在通信和工業(yè)領(lǐng)域，板裝電源通常有很多電路，需要更高的功率密度和電源效率，尤其是那些在更強(qiáng)電流下工作的系統(tǒng)。德州儀器 (TI)推出15 A 與 25 A SWIFT™ 降壓轉(zhuǎn)換器TPS56121和TPS56221，將其SWIFT 系列產(chǎn)品延伸至更強(qiáng)電流應(yīng)用的領(lǐng)域，又可幫助工程師在功率密度、效率以及熱管理設(shè)計(jì)方面有所突破，為終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的可靠性。

這兩款產(chǎn)品具有超高的效率和極低的功率損耗，4.5 V～14 V 輸入電壓時(shí)，在 25 A 與15 A 峰值負(fù)載電流下，效率可超過 90%。集成 NexFET，實(shí)現(xiàn)了更高的工作頻率及更低的輸出紋波。

25 A，14 V 的TPS56221簡(jiǎn)單易用，與 SWIFT 開關(guān)轉(zhuǎn)換器同步，可在12 V 輸入至 1.3 V 輸出的高負(fù)載條件下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過 200W/in3的功率密度以及超過 90% 的效率，從而可在 500 kHz 開關(guān)頻率下提供高達(dá) 25 A 的持續(xù)輸出電流。

TPS56121 15 A、14 V 同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比，不但可在 5 V 輸入至 1.2 V 輸出下將效率提高 3%，而且還可將開關(guān)速度提高 2 倍。

TPS56221 與 TPS56121 采用熱增強(qiáng)型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝，尺寸比其它分立式解決方案小 30% ，僅為 315 mm2。該封裝有一個(gè)PowerPad™ 散熱焊盤，易于焊接。樣片與評(píng)估板已于 3 月底面市。

SWIFT 轉(zhuǎn)換器除了具備強(qiáng)電流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率塊還可在更強(qiáng)電流下實(shí)現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆棧型 MOSFET 采用接地引線框架 SON 封裝，支持高達(dá) 1.5 MHz 的頻率，可降低熱阻抗并簡(jiǎn)化布局。CSD86350Q5D在 25 A 電流下效率超過 90%，且還能與 TI 的 TPS40140 堆棧控制器相結(jié)合，在保持整個(gè)負(fù)載高效率的同時(shí)，支持多相位設(shè)計(jì)；其電流可擴(kuò)展至 50 A、100 A 以及更高。