圖1- 87所示為實(shí)際電路圖。圖中共用的RAM為6264.它有8根數(shù)據(jù)總線(Do～D7)，13根地址總線( Ao～A12)，4根控制總線(WR、OE、CS、CS)，2根電源線。當(dāng)兩微機(jī)系統(tǒng)共用RAM時(shí)，必須用緩沖器將其隔離。當(dāng)某機(jī)需要占用時(shí)，則對(duì)一機(jī)導(dǎo)通，而對(duì)另一機(jī)隔離;否則兩機(jī)將同時(shí)出現(xiàn)故障。在圖1- 87所示電路中，緩沖器選用74LS245，它是8位雙向緩沖器。因?yàn)?264共有24根總線，故用6片74LS245與一片74LS125三態(tài)門。74LS245有一個(gè)方向控制端DIR，一個(gè)允許端G。DIR直接接于RD或接固定電位(+5 V，0 V)。用于數(shù)據(jù)線緩沖時(shí)，DIR要接RD;用于地址線和控制線時(shí)，DIR要接固定電位(+5 V，0 V)。一般的CPU，RD信號(hào)總是出現(xiàn)在地址信號(hào)的后面，如8080、8031等。如果G接于RD，則會(huì)出現(xiàn)RAM數(shù)據(jù)還沒(méi)準(zhǔn)備就寫或讀，系統(tǒng)就會(huì)出現(xiàn)故障。因此，G接于系統(tǒng)的譯碼端是比較合適的。

系統(tǒng)共用RAM，用緩沖器隔開(kāi)，還有問(wèn)題：如果兩機(jī)同時(shí)使用RAM，則會(huì)發(fā)生沖突，雙機(jī)都發(fā)生故障。解決的辦法是，另外設(shè)置一個(gè)狀態(tài)觸發(fā)器，如圖1- 88所示。采用74LS74中的一個(gè)D型觸發(fā)器，當(dāng)一機(jī)準(zhǔn)備使用共用RAM時(shí)，先測(cè)試觸發(fā)器的輸出端Q，如果Q=O，則表示RAM狀態(tài)為閑;然后，微機(jī)發(fā)出一置Q=1命令，表示RAM已采用;用完后，微機(jī)發(fā)出Q=O命令，使RAM為閑，其他微機(jī)可以采用了。

共用RAM的地址，在不同的系統(tǒng)中有所不同。這取決于譯碼的地址，即同一存儲(chǔ)單元對(duì)于不同的系統(tǒng)有不同的地址。

從以上分析可知，此種多機(jī)共用RAM電路在兩機(jī)有大塊數(shù)據(jù)交換時(shí)，只需對(duì)各自RAM使用查詢、置狀態(tài)、清狀態(tài)三個(gè)過(guò)程，故對(duì)于大塊數(shù)據(jù)交換，傳輸速率要比傳統(tǒng)的串行、并行高許多。