近日，紫光旗下新華三攜手長江存儲，整合中國頂尖的存儲芯片資源，成功地將3D NAND芯片產品融入服務器產品之中。

今年9月初，紫光集團旗下的長江存儲宣布量產64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構，核心容量256Gb。今天紫光集團又宣布旗下新華三公司將在自家服務器產品中使用長江存儲閃存，共同推動在中國市場自主創(chuàng)新存儲芯片的研發(fā)與應用。

隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網等領域的發(fā)展，未來市場對存儲器的需求會持續(xù)增加。有數(shù)據(jù)顯示，我國存儲器的消耗量占全球總消耗量的三成以上(2019年第一季度世界半導體貿易統(tǒng)計WSTS 發(fā)布的統(tǒng)計數(shù)據(jù))，其中大部分存儲器芯片需要進口，可以說，在中國芯片產業(yè)的發(fā)展過程中，存儲芯片是十分關鍵的發(fā)展領域。

眾所周知，芯片是信息時代的糧食，其中存儲器芯片應用領域十分廣泛。作為中國存儲芯片的領頭羊，長江存儲從成立至今，在短短3年時間內先后研發(fā)成功并量產了國內首款32層3D NAND閃存和64層3D NAND閃存，同時憑借著國內龐大的內需市場、優(yōu)秀的自主研發(fā)能力，以及國際水準的產能，擔負起推動國內存儲器自主創(chuàng)新、加速發(fā)展的重要使命。此次新華三集團與長江存儲攜手，正是將這些國內領先的研發(fā)技術和存儲芯片引入到服務器產品中，推動優(yōu)秀自主創(chuàng)新方案的落地生根，更好的滿足企業(yè)對高速、大容量存儲解決方案的需求。

2017年，長江存儲成功研發(fā)了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實現(xiàn)了中國三維閃存產業(yè)“零”的突破。該芯片的存儲容量為8GB至32GB，目前已通過企業(yè)級驗證并進行小規(guī)模的批量生產，主要應用在U盤，SD卡，機頂盒及固態(tài)硬盤等領域。

此后，長江存儲基于不斷的自主研發(fā)和創(chuàng)新，推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代產品中最高的存儲密度，將廣泛應用在智能手機，個人電腦，服務器等領域。長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking®架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品，也是中國企業(yè)首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產，標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng)新之路。

提到Xtacking® 技術，不得不說，這是長江存儲在3D NAND閃存架構上的一次重大創(chuàng)新，在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過芯片架構設計上的變化，Xtacking®能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能擁有更高的存儲密度，相比傳統(tǒng)架構，芯片面積可減少約25%。同時，Xtacking®技術還實現(xiàn)了模塊化的設計工藝，能夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生產周期，為NAND閃存的定制化提供了更多可能。目前，Xtacking®技術被主要應用在長江存儲64層及更高規(guī)格的三維閃存上。

為了給行業(yè)用戶帶來更多的價值，長江存儲未來還將推出Xtacking® 2.0創(chuàng)新架構。作為升級換代技術，Xtacking®2.0將夠進一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開拓定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來，Xtacking®2.0技術將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中，會廣泛應用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域，這將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

新華三集團將領先的長江存儲閃存引入服務器產品線，將在應用實踐中加速中國存儲芯片與服務器的融合發(fā)展，進一步推動計算產品和架構的迭代。新華三也將在10月24日以“至極之道，智造未來”為主題的計算節(jié)期間，重點展示長江存儲產品自主創(chuàng)新的領先技術，以及更加安全、可靠、可信的計算產品。這些產品將在新華三“至簡，至信，至慧”的智慧計算理念下，更好的滿足企業(yè)用戶的不同需求，為企業(yè)的數(shù)字化轉型賦能。

新華三指出，長江存儲未來還將推出Xtacking 2.0創(chuàng)新架構，將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中，會廣泛應用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域。