NAND Flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

 據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。

不過，隨著3D NAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NAND Flash市場最大變數(shù)。

2D NAND Flash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米，美光導入16納米等。但因芯片線寬線距已達物理極限，2D NAND技術(shù)推進上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產(chǎn)的2D NAND并未出現(xiàn)成本效益，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，導致下半年價格強勁上漲。

去年NAND Flash價格自第2季開始全面回升，漲勢直達年底，主流的SSD價格漲幅超過4成，eMMC價格最高逼近6成，完成出乎市場意料。在此一情況下，原廠為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進3D NAND市場，而今年亦成為3D NAND市場成長爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競賽可說是一觸即發(fā)。

以各原廠的技術(shù)進展來看，三星去年進度最快已成功量產(chǎn)3D NAND，去年底出貨占比已達35%，最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片，3D NAND的出貨比重將在本季達到45%。另外，三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3D NAND，韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產(chǎn)。

包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3D NAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年，良率直到去年底才見穩(wěn)定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過，今年開始3D NAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn)，東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層芯片，今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3D NAND，除了Fab 5開始提高投片外，F(xiàn)ab 2將在本季轉(zhuǎn)進生產(chǎn)64層3D NAND，F(xiàn)ab 6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產(chǎn)。

SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠已量產(chǎn)3D NAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進入3D NAND量產(chǎn)階段。

美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進行3D NAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3D NAND已順利送樣，今年將逐步進入量產(chǎn)，F(xiàn)10x廠也會開始全面轉(zhuǎn)向進行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3D NAND，并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。