英特爾高管：未來凌動芯片能耗將低于ARM
[導讀]英特爾高管：未來凌動芯片能耗將低于ARM
英特爾首席技術官賈斯汀當?shù)貢r間周二表示，該公司新一代凌動芯片的能耗將與ARM架構芯片相當，未來產(chǎn)品的能耗將低于后者。
賈斯汀在接受采訪時說，Moorestown芯片待機狀態(tài)下能耗將與ARM架構芯片相當，Medfield芯片運行狀態(tài)下能耗將于ARM架構芯片相當。
賈斯汀表示：“我預計此后我們芯片的能耗將低于ARM架構芯片，因為我們有根本的性能優(yōu)勢。”
分析師之前曾表示，對于便攜式消費電子產(chǎn)品和手機而言，英特爾平臺的能耗過高。電池續(xù)航時間是手機產(chǎn)業(yè)最重要的指標之一。
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