電荷泵升壓電路及其工作方法解析
電荷泵的工作過(guò)程為:首先貯存能量,然后以受控方式釋放能量,獲得所需的輸出電壓。開關(guān)式調(diào)整器升壓泵采用電感器來(lái)貯存能量,而電容式電荷泵采用電容器來(lái)貯存能量。電容式電荷泵通過(guò)開關(guān)陣列和振蕩器、邏輯電路、比較控制器實(shí)現(xiàn)電壓提升,采用電容器來(lái)貯存能量。因工作在較高頻率,可使用小型陶瓷電容器(1μF),其占用空間最小,使用成本較低。電荷泵轉(zhuǎn)換器不使用電感器,因此其輻射EMI可以忽略。輸入端噪聲可用一只小型電容器濾除。電荷泵十分適用于便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì),如蜂窩式電話、尋呼機(jī)、藍(lán)牙系統(tǒng)和便攜式電子設(shè)備。
1、電荷泵電路工作原理分析與設(shè)計(jì)電荷泵也稱為開關(guān)電容式電壓變換器,是一種利用所謂的“快速”(Flying)或“泵送”電容(而非電感或變壓器)來(lái)儲(chǔ)能的DC-DC(變換器)。它們能使輸入電壓升高或降低,也可以用于產(chǎn)生負(fù)電壓。其內(nèi)部的FET開關(guān)陣列以一定方式控制快速電容器的充電和放電,從而使輸入電壓以一定因數(shù)(0.5,2或3)倍增或降低,從而得到所需要的輸出電壓。這種特別的調(diào)制過(guò)程可以保證高達(dá)80%的效率,而且只需外接陶瓷電容。由于電路是開關(guān)工作的,電荷泵結(jié)構(gòu)也會(huì)產(chǎn)生一定的輸出紋波和EMI(電磁干擾)。
電荷泵通過(guò)控制泵電容及調(diào)節(jié)開關(guān)來(lái)保持穩(wěn)定的輸出電壓,電荷泵開關(guān)網(wǎng)絡(luò)在泵電容充電和放電變換周期內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)泵電容的并行或串行排列。在給定的輸入、輸出條件(差分電壓)下,應(yīng)選擇電荷泵的最優(yōu)工作模式以保持要求的輸出電壓。電荷泵開關(guān)網(wǎng)絡(luò)采用的MOSFET器件具有尺寸小,成本低,開關(guān)速度快,損耗最低等特點(diǎn)。
2、電荷泵電路研究與設(shè)計(jì)2.1、比較升壓電路由于本設(shè)計(jì)采用Vcom是恒定電壓、M2管柵極接脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路工作,因此要求激勵(lì)信號(hào)要以中心電位為基準(zhǔn),交替的輸出低電平和高電平信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)探頭的周期性過(guò)飽和工作狀態(tài),本設(shè)計(jì)以0V作為地電位,5V作為高電位,因此選用比較器電路進(jìn)行升壓。
其電路如圖1所示,脈沖信號(hào)接入比較器一端,另一端接入2.5V直流電平進(jìn)行比較。當(dāng)輸入0V低電平時(shí),比較器輸出高電壓5V,反之,則輸出0V地電壓。比較器高電平接5V直流電壓,低電平接地。升壓電路在實(shí)現(xiàn)邏輯功能的基礎(chǔ)之上還要求輸出具有較大的壓擺率,以增加高低電平的轉(zhuǎn)換速度。晶體管M10~M13構(gòu)成兩級(jí)反相器來(lái)增大電路的壓擺率。
圖1比較器升壓電路
此電路圖由三部分組成:一級(jí)運(yùn)算放大電路、二級(jí)運(yùn)算放大電路和偏置電路。
此電路圖由7個(gè)pmos和6個(gè)nmos管組成,其中M1~M5構(gòu)成一級(jí)運(yùn)算,M7~M8構(gòu)成二級(jí)運(yùn)算,放大電路,M10~M13倆組反相器。M5、M9有共同的源極和柵極,導(dǎo)致他們電流大小的和與M7的寬長(zhǎng)比值成比例。M10~M13作用:由于二級(jí)運(yùn)算放大器輸出的是模擬信號(hào),在Vmin和Vmax之間變化,M10、M11組成的反相器使輸出中間值變得更加準(zhǔn)確。M12、M13組成的反相器使轉(zhuǎn)化的更加明顯和到位。同時(shí)晶體管M10~M13構(gòu)成兩級(jí)反相器來(lái)增大電路的壓擺率。
設(shè)計(jì)參數(shù)計(jì)算是此電路圖設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵步驟。此電路圖電流源IS=400μA,Vdd=5V,Vcom=1.4V,M2輸入是階躍信號(hào),Vmax=2.5V,Vmin=1V。其中M7與電流源串聯(lián),所以通過(guò)M7的電流也是IS,M5的柵極與M7的柵極相連接,且M7和M5的源極都是接地的,所以通過(guò)M5的電流也是IS。一級(jí)放大電路中M1,M3與M2,M4是并聯(lián),所以通過(guò)M1和M3的電流與通過(guò)M2和M4的電流大小相等都是IS/2;M10與M11一組,M12與M13一組,只要符合反相器電路設(shè)計(jì)就可以實(shí)現(xiàn)電路功能。
2.2、帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)思路圖2電路的等效結(jié)構(gòu)圖
為了提高高頻時(shí)基準(zhǔn)源的抑制比,該電路在基準(zhǔn)源輸出端增加RC濾波器,考慮到電容會(huì)延長(zhǎng)電路的啟動(dòng)時(shí)間,電路中還加入了給電容充放電的快速啟動(dòng)電路和快速啟動(dòng)電路控制電路,一旦啟動(dòng)完成,快速啟動(dòng)電路控制電路關(guān)閉快速啟動(dòng)電路。電路的等效結(jié)構(gòu)如圖2所示。在該電路中,快速啟動(dòng)電路的控制電路是一個(gè)檢測(cè)基準(zhǔn)源輸出端電壓是否達(dá)到穩(wěn)定值的判斷電路,同時(shí)還起到溫度補(bǔ)償?shù)淖饔?,在沒(méi)有增加電路復(fù)雜性情況下使基準(zhǔn)源的輸出具有很好的溫度特性。帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)際電路圖如圖3所示。
圖3帶隙基準(zhǔn)源實(shí)際電路圖
2.2.2、核心電路
帶隙基準(zhǔn)源實(shí)際電路圖的核心電路是使用兩管式帶隙基準(zhǔn)電壓源,它是設(shè)計(jì)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的核心,是進(jìn)行下一步設(shè)計(jì)的必備步驟,設(shè)計(jì)如圖4所示。
在圖4中,QN6、QN7兩管的發(fā)射極面積不等,QN7比QN6大,其比值為8∶1,它們的基極連在一起。QN6、QN7分別有QP7、QP6組成的鏡像電流源作集電極有源負(fù)載,兩管集電極電流相等。
圖4核心電路
因QN6、QN7的發(fā)射極面積不同,所以兩管的實(shí)際電流密度JN6和JN7也就不相等。它們的VBE電壓之差ΔVBE加在電阻R2,ΔVBE由下式求出:
由圖可知,流過(guò)QN6和QN7兩管的電流相等,同時(shí)電阻R1的電流量是它們之和,所以流過(guò)R2的電流是R1的1/2,流過(guò)R2的電流IN7為:
2.2.3、增強(qiáng)電源抑制比電路帶隙基準(zhǔn)電壓源,在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中一般采用運(yùn)算放大器來(lái)穩(wěn)定電路,同時(shí)提高電源抑制比,但運(yùn)算放大器高失調(diào)的缺陷限制了電源抑制比的進(jìn)一步提高。并且當(dāng)電源電壓有頻率較高的交流信號(hào)干擾時(shí),放大器的輸出會(huì)與電源電壓有很明顯的相位差,導(dǎo)致VREF高頻時(shí)電源抑制比很低。如圖5所示,為了避免放大器的缺陷,本文采用內(nèi)部負(fù)反饋電路來(lái)提高VREF在低頻時(shí)的電源抑制比。另外在電路輸出端增加了一個(gè)RC濾波器,用來(lái)提高VREF在高頻時(shí)的電源抑制比。
圖5核心電路和提高電源抑制比電路
2.2.4、快速啟動(dòng)電路
快速啟動(dòng)電路如圖6所示,當(dāng)基準(zhǔn)源輸出沒(méi)有到預(yù)定值而被控制電路檢測(cè)到后,會(huì)輸出高電平,N42柵電壓為高電平,N42導(dǎo)通,同時(shí)使P8柵電壓降低,P8導(dǎo)通,對(duì)電容C2充電;當(dāng)快速啟動(dòng)電路檢測(cè)到C2電容電壓到預(yù)定值,低電平輸出,從而關(guān)斷快速啟動(dòng)電路,切斷充電電流。
圖6快速啟動(dòng)電路
3、總結(jié)本文設(shè)計(jì)了一種低功耗電荷泵DC/DC轉(zhuǎn)換電路,并對(duì)其主要的比較器升壓電路和帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了仔細(xì)的設(shè)計(jì)和仿真。其電路如圖1所示,脈沖信號(hào)接入比較器一端,另一端接入2.5V直流電平進(jìn)行比較。當(dāng)輸入0V低電平時(shí),比較器輸出高電壓5V,反之,則輸出0V地電壓。比較器高電平接5V直流電壓,低電平接地。升壓電路在實(shí)現(xiàn)邏輯功能的基礎(chǔ)之上還要求輸出具有較大的壓擺率,以增加高低電平的轉(zhuǎn)換速度。晶體管M10~M13構(gòu)成兩級(jí)反相器來(lái)增大電路的壓擺率。