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[導讀]近日,在中國集成電路設計業(yè)2019年會(ICCAD 2019)上,華虹半導體(無錫)*研發(fā)總監(jiān)陳華倫代表華虹宏力受邀演講,在《持續(xù)創(chuàng)新,助力智能時代》的報告中闡述了華虹宏力立足8英寸產(chǎn)線、并將優(yōu)勢擴展至12英寸的“8+12”戰(zhàn)略布局,以及通過持續(xù)創(chuàng)新助力智能時代高速增長的“芯”愿景。

2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部,發(fā)展速度遠超業(yè)界預期。5G商用的加速推進,讓更廣泛的智能時代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。

近日,在中國集成電路設計業(yè)2019年會(ICCAD 2019)上,華虹半導體(無錫)*研發(fā)總監(jiān)陳華倫代表華虹宏力受邀演講,在《持續(xù)創(chuàng)新,助力智能時代》的報告中闡述了華虹宏力立足8英寸產(chǎn)線、并將優(yōu)勢擴展至12英寸的“8+12”戰(zhàn)略布局,以及通過持續(xù)創(chuàng)新助力智能時代高速增長的“芯”愿景。

圖:華虹半導體(無錫)研發(fā)總監(jiān)陳華倫在ICCAD 2019上分享對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的洞察

嵌入式閃存:領跑者的三個支撐點

早在2000年初,華虹宏力已開始布局特色工藝,經(jīng)過多年的研發(fā)創(chuàng)新和優(yōu)勢積累,現(xiàn)已形成多個具有領先優(yōu)勢的特色工藝技術平臺,全球領先的嵌入式非易失性存儲器(eNVM)就是其中之一。作為華虹宏力2018年第一大營收來源,eNVM平臺主要包括智能卡芯片和MCU兩大類應用。

據(jù)2018年年報透露,華虹宏力MCU業(yè)務涵蓋了eFlash、OTP、MTP和EEPROM等主流技術,可實現(xiàn)高、中、低端MCU產(chǎn)品全覆蓋。2018年,華虹宏力110納米嵌入式閃存平臺的MCU新品導入超過100個,是eNVM平臺營收的主要增長點之一。同時,進一步完善的95納米5V SG eNVM工藝通過優(yōu)化存儲單元結(jié)構(gòu)、IP設計以及工藝簡化,具有小面積,低功耗、高性價比等優(yōu)勢,廣受客戶青睞。陳華倫強調(diào),該工藝平臺兼?zhèn)涓呖煽啃院偷凸奶攸c,同時具備光罩少等綜合競爭優(yōu)勢。

華虹宏力eNVM技術平臺包括SONOS、SuperFlash自對準和自主開發(fā)NORD FLASH等三大工藝平臺,全面覆蓋當前主流的180納米到90納米及以下技術節(jié)點,已被廣泛用于SIM卡、銀行卡和帶金融支付功能的社??ㄖ?。

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