還記得我們之前報道過的ReRAM（可變電阻式記憶體）嗎？不記得的話也沒有關(guān)系，你只要知道兩點就行了：它的速度要遠高于NAND型閃存；Elpida、夏普、松下這些廠商已經(jīng)將此項技術(shù)運用到自己的芯片產(chǎn)品中去了。而最近來自倫敦大學學院（UniversityCollegeLondon）的一項研究成果更是讓我們看到了ReRAM美好的未來。那里的研究者制造了一種芯片，其速度可達普通閃存的100倍。它由二氧化硅（siliconoxide）制成，因此芯片的電阻表現(xiàn)更佳，另外因為其不需要真空生產(chǎn)，所以造價也比較便宜。除了比閃存速度更快之外，藉助其對各種傳導率的適應能力這款晶片也可以被當做憶阻器使用。另外在數(shù)據(jù)處理和任務儲存方面，它同樣也是一把好手。研究者們希望能憑藉這項技術(shù)開拓二氧化硅CPU市場，除此之外他們也已經(jīng)將此設計運用到了移動設備透明記憶晶片的開發(fā)當中。