導語：近日，三星在Samsung Foundry Forum大會上，宣布了一個重磅炸彈，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工藝已經在開發(fā)中了，與7nm技術相比，三星的3GAE工藝將減少45％芯片面積％，功耗降低50％，性能提高35％，同時預計在 2021年量產，將服務于人工智能（AI）、機器學習、5G網絡、汽車、物聯網（物聯網（IoT）以及高級數據中心等諸多領域。

而三星電子鑄造業(yè)務總裁兼負責人ES Jung博士也稱：“我們站在第四次工業(yè)革命的邊緣，這是一個高性能計算和連接的新時代，這將推動地球上每個人的日常生活，三星的路線圖包括四種基于FinFET的工藝，從7nm到4nm，采用極紫外（EUV）技術以及3nm GAA或MBCFET。而在今年下半年，三星計劃開始批量生產6nm工藝產品并完成4nm工藝的開發(fā)。

三星5nm FinFET工藝的產品設計于4月開發(fā)，預計將于今年下半年完成，并將于2020年上半年開始量產，進展非常迅猛！

在本次的 SFF 上，三星表示，第一批 3nm 芯片針對智能手機以及其他移動設備，將于 2020 年進行測試，2021 年量產。而對于性能要求更高的芯片，如圖形處理器和數據中心的 AI 芯片，將于 2022 年到來。