隨著內(nèi)存容量的不斷增大，單條內(nèi)存上如何集成更多的顆粒成了問題，在容量要求更高的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域這一問題愈發(fā)嚴(yán)重。在日前舉行的高質(zhì)量電子設(shè)計(jì)國(guó)際研討會(huì)(ISQED)上，Invensas半導(dǎo)體提出了一種名為xFD的新型內(nèi)存封裝技術(shù)試圖解決這個(gè)問題。

xFD全稱為multi Face Down，是一種新的多芯片封裝技術(shù)，Invensas副總兼CTO Richard Crisp在會(huì)上宣布，xFD具有體積小、性能高、成本低等優(yōu)勢(shì)。

▲xFD封裝的芯片

xFD封裝的芯片占地面積只有傳統(tǒng)封裝的一半，因此xFD的厚度減少了30%。此外，由于采用了超短的獨(dú)立連接，多芯片封裝的性能與單芯片相當(dāng)，性能有保證，而xFD封裝所用的材料成本更低，對(duì)工廠來世也可以節(jié)約開支。

xFD只是個(gè)統(tǒng)稱，典型的產(chǎn)品配置主要有以下兩種：

▲xFD技術(shù)

DFD™：Dual Face Down，單個(gè)封裝內(nèi)有兩顆芯片，可以是x4、x8或者x16配置，其中x4及x8配的體積為11.5x11.5mm，104 BGA封裝，x16配置的體積為11.5x14mm，136 BGA封裝。

QFD™：Quad Face Down，每個(gè)封裝內(nèi)有四顆芯片，x8或者x16配置，容量更高，體積增大為16.2x16.2mm，256 BGA封裝。

Invensas表示已經(jīng)和內(nèi)存廠商達(dá)成交易準(zhǔn)備將xFD用在主流市場(chǎng)上，不過他們也沒有說明具體什么時(shí)候和那些廠商會(huì)推出xFD內(nèi)存，目前只知道去年10月份Nanium和他們達(dá)成了交易。不過這項(xiàng)技術(shù)主要應(yīng)用在對(duì)容量要求較高的服務(wù)器市場(chǎng)，民用DDR3內(nèi)存的主流是單條2GB以及4GB，單條8GB還稀少的很，估計(jì)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)都用不到xFD封裝。