數(shù)字電路歷史、摩爾定律及未來趨勢(shì)
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我們都知道在計(jì)算機(jī)世界中,歸根到最底層的計(jì)算,只有兩種狀態(tài),既數(shù)字電路的開和關(guān),對(duì)應(yīng)于二進(jìn)制數(shù)字1或0。任何最強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)、最繁雜的計(jì)算也最終都是用通過1,0來實(shí)現(xiàn)的。這實(shí)際上暗合了中國古典哲學(xué)的"陰陽",1,0生萬物。數(shù)字電路的發(fā)展史,又慢到大,有大到小,計(jì)算的性能越來越強(qiáng)大,但是發(fā)展卻一直符合一條規(guī)則,今天蟲蟲就和大家一家一起聊聊電子電路發(fā)展史、摩爾定律以及將來發(fā)展趨勢(shì)。
電子電路發(fā)展史——從真空管、晶體管到集成電路
真空管和ENIAC
計(jì)算機(jī)的最終計(jì)算是通過數(shù)字電路的開關(guān)狀態(tài)的切換來實(shí)現(xiàn)的,包括信息傳遞和設(shè)備聯(lián)通等。數(shù)字電路的發(fā)展最初,是在上個(gè)世紀(jì)50年代之前,電路是由真空管組成。由弗萊明發(fā)明的二極管,德福雷斯特改良的真空三極管,在此基礎(chǔ)上產(chǎn)生了第一臺(tái)通用計(jì)算機(jī)ENIAC(Electronic Numerical Integrator And Compute)。
第一代電子電路都是由抽成真空的巨大的玻璃管,所以叫真空管。真空管是利用燈絲或電路板的兩極來發(fā)射電子束來控制電流。然而,并非所有的管都被抽空,一些使用的氣體和較小的管使用光敏材料和磁場來控制電子的流動(dòng)。它們都有共同點(diǎn):價(jià)格昂貴,消耗大量電力并散發(fā)出巨大熱量。它們也非常不可靠,需要大量的維護(hù)。而且尺寸它們很大,難于制造更小型的"計(jì)算機(jī)"。
晶體管
晶體管的發(fā)明源于貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究,立足于找到一種價(jià)格便宜,耗電少或無耗電且不會(huì)升溫的元件。該元件還必須易于制造,切換速度快,體積小。1974年由William Shockley領(lǐng)導(dǎo)下,John Bardeen和Walter Brattain發(fā)明了滿足這些特性的晶體管。晶體管體積小,電阻也小,沒有活動(dòng)部件(因此損耗很小),并且可靠,幾乎不發(fā)熱。晶體管的發(fā)明,使得電子電路的研究空前活躍,晶體管性能,尺寸和可靠性的新發(fā)展幾乎每個(gè)月都會(huì)發(fā)生。
集成電路
德州儀器(Texas Instruments)的杰克基爾比(Jack Kilby)是世界上第一個(gè)向世界展示將很多這些晶體管放在單個(gè)晶圓(硅片)上的人之一。1959年,他為第一個(gè)IC或集成電路申請(qǐng)了專利。到了20世紀(jì)60年代,晶體管變得越來越小,我們制造復(fù)雜的IC并構(gòu)建更快,更小的"計(jì)算機(jī)"。
摩爾定律
上世紀(jì)五十年年代,飛兆半導(dǎo)體和英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾(Gordon Moore)發(fā)表了一篇論文,指出每個(gè)集成電路的元件數(shù)量將在未來十年每年增加一倍。1975年,他回顧了他的預(yù)測(cè),并表示組件的數(shù)量現(xiàn)在每兩年增加一倍。這就是著名的摩爾定律。
幾十年來摩爾定律一直被驗(yàn)證是正確的。而且摩爾定律一直在指導(dǎo)芯片制造和設(shè)計(jì)。英特爾和AMD的研究人員一直以來都是根據(jù)摩爾定律設(shè)定目標(biāo)和指標(biāo)。由于摩爾定律迫使芯片設(shè)計(jì)的長足發(fā),計(jì)算機(jī)也變得越來越小。摩爾定律不僅僅是一種預(yù)測(cè),它已成為制造商旨在實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)和標(biāo)準(zhǔn)。以下是摩爾定律的一些實(shí)證:
1971年第一個(gè)半導(dǎo)體工藝之一是10微米(或者比一米小10萬倍)。到2001年,它是130納米,比1971年小近80倍。
截至2017年,最小的晶體管工藝為10納米,相比較人頭發(fā)直徑是100微米,比今晶體管大近10,000倍。
摩爾定律危機(jī)
隨著大規(guī)模電路發(fā)展,晶體管越來越小,集成數(shù)量成幾何級(jí)增加,其制造工藝卻越來越難了。克服這些技術(shù)和工藝壁壘不僅需要大量的時(shí)間和研究,還需要大量的資金和投資。因此,摩爾定律也中的時(shí)間也逐漸放緩,甚至可它可能會(huì)很快不成立,摩爾定律危機(jī)爆發(fā)(當(dāng)然如果沒有巨大變革這是必然的)。
英特爾花了大約兩年半的時(shí)間才從2012年的22納米工藝發(fā)展到2014年的14納米工藝,之后10納米的研究和開發(fā)一直就問題不斷,多次延遲,可能要到2019年才能上市,不過好消息是AMD 7納米的顯卡和CPU會(huì)在2019年上市(見蟲蟲最近一篇文章《AMD未來產(chǎn)品展望...》)。因?yàn)槟柖刹皇钦嬲亩?,只是一種預(yù)測(cè)或推測(cè)。盡管芯片制造商一直致力于實(shí)現(xiàn)并保持目標(biāo),但這樣做變得越來越困難。
援引摩爾本人2015年的話:"我認(rèn)為摩爾定律將在未來十年左右在消亡"。
量子隧穿
隨著電子元件越來越小(納米級(jí)),量子特性和效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)。隨著我們不斷減小晶體管的尺寸,其Pn結(jié)耗盡層的尺寸也越來減小。耗盡層非常重要,用于阻止電子的流動(dòng)。研究人員通過計(jì)算得出,由于電子在其耗盡區(qū)中的隧道效應(yīng),小于5nm的晶體管將無法阻止電子流動(dòng)。由于隧穿,電子將不會(huì)感知耗盡區(qū)域,直接 "跨穿"。如果不能阻止電子流動(dòng),晶體管就會(huì)失效。
此外,我們現(xiàn)在正在慢慢接近原子本身的大小,理論上我們不能建立一個(gè)比原子小的晶體管。硅原子的直徑約為1納米,現(xiàn)在我們制造的晶體管的柵極尺寸約為該尺寸的10倍。就算是不考慮量子效應(yīng)的??,我們也將達(dá)到晶體管的物理極限,無法做到更小。
電流和加熱效應(yīng)
除了量子隧穿和物理極限,還有兩個(gè)很制約的工藝問題,那就是晶體管小尺寸的加熱效應(yīng)。隨著晶體管變小,晶體管往往會(huì)變得更"漏",即使在OFF狀態(tài)下。也不可避免要讓一些電流通過。這稱為漏電流。如果我們將漏電流設(shè)為100 nA如果CPU有1億個(gè)晶體管,那么泄漏電流將為10A。這將在幾分鐘內(nèi)耗盡手機(jī)電池。較高的柵極電壓可以減少漏電流量,但這會(huì)導(dǎo)致更多的加熱效應(yīng)。即使不考慮到它,每個(gè)時(shí)鐘計(jì)算本身也消耗了大量的熱量。制造商必須使用這些屬性并使它們恰到好處地防止這些影響。隨著流程變得越來越小,工藝越來越難。
高漏電流還會(huì)導(dǎo)致暗硅和暗記憶的問題。即使我們芯片中可能有很多晶體管,但大多數(shù)晶體管必須保持關(guān)斷以防止芯片過熱和熔化。所有這些OFF狀態(tài)的晶體管大量占用了可用于放置其他元件的空間。這導(dǎo)致一個(gè)問題:我們真的需要更小,還是我們改進(jìn)現(xiàn)有的芯片設(shè)計(jì)?
未來展望
5納米設(shè)計(jì)
考慮到所有這些因素,英特爾首席執(zhí)行官和國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖表示,5納米可能是能達(dá)到的最極限尺寸。預(yù)計(jì)5納米將在2021年首次亮相。那么在那之后我們還能期待什么呢?
Dennard's Scaling-Dennard Scaling被認(rèn)為是摩爾定律的姊妹法。它由Robert Dennard于1974年制定,并指出隨著晶體管變小,它們的功率密度也會(huì)降低。這意味著隨著晶體管變小,操作它們所需的電壓和電流量也將減少。這個(gè)定律允許制造商減少晶體管的尺寸,并通過每次迭代的大幅跳躍來提高時(shí)鐘速度。然而在2007年左右,Dennard的Scaling崩潰了。這是因?yàn)樵谳^小的尺寸下,泄漏電流會(huì)導(dǎo)致晶體管升溫并產(chǎn)生進(jìn)一步的損耗。
我們可能已經(jīng)注意到,盡管晶體管變得更小,但是在過去十年中CPU計(jì)算速率并沒有上升,這是由于Dennard Scaling崩潰。高時(shí)鐘速率下的高損耗也是智能手機(jī)芯片使用較低時(shí)鐘速度(通常為1.5 GHz)的原因。
庫梅定律
通過改進(jìn)當(dāng)前的芯片實(shí)現(xiàn)并具有更好的指令流水線,我們可以改善芯片的性能。所以斯坦福的教授喬納森·庫梅提出了庫梅(Koomey)定律:每焦耳能量的計(jì)算次數(shù)將每1.5年翻一番。預(yù)計(jì)這種情況將持續(xù)到2048年,屆時(shí)Landauer的原理和熱力學(xué)簡單定律將阻止進(jìn)一步的改進(jìn)。目前,Landauer Limits的計(jì)算機(jī)效率約為0.00001%。
多核架構(gòu)
傳統(tǒng)的編程語言(如Java,C ++和Python)只能在單個(gè)設(shè)備上運(yùn)行。但隨著設(shè)備變得越來越小和越來越便宜,我們可以在許多芯片上同時(shí)或并行地運(yùn)行相同的程序,從而進(jìn)一步提高性能。在這方面,像Golang,Node這樣的語言將扮演更重要的角色。
新材料研究
世界各地的研究人員正在尋找更新,更創(chuàng)新的方法來制造更小更快的晶體管。已經(jīng)證明,氮化鎵和石墨烯等材料在更快的開關(guān)頻率下具有更小的損耗。
量子計(jì)算
目前來來最可能解決方案是發(fā)展量子計(jì)算(Quantum Computers)。像D-Wave和Rigetti Computing這樣的公司正在這個(gè)領(lǐng)域廣泛開展工作,更重要的是,擴(kuò)展Qubits的定律還沒有開始。繞過Dennard Scaling的方法是在單個(gè)芯片中放置更多內(nèi)核以提高性能。目前量子計(jì)算已經(jīng)顯示出巨大的前景,它的優(yōu)勢(shì)是一次可以擁有多個(gè)個(gè)狀態(tài)(與其他計(jì)算機(jī)0,1不同)。目前已經(jīng)有些實(shí)驗(yàn)性質(zhì)的量子計(jì)算已經(jīng)取得很好的成果,比如基于量子技術(shù)的真正的隨機(jī)數(shù)算法已經(jīng)成功。