Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存儲器(NVM)IP使芯片成本降低多達(dá)25%，作為嵌入式閃存的替代方案，該NVM IP無需額外光罩和附加工藝步驟。

亮點：

1、可重復(fù)編程的DesignWare中等容量非易失性存儲器(NVM)IP提供與閃存相同的功能，無需額外的光罩或工藝步驟，從而將芯片成本降低多達(dá)25%

2、提供最高64Kbyte容量的嵌入式存儲器;與小容量NVM方案比密度提高5倍

3、使微控制器可以在180nm 5V或BCD工藝上集成NVM，而通常這些工藝上沒有閃存提供

4、集成誤碼校正功能從而提高系統(tǒng)可靠性

為加速芯片和電子系統(tǒng)創(chuàng)新而提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys， Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其全新DesignWare?中等容量非易失性存儲器(NVM)IP產(chǎn)品開始供貨。Medium Density NVM IP填補(bǔ)了小容量NVM和大容量閃存之間的空白，且無需額外的光罩或工藝步驟，從而使芯片成本降低多達(dá)25%。在把微控制器集成到面向智能傳感器、電源管理和觸摸屏控制器應(yīng)用的模擬IC設(shè)計中時，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存儲，消除了對外部EEPROM或閃存的需求。

“今天，那些試圖把微控制器嵌入到其IC中的開發(fā)者們被迫支付昂貴的晶圓費(fèi)用以支持嵌入式閃存，或者使用分立的外部存儲器，而這兩種方式都是代價高昂的方案，”Semico Research Corp.高級市場分析師Richard Wawrzyniak說道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP填補(bǔ)了小容量非易失性存儲器和大容量嵌入式閃存之間的空白，對于那些尋求在不增加額外成本而增加數(shù)千byte非易失性存儲器的開發(fā)者而言，Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一個理想的選擇。”

DesignWare中等容量NVM IP產(chǎn)品為5V CMOS和BCD工藝技術(shù)帶來了閃存功能。誤碼校正(ECC)功能提供了額外的系統(tǒng)可靠性，同時減少了集成工作量。與小容量NVM方案相比，這款NVM IP密度提升5 倍;同時還提供了40納秒的讀取時間，可提供快速的讀取時間和實時計算。通過在Synopsys實驗室內(nèi)完成的驗證，包括嚴(yán)格的性能測試、認(rèn)證和可靠性測試，該NVM IP可支持-40℃~125℃的溫度范圍，數(shù)據(jù)可保存10年。

“隨著把微控制器集成到模擬IC之中而需要數(shù)量越來越多的存儲器，設(shè)計業(yè)者需要成本更低的存儲器解決方案，同時不犧牲功能，”Synopsys IP和系統(tǒng)原型市場副總裁John Koeter說道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP為設(shè)計業(yè)者提供比閃存成本更低的方案，同時提供了所有必需的功能，來幫助他們以更小風(fēng)險把NVM集成到系統(tǒng)級芯片(SoC)之中。”

供貨

使用臺積電180納米5V CMOS和BCD工藝技術(shù)的DesignWare中等容量NVM IP現(xiàn)已對早期采用者供貨。