TI 新款SWIFT 降壓轉(zhuǎn)換器滿足強(qiáng)電流應(yīng)用需求
在通信和工業(yè)領(lǐng)域,板裝電源通常有很多電路,需要更高的功率密度和電源效率,尤其是那些在更強(qiáng)電流下工作的系統(tǒng)。德州儀器 (TI)推出15 A 與 25 A SWIFT™ 降壓轉(zhuǎn)換器TPS56121和TPS56221,將其SWIFT 系列產(chǎn)品延伸至更強(qiáng)電流應(yīng)用的領(lǐng)域,又可幫助工程師在功率密度、效率以及熱管理設(shè)計方面有所突破,為終端設(shè)備實現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性。
這兩款產(chǎn)品具有超高的效率和極低的功率損耗,4.5 V~14 V 輸入電壓時,在 25 A 與15 A 峰值負(fù)載電流下,效率可超過 90%。集成 NexFET,實現(xiàn)了更高的工作頻率及更低的輸出紋波。
25 A,14 V 的TPS56221簡單易用,與 SWIFT 開關(guān)轉(zhuǎn)換器同步,可在12 V 輸入至 1.3 V 輸出的高負(fù)載條件下,同時實現(xiàn)超過 200W/in3的功率密度以及超過 90% 的效率,從而可在 500 kHz 開關(guān)頻率下提供高達(dá) 25 A 的持續(xù)輸出電流。
TPS56121 15 A、14 V 同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比,不但可在 5 V 輸入至 1.2 V 輸出下將效率提高 3%,而且還可將開關(guān)速度提高 2 倍。
TPS56221 與 TPS56121 采用熱增強(qiáng)型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝,尺寸比其它分立式解決方案小 30% ,僅為 315 mm2。該封裝有一個PowerPad™ 散熱焊盤,易于焊接。樣片與評估板已于 3 月底面市。
SWIFT 轉(zhuǎn)換器除了具備強(qiáng)電流性能之外,TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強(qiáng)電流下實現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點設(shè)計。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝,支持高達(dá) 1.5 MHz 的頻率,可降低熱阻抗并簡化布局。CSD86350Q5D在 25 A 電流下效率超過 90%,且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結(jié)合,在保持整個負(fù)載高效率的同時,支持多相位設(shè)計;其電流可擴(kuò)展至 50 A、100 A 以及更高。