技術(shù)升級(jí)一向是存儲(chǔ)芯片公司間競(jìng)爭(zhēng)的主要策略。存儲(chǔ)芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要集中在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競(jìng)爭(zhēng)力。因此，每當(dāng)市場(chǎng)格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

根據(jù)集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)，第三季度DRAM市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)扭轉(zhuǎn)原先的跌勢(shì)，轉(zhuǎn)為持平，其中8月DRAM合約價(jià)與前月持平，DDR4 8GB均價(jià)來到25.5美元。至于NAND閃存市場(chǎng)，上季度便已扭轉(zhuǎn)了下滑的態(tài)勢(shì)。在智能手機(jī)、筆記本電腦以及服務(wù)器等需求面皆有所復(fù)蘇的情況下，NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)擺脫此前一直出現(xiàn)的跌跌不休態(tài)勢(shì)，出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。

目前多數(shù)存儲(chǔ)廠商均已開始看好明年市場(chǎng)的復(fù)蘇前景。在此情況下，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。

1z nm工藝

DRAM具有高密度、架構(gòu)簡(jiǎn)單、低延遲和高性能的特性，兼具耐用和低功耗的特性。盡管不斷有新型存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)，但目前為止，在片外系統(tǒng)當(dāng)中DRAM仍然牢牢占據(jù)市場(chǎng)主流地位。與NAND閃存不同的是，DRAM需要制作電容器，比較難堆疊芯片層數(shù)，因此制造商大多只能以減少電路間距的方式，提高性能、效率。拉近電路距離的好處包含提高信號(hào)處理速度、降低工作電壓，以及增加每個(gè)硅片的DRAM產(chǎn)量，這也是各大制造商展開納米競(jìng)爭(zhēng)的緣由。因此，在新一輪競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中，廠商間不斷通過工藝微縮，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。