快閃存儲器(NAND Flash)控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。

群聯(lián)董事長潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級、價格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價大容量的時代!

潘健成指出，各國際快閃存儲器(NAND Flash)制造原廠陸續(xù)突破3D堆棧技術(shù)良率瓶頸后，技術(shù)演進(jìn)正快速發(fā)展，次世代規(guī)格QLC的3D NAND Flash顆粒如今較預(yù)期提前一個季度于近期推出，該技術(shù)進(jìn)程速度令業(yè)界專家都跌破眼鏡，亦為SSD擴(kuò)大滲透率帶來新動能。

由于群聯(lián)領(lǐng)先同業(yè)在今年上半年正式取得搭載QLC的一系列主控芯片測試驗(yàn)證、以及推出最新版之糾錯保護(hù)機(jī)制，而今水到渠成，因應(yīng)客戶需求甫于近日出貨搭載64層QLC之SSD控制芯片PS3111-S11T解決方案。

最新64層QLC之3D NAND Flash單顆容量即可達(dá)128GB，搭載群聯(lián)PS3111-S11T解決方案應(yīng)用于SSD上的容量從258GB起跳，并搭配群聯(lián)電子自有第4代Smart ECC糾錯機(jī)制套件，讓大容量的QLC優(yōu)勢亦能兼具速度效能，不論是連續(xù)讀取或是寫入之效能皆能維持在550 MB/s、450~510MB/s的高速水平。

至于隨機(jī)讀取/寫入(IOPS)速度亦可維持在33萬~61萬次，以及85萬~88萬次高效能，終端應(yīng)用也將因?yàn)楫a(chǎn)品屬性符合低價大容量，將適合通路客戶拓展互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)業(yè)、中小型企業(yè)等更多元創(chuàng)新的應(yīng)用市場布局。