圖 8中的電路大大簡化了先前電路的環(huán)路動態(tài),并消除了所有交流微調(diào)。主要的權(quán)衡是速度減半。該電路類似于圖 6中的電路,不同之處在于 Q 1是雙極晶體管。雙極型大大降低的輸入電容允許 A 1驅(qū)動更良性的負載。這種方法允許您使用具有較低輸出電流的放大器,并消除了適應(yīng)圖 6的 FET 柵極電容所需的動態(tài)調(diào)整。唯一的調(diào)整是 1-mV 調(diào)整,您按照描述完成。
半導(dǎo)體存儲器、讀卡器、微處理器、磁盤驅(qū)動器、壓電設(shè)備和數(shù)字系統(tǒng)會產(chǎn)生電壓調(diào)節(jié)器必須服務(wù)的瞬態(tài)負載。理想情況下,穩(wěn)壓器輸出在負載瞬態(tài)期間是不變的。然而,在實踐中,會發(fā)生一些變化,如果系統(tǒng)超出其允許的工作電壓容差,這種變化就會成為問題。這個問題要求測試穩(wěn)壓器及其相關(guān)的支持組件,以驗證在瞬態(tài)負載條件下所需的性能。您可以使用各種方法來生成瞬態(tài)負載并允許觀察調(diào)節(jié)器響應(yīng)。
本教程說明了使用不同設(shè)備驅(qū)動電阻負載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在相同電源電壓和負載阻抗的情況下哪個電子開關(guān)效率最高。
由于設(shè)計和實現(xiàn)輕量級屏蔽以降低敏感汽車電子設(shè)備和系統(tǒng)的 EMI 是一項挑戰(zhàn),因此已經(jīng)嘗試通過在基板中插入導(dǎo)電網(wǎng)來提高塑料和復(fù)合材料等輕質(zhì)材料的屏蔽性能,在注塑成型之前使用導(dǎo)電添加劑和填料,以及使用導(dǎo)電涂料。在這些技術(shù)中,使用導(dǎo)電涂層是最有前途的。
FoF EMI 墊片提供高導(dǎo)電性和屏蔽衰減,非常適合需要低壓縮力的應(yīng)用。FoF 型材提供 UL 94V0 阻燃版本,并提供高耐磨和抗剪切性。典型的 FoF EMI 墊片應(yīng)用包括汽車電子設(shè)備接縫和孔的屏蔽或接地。
EMC 可以從不同的設(shè)計層次來實現(xiàn),例如從芯片級集成設(shè)計、PCB、模塊或外殼、互連到軟件控制。根據(jù)特定系統(tǒng)、其電子設(shè)計和干擾源的類型,已經(jīng)針對各種 EMI 問題開發(fā)了不同的設(shè)計技術(shù)。
汽車電子系統(tǒng)的進步導(dǎo)致對 EMC 和 EMI 屏蔽設(shè)計的要求越來越嚴格。機械和電氣設(shè)計接口具有挑戰(zhàn)性,特別是對于新產(chǎn)品開發(fā)而言,必須做出關(guān)鍵的早期設(shè)計決策,或者假設(shè)可以通過良好的電子設(shè)計來實現(xiàn) EMC 以消除對 EMI 屏蔽的需求,或者預(yù)計包含EMI屏蔽。此外,應(yīng)優(yōu)化EMI屏蔽設(shè)計,以盡可能低的成本滿足EMC要求。這也增加了選擇正確的 EMI 屏蔽材料和開發(fā)用于 EMI 屏蔽應(yīng)用的新材料的需求 。
隨著技術(shù)的進步,在汽車中安裝大量電氣和電子系統(tǒng)的需求急劇增加。僅舉幾例,這些系統(tǒng)包括控制區(qū)域網(wǎng)絡(luò) (CAN)、安全系統(tǒng)、通信、移動媒體、信息娛樂系統(tǒng),包括無線耳機、直流電機和控制器。由于汽車設(shè)計涉及的尺寸和重量限制,這些系統(tǒng)的物理尺寸大大減小。這些系統(tǒng)可能很小,但這并不一定意味著它們的電磁輻射也很小。
電磁干擾 (EMI) 被譽為電源設(shè)計中最困難的方面之一。我認為這種聲譽在很大程度上來自這樣一個事實,即大多數(shù)與 EMI 相關(guān)的挑戰(zhàn)并不是通過查看原理圖就能解決的問題。這可能令人沮喪,因為原理圖是工程師了解電路功能的中心位置。當(dāng)然,您知道設(shè)計中有一些不在原理圖中的相關(guān)功能——比如代碼。
制造清潔度具有令人難以置信的好處,這對于制作優(yōu)質(zhì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。今天,很少有行業(yè)像電子制造那樣對日常生活至關(guān)重要。每個人都依賴于筆記本電腦、手機、智能手表、汽車和無數(shù)其他設(shè)備的供應(yīng)鏈。
電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個問題。這個由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對汽車、醫(yī)療、植入式和空間應(yīng)用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中,我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。
BJT是所有電子元件之王,它改變了電子技術(shù)的進程。晶體管_也可以是一個功率元件,并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號晶體管不同的技術(shù)制造,但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此,需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動功率晶體管。
在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長,尤其是在高功率時。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù),使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件,這個問題已大大減少。在任何情況下,表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。
基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢,碳化硅(SiC)近年來在市場上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用,電子開關(guān)的靜態(tài)和動態(tài)電氣特性得到了顯著改善。
如前幾篇文章所述,大電流流經(jīng)電纜和高截面連接。需要能夠承受高電流強度而不會損壞自身或在極高溫度下運行的特殊電子元件,以便切換、控制或轉(zhuǎn)移該電流。電力電子元件是靜態(tài)半導(dǎo)體器件,可以控制微弱的控制信號以產(chǎn)生高輸出功率。