一直以來，存儲芯片市場一直被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷，三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨頭占據(jù)80%以上的市場份額，其中三星是領(lǐng)頭羊，市場份額約38%。在DRAM市場，三星、SK海力士、鎂光占據(jù)了超過90%的市場份額，其中兩家韓國企業(yè)三星和SK海力士的市場份額加起來高達(dá)70%左右。

由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國際大廠所壟斷，特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場份額，這直接導(dǎo)致存儲芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60億美元的損失，隨后，存儲芯片發(fā)生暴漲，進(jìn)而帶動固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、以及閃存卡等存儲產(chǎn)品的價(jià)格就開始瘋漲，鎂光公司的NAND Flash 64GB MLC 顆粒在幾個月內(nèi)漲幅超過25%。

進(jìn)而使華為、小米、OPPO、VIVO等整機(jī)廠商深受其害。

由于當(dāng)下比較特殊的國際局勢，NAND Flash高度依賴外商除了會使國內(nèi)廠商在NAND價(jià)格上任憑外商擺布，還有可能受到國際復(fù)雜環(huán)境變化的影響，一旦供應(yīng)被切斷，對國內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)的打擊是幾乎是毀滅性的。由此看來華為等巨頭尋找國產(chǎn)化“備胎”的計(jì)劃尤為重要。長江存儲在64層NAND上取得突破，未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進(jìn)口供應(yīng)的局面，但是新供應(yīng)鏈的導(dǎo)入需要時(shí)間，在短期市場上，長江存儲的產(chǎn)品仍然無法大規(guī)模替代進(jìn)口。

海外并購接連碰壁 自主研發(fā)取得成功

本次，長江存儲在NAND上取得突破，是十多年持續(xù)研發(fā)的成果。早在2006年，武漢就投資100億元啟動武漢新芯項(xiàng)目，經(jīng)過多年的磨礪和成長，武漢新芯在存儲器領(lǐng)域已經(jīng)有了一定成果。之后合肥、武漢等5座城市爭奪存儲器基地，由于武漢新芯在這方面已經(jīng)有一定基礎(chǔ)，因而最后武漢取得了勝利。隨后，紫光等國有資本對武漢大量注資，并在將武漢新芯的基礎(chǔ)上成立組建了長江存儲。

在研發(fā)路線選擇上，紫光選擇同時(shí)走技術(shù)引進(jìn)和自主研發(fā)路線。

就技術(shù)引進(jìn)來說，紫光曾經(jīng)試圖以每股21美元，總價(jià)230億美元的價(jià)格全面收購鎂光，結(jié)果沒能完成收購。紫光也試圖以38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權(quán)，然后由西部數(shù)據(jù)出資190億美元“曲線收購”閃迪，結(jié)果因受外部勢力干涉最終不得不終止。之后，還傳出紫光試圖出資53億美元收購SK海力士20%的股份，但該收購傳聞最終也沒有結(jié)果。

在海外收購頻頻碰壁的同時(shí)，紫光在境外持續(xù)高薪尋找優(yōu)秀的人才，并嚴(yán)格遵守國際商業(yè)的道德規(guī)則，“只帶人不帶文件”，堅(jiān)持“自己的技術(shù)要靠自己研發(fā)”，紫光集團(tuán)還聘請了在中國臺灣省有“存儲教父”之稱的高啟全。在整合兩岸技術(shù)團(tuán)隊(duì)之后，長江存儲開啟了自主研發(fā)之路，并在2017年完成32層NAND的小批量生產(chǎn)，在2019年完成了64層NAND量產(chǎn)。

可以說，紫光用實(shí)踐說明了，在當(dāng)下這個大環(huán)境下，與外商合作或并購的技術(shù)引進(jìn)模式很難走通，與其并購或技術(shù)合作，不如直接挖人，組建自己的團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)。畢竟，技術(shù)是隨著人走的，人才是一家半導(dǎo)體企業(yè)最寶貴的財(cái)富。

長江存儲獨(dú)創(chuàng)Xtacking架構(gòu)

長江存儲本次發(fā)布的64層NAND采用了Xtacking架構(gòu)。根據(jù)公開資料，長江存儲搞出的Xtacking架構(gòu)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬垂直互聯(lián)通道將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

長江存儲CEO楊士寧博士指出：

利用Xtacking技術(shù)，長江存儲3D NAND閃存未來可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

還有材料指出：

紫光的64層的3D NAND得益于Xtacking技術(shù)，使得產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統(tǒng)3D NAND擁有更高的存儲密度。這使得紫光的64層的3D NAND單位面積的存儲密度可以接近國際大廠的96層3D NAND。

因此，紫光的64層NAND是具備一定市場競爭力的技術(shù)。根據(jù)長江存儲的最新報(bào)道，64層NAND已于9月正式量產(chǎn)，2020年逐步提升產(chǎn)能，據(jù)業(yè)界傳言，2020年底產(chǎn)能可望提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。由于紫光的64層NAND性能逼近國際大廠的96層3D NAND，因而可以直接在商業(yè)市場與外商競爭。此前還有業(yè)界消息稱，紫光會跳過96層NAND，直接研發(fā)128層NAND，力爭在技術(shù)上進(jìn)一步縮短與外商的差距，而這些消息目前還未得到官方的證實(shí)。

長江存儲要重復(fù)京東方的突圍之路

目前，長江存儲只是技術(shù)上取得了突破，而且產(chǎn)能也比較有限。相對于三星、SK海力士、鎂光、英特爾等國際大廠，無論在技術(shù)上，還是在市場份額上都有一定差距。長江存儲在原材料、設(shè)備等方面對外商有較大依賴，在實(shí)現(xiàn)不被卡脖子方面依然任重道遠(yuǎn)。

因而對于長江存儲正式宣布64層NAND量產(chǎn)，“沸騰體”或“厲害體”是不合時(shí)宜的。在未來幾年內(nèi)，由于要與三星等國際巨頭拼刺刀，因而長江存儲可能在未來5年內(nèi)都很難賺到多少錢，甚至可能會重復(fù)京東方多年前連續(xù)虧損的發(fā)展歷程。

比較讓人擔(dān)心的是，在媒體一輪“沸騰體”炒作后，之后幾年因?yàn)槠髽I(yè)營收和業(yè)績不夠“沸騰”，然后媒體又來一輪帶節(jié)奏，抹黑長江存儲。這并非杞人憂天，京東方就因?yàn)闃I(yè)績不好看，被媒體譽(yù)為“A股虧損王”。

不過，長江存儲也有很多有利的因素。首先是資本上紫光具備與國際大廠較量的實(shí)力，趙偉國曾經(jīng)表示，計(jì)劃籌集3700億元為未來5年準(zhǔn)備充足的“彈藥”，因而紫光能夠?yàn)殚L江存儲提供充足的資金支持。

由于紫光體量巨大，產(chǎn)品線很全，不僅有NAND，還有PCIe NVMe SSD主控芯片，還有H3C這樣的整機(jī)廠，內(nèi)部可以進(jìn)行垂直整合。