Fairchild 于今日宣布將在2016 Tech Shanghai行業(yè)技術(shù)論壇上介紹其高效電源解決方案。該電源管理及功率器件技術(shù)論壇將于3月15日在上?？鐕?guó)采購(gòu)會(huì)展中心舉行。

Tech Shanghai電源管理及功率器件技術(shù)論壇詳情：

日期：2016年3月15日

時(shí)間：上午10:40

主題：Fairchild 高效電源解決方案

本次主題將介紹 Fairchild 采用高效率高密度功率設(shè)計(jì)的分立式半導(dǎo)體解決方案，用于諸如電信、服務(wù)器、UPS、逆變器、能源存儲(chǔ)、EV 充電器等應(yīng)用。新解決方案是持續(xù)開發(fā)工藝和封裝技術(shù)的成果。本次演講將展示 Fairchild SuperFET® III、IGBT 和功率趨勢(shì)產(chǎn)品的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，有助于系統(tǒng)工程人員實(shí)現(xiàn)高效率和高密度設(shè)計(jì)的目標(biāo)。

研討會(huì)注冊(cè)連結(jié)：https://www.fairchildsemi.com.cn/about/events/

另外，Tech Shanghai 技術(shù)活動(dòng)還包括有展覽會(huì)部份，F(xiàn)airchild 將于其展位展示最新的解決方案。

Tech Shanghai展會(huì)詳情:

日期： 2016年3月14日-16日

展會(huì)地點(diǎn)： 上海跨國(guó)采購(gòu)會(huì)展中心 (上海市普陀區(qū)中江路35號(hào))

展位號(hào)： A06

Fairchild最新的高性能解決方案:

• Grid to Wall – 智能電表, 離線建筑自動(dòng)化, 離線服務(wù)器電源

• 100V FET 技術(shù) – 最新方案

• Double Pulse – FS4 IGBT + 1200V 高性能碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 二極管展示

• 先進(jìn)封裝技術(shù) – Motion SPM®模塊, MOSFET

請(qǐng)?jiān)L問Fairchild展位，與電源技術(shù)專家進(jìn)行交流。參觀者還可得到Fairchild最新的產(chǎn)品資料及精美紀(jì)念品 (送完即止)!