局部放電（partial discharge，簡(jiǎn)稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響，輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小，絕緣強(qiáng)度的下降較慢；而強(qiáng)烈的局部放電，則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。
德國(guó)慕尼黑 - 2021年10月27日 - 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出首款汽車電流傳感器——全新XENSIV? TLE4972。這款無磁芯電流傳感器采用英飛凌久經(jīng)考驗(yàn)的霍爾技術(shù)，可用于精確和穩(wěn)定的電流測(cè)量。憑借其緊湊型設(shè)計(jì)和診斷模式，TLE4972是用于混合動(dòng)力汽車和電池驅(qū)動(dòng)汽車的牽引逆變器等xEV應(yīng)用、以及電池主開關(guān)的理想選擇。
慕尼黑和加州圣何塞--2021年10月21日--移動(dòng)出行、能效和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天宣布與非營(yíng)利組織Rainforest Connection(RFCx)達(dá)成合作，利用聲學(xué)技術(shù)、大數(shù)據(jù)和人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)來拯救雨林和監(jiān)測(cè)生物多樣性。在這個(gè)合作項(xiàng)目中，RFCx將嘗試使用英飛凌的氣體傳感技術(shù)來提升和擴(kuò)展其目前用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)脆弱的雨林生態(tài)系統(tǒng)的聲學(xué)監(jiān)聽設(shè)備的能力。這包括監(jiān)測(cè)靈長(zhǎng)類動(dòng)物、鳥類、青蛙、昆蟲、蝙蝠和其他生物，并通過這項(xiàng)合作來保護(hù)森林免受非法采伐及火災(zāi)的種種威脅。
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計(jì)中，采用硅材料的功率晶體要達(dá)到低通態(tài)電阻，必須采用超級(jí)結(jié)技術(shù)（superjunction），利用電荷補(bǔ)償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場(chǎng)分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。但是采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的高壓功率晶體，其最大耐壓都在1000V以下。如果要能夠耐更高的電壓，就必須采用碳化硅材料來制造功率晶體。以碳化硅為材料的功率晶體，在碳化硅的高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度之下，即使相同耐壓條件之下，其磊晶層的厚度約為硅材料的1/10，進(jìn)而其所造成的通態(tài)電阻能夠有效被降低，達(dá)到高耐壓低通態(tài)電阻的基本要求。
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓?fù)涫?PFC 最常見的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無橋型，才能進(jìn)一步減少器件使用，減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其控制法亦趨于成熟。
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
【2021年9月17日，德國(guó)慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。
英飛凌的產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)于維持全球供應(yīng)鏈穩(wěn)定具有里程碑式的意義！
作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識(shí)到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
【2021年9月8日，德國(guó)慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產(chǎn)第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中國(guó)上海訊——9月27日，為期三天的深圳國(guó)際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開幕。
【2021年9月7日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國(guó)慕尼黑訊】在電力電子和半導(dǎo)體市場(chǎng)，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢(shì)頭越來越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
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