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  • 三項電壓概述

    每根相線(火線)與中性線(零線)間的電壓叫相電壓,其有效值用UA、UB、UC表示;相線間的電壓叫線電壓,其有效值用UAB、UBC、UCA表示。因為三相交流電源的三個線圈產生的交流電壓相位相差120°,三個線圈作星形連接時,線電壓等于相電壓的根號3倍。我們通常講的電壓是220伏,380伏,就是三相四線制供電時的相電壓和線電壓。

  • 三相電源概述

    三相電源是主板上的電源路數(shù),也就是常常說的幾相供電。3相供電是指電腦主板電源的相數(shù)。最多可以達到8相供電。

  • 非線性電路概述

    非線性電路是指含有非線性元件的電路。這里的非線性元件不包括獨立電源。非線性元器件在電工中得到廣泛應用。非線性電路的研究和其他學科的非線性問題的研究相互促進。含有除獨立電源之外的非線性元件的電路。電工中常利用某些元器件的非線性。這里的非線性元件不包括獨立電源。

  • 半導體芯片

    半導體芯片:在半導體片材上進行浸蝕,布線,制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件。不只是硅芯片,常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質電路板不要好奇分解它),鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代,因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內存(D-RAM)市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn),需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代,日本企業(yè)名列前茅。

  • 厚膜集成電路應用及工藝

    厚膜集成電路是指用絲網印刷和燒結等厚膜工藝在同一基片上制作無源網絡,并在其上組裝分立的半導體器件芯片或單片集成電路或微型元件,再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜混合集成電路是一種微型電子功能部件。

  • 微電子芯片概述

    微芯片是由杰克·基爾比(Jack Kilby)在1958年9月12日發(fā)明的,這個裝置揭開了人類二十世紀電子革命的序幕,同時宣告了數(shù)字時代的來臨。微芯片是采用微電子技術制成的集成電路芯片,它已發(fā)展到進入千兆(芯片GSI)時代。

  • 晶片概述

    晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復合半導體物質構成。在LED封裝時,晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

  • 磁芯存儲器的構成及相關描述

    術語“核心”來自傳統(tǒng)的變壓器,其繞組環(huán)繞磁芯。 在核心存儲器中,導線通過任何給定的核心 - 它們是單圈設備。 用于存儲器核心的材料的性質與用于電力變壓器的材料的性質顯著不同。 用于核心存儲器的磁性材料需要高度的磁剩磁,保持高度磁化的能力和低矯頑力,從而需要更少的能量來改變磁化方向。 核心可以采用兩種狀態(tài),編碼一位,當“感應線”“選擇”時可以讀取。 即使存儲器系統(tǒng)斷電(非易失性存儲器),核心存儲器內容也會保留。 但是,當讀取內核時,它會重置為“零”值。 然后,計算機存儲器系統(tǒng)中的電路在立即重寫周期中恢復信息。

  • 磁芯存儲器概述

    磁芯存儲器是隨機存取計算機存儲器的主要形式,存在20年。這種存儲器通常被稱為核心存儲器,或者非正式地稱為核心存儲器。核心使用微小的磁環(huán)(環(huán)),核心通過線程來寫入和讀取信息。 每個核心代表一點信息。 磁芯可以以兩種不同的方式(順時針或逆時針)磁化,存儲在磁芯中的位為零或一,取決于磁芯的磁化方向。 布線被布置成允許單個芯被設置為1或0,并且通過向所選擇的導線發(fā)送適當?shù)碾娏髅}沖來改變其磁化。 讀取內核的過程會導致內核重置為零,從而將其擦除。 這稱為破壞性讀數(shù)。 在不進行讀寫操作時,即使關閉電源,內核也會保持最后的值。 這使它們成為非易失性的。

  • 閃存的發(fā)展歷史

    發(fā)展歷史在1984年,東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器(此處簡稱閃存)的概念。

  • 閃存的發(fā)展及決定因素

    “優(yōu)盤”是閃存走進日常生活的最明顯寫照,其實早在U盤之前,閃存已經出現(xiàn)在許多電子產品之中。傳統(tǒng)的存儲數(shù)據(jù)方式是采用RAM的易失存儲,電池沒電了數(shù)據(jù)就會丟失。采用閃存的產品,克服了這一毛病,使得數(shù)據(jù)存儲更為可靠。除了閃存盤,閃存還被應用在計算機中的BIOS、PDA、數(shù)碼相機、錄音筆、手機、數(shù)字電視、游戲機等電子產品中。追溯到1998年,優(yōu)盤進入市場。接口由USB1.0發(fā)展到2.0再到最新的USB3.0,速度逐漸提高。

  • 快閃存儲器概述

    快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進行一次抹除,就會清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

  • 軟盤概述

    軟盤(Floppy Disk)是個人計算機(PC)中最早使用的可移介質。軟盤的讀寫是通過軟盤驅動器完成的。軟盤驅動器設計能接收可移動式軟盤,常用的就是容量為1.44MB的3.5英寸軟盤,它曾經盛極一時。之后由于U盤的出現(xiàn),軟盤的應用逐漸衰落直至淘汰。

  • 主存優(yōu)化及部署

    市場上并不缺少提高數(shù)據(jù)存儲效率的新技術,然而這些新技術絕大多數(shù)都是關注備份和存檔的,而非主存儲。但是,當企業(yè)開始進行主存儲數(shù)據(jù)縮減時,對他們來說,了解主存儲優(yōu)化所要求的必要條件十分重要。主存儲,常常被稱為1級存儲,其特征是存儲活躍數(shù)據(jù)――即經常被存取并要求高性能、低時延和高可用性的數(shù)據(jù)。

  • 電源IC特點及原理

    電源功率的大小,電流和電壓是否穩(wěn)定,將直接影響計算機的工作性能和使用壽命。

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