IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應引起的柵極過壓。

為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示。此電阻應盡量靠近柵極與發(fā)射極。
IGBT的柵極過壓的原因
1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。
2.電容密勒效應引起的柵極過壓。
為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生,應在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示。此電阻應盡量靠近柵極與發(fā)射極。
要點: 有效應對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務引領增長 以科技創(chuàng)新為引領,提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...
關鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟