之前分享過一篇LVDS接收在高溫環(huán)境下不穩(wěn)定的Case，這篇可以算作其姊妹篇，也是基于一個真實的Case。

問題描述：

所用器件： Kintex7-325T，-3速度等級，商業(yè)檔

系統(tǒng)描述： 使用3個HPbank接了4片16位寬的DDR3顆粒，DDR3控制器使用MIG生成，Data Rate 為1866Mbps。使用的是Native Interface，命令和數(shù)據(jù)通道分開，分別提供一讀一寫2個數(shù)據(jù)通道。

現(xiàn)象描述：在做高溫測試時，在芯片結(jié)溫超過110°C之后(芯片結(jié)溫可以用JTAG實時監(jiān)測)，整個系統(tǒng)開始不正常。此時通過FPGA內(nèi)部添加ILA邏輯分析儀進行分析，發(fā)現(xiàn)DDR3控制器的讀通道開始沒有響應(yīng)，即發(fā)送讀命令下去，但是并沒有數(shù)據(jù)返回，看起來像是DDR3控制器已經(jīng)跑死了。

同樣從Xilinx器件本身來說，商業(yè)檔的芯片，手冊標稱的溫度范圍是0-85℃，即使是-E等級的芯片，標稱也不過是0-100℃。

從測試現(xiàn)象來說，DDR3控制器在110℃以后才出問題，其實已經(jīng)超過了普通商業(yè)檔芯片的標稱工作范圍。但凡事無絕對，本著同之前LVDS的Case一樣的態(tài)度，嘗試一下，沒準我們能發(fā)現(xiàn)一些更深層次的問題呢!

分析過程：

因為現(xiàn)在沒什么頭緒，我們就從一些最常規(guī)的手段去嘗試。

1. 降頻

客戶的系統(tǒng)對DDR3貸款的需求比較大，最多降到1600Mbps，降得再低可能系統(tǒng)帶寬無法保證。在1600Mbps時，溫度特性沒有什么明顯差異，也是在110°C左右開始出現(xiàn)問題。

2. 單獨測試DDR3讀寫

使用MIG生成獨立的DDR3讀寫測試工程，發(fā)現(xiàn)此時即使結(jié)溫升到120℃，DDR3的讀寫邏輯依舊工作正常。這說明PCB layout和信號完整性應(yīng)該沒有太大的問題。難道問題出現(xiàn)在Timing上?

3.Timing時序

仔細重新梳理了一遍設(shè)計，和時序約束，該約束的都約束上了，而且從最終的實現(xiàn)報告上來看，所有的時序都滿足要求，沒有違例。

應(yīng)該也不是Timing約束的問題。

至此我們排查了邏輯設(shè)計，Timing約束和報告，PCB layout，沒有發(fā)現(xiàn)特別的疑點。那么還有那些因素可能影響呢，會不會是電源問題呢?

4. 電源

在整個系統(tǒng)正常跑起來后，用示波器接在電源上進行分析。在常溫下，幾路電源都完全工作正常。隨著溫度的升高，到約110℃附近，F(xiàn)PGA的核壓Vccint的那一路電源，1.0V會有一個明顯的下降。

會不會是1.0V的電源供電不足導(dǎo)致的，因為隨著溫度的升高，F(xiàn)PGA的功耗也會顯著的加大。

解決辦法：

使用外部的獨立穩(wěn)壓電源給1.0V單獨供電，再進行高低溫測試，即使結(jié)溫升到120℃，系統(tǒng)仍然工作正常?？雌饋碚请娫吹膯栴}。