根據(jù)媒體報(bào)道，在半導(dǎo)體采購(gòu)方面，采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了。半導(dǎo)體的微細(xì)化、中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起、立體化這這三方面為半導(dǎo)體行業(yè)的提供了強(qiáng)勁的活力。

在日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的信息中，訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報(bào)值)自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過(guò)30%。為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(zhǎng)30.8%。

8月，半導(dǎo)體設(shè)備的訂單出貨比(B/B值，訂單金額除以出貨金額)為1.18，連續(xù)9個(gè)月高于榮枯線1。產(chǎn)品剛賣出去就有更多新訂單進(jìn)來(lái)，這樣的狀態(tài)一直持續(xù)。

報(bào)道稱，產(chǎn)生這種狀況的原因主要有以下幾點(diǎn)：

首先是半導(dǎo)體電路的微細(xì)化。在尖端領(lǐng)域，能夠一次性將細(xì)微電路寫入硅片的EUV光刻(極紫外光刻)技術(shù)還有待發(fā)展，目前通過(guò)反復(fù)操作來(lái)制成細(xì)微電路，成膜設(shè)備和腐蝕設(shè)備也在增加。半導(dǎo)體電路迎來(lái)電路線寬由10多納米到7至10納米的過(guò)渡期。

其中一個(gè)主要原因還來(lái)源于是中國(guó)，目前中國(guó)政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定位為支柱產(chǎn)業(yè)，與此同時(shí)也在積極的推動(dòng)外資廠商投資。例如中國(guó)紫光集團(tuán)將新建一家大型存儲(chǔ)器工廠，預(yù)計(jì)從現(xiàn)在到2020年的五年期間，總投資額將達(dá)到5萬(wàn)億日元(約合人民幣 3320億元)，是過(guò)去5年的2倍以上。

再有原因則是半導(dǎo)體電路的立體化。服務(wù)器等使用的存儲(chǔ)設(shè)備現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始采用3D垂直堆疊NAND存儲(chǔ)設(shè)備。與傳統(tǒng)的平面存儲(chǔ)設(shè)備相比，這種立體設(shè)備能增加單位大小芯片的存儲(chǔ)量。韓國(guó)三星電子、美國(guó)微軟、日本東芝均在增加生產(chǎn)設(shè)備。

以上三種原因正在改變市場(chǎng)，某外資廠商的日本法人社長(zhǎng)認(rèn)為“在中國(guó)的信息收集能力決定著訂貨量的多少”。在半導(dǎo)體微細(xì)化和立體化對(duì)設(shè)備的技術(shù)要求有所提高的前提下，有可能拉大設(shè)備制造企業(yè)之間的差距。今后，很大可能技術(shù)將成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商們?cè)谑袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的決定因素。