后拉至零。

7.關(guān)閉消隱

當(dāng) VDS 達(dá)到關(guān)斷閾值 (-3mV) 時(shí)，柵極驅(qū)動器 (VGS) 拉至零后，應(yīng)用關(guān)斷消隱時(shí)間。在此過程中，柵極驅(qū)動器信號鎖存。 當(dāng) VDS 超過 VB-OFF(約 2V)時(shí)，關(guān)閉消隱被移除。

8.SENSE 上的外部電阻

過壓條件會損壞 MP6919，適當(dāng)?shù)膽?yīng)用設(shè)計(jì)可保證安全操作，尤其是在高壓引腳上。

一種常見的過壓情況是當(dāng) SR MOSFET 的體二極管由于正向壓降超過 SENSE 引腳上的負(fù)額定值而導(dǎo)通時(shí)。 如果發(fā)生這種情況，建議在 SENSE 和 MOSFET 漏極之間放置一個(gè)外部電阻器。 推薦電阻約為 100Ω 至 300Ω。

不要使用太大的電阻器，因?yàn)樗赡軙绊?VDD 電源并減慢 VDS 檢測的壓擺率。 不建議使用大于 300Ω 的電阻。 應(yīng)根據(jù) VDD 電源和壓擺率選擇電阻器。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。