[導讀]聯華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯華電子12寸制造新紀元,不僅大幅提升28nm產能,也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石,除滿足客戶對先進制程的需求外,更將推動聯華電
聯華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯華電子12寸制造新紀元,不僅大幅提升28nm產能,也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石,除滿足客戶對先進制程的需求外,更將推動聯華電子邁入下一波成長。
聯華電子董事長洪嘉聰表示,“我們樂觀看待半導體與晶圓專工產業(yè)的長期發(fā)展,為因應產業(yè)環(huán)境快速變化與掌握市場先機,我們訂定以客戶導向晶圓專工解決方案做為經營策略,此一策略系由純晶圓專工模式與開放的供應鏈生態(tài)系統(tǒng)所組成。在此經營模式下,我們依據客戶需求與所處供應鏈中的位置,適時且持續(xù)地投資,與客戶、供應鏈廠商之間形成互補互利且共創(chuàng)三贏的長期伙伴關系。Fab12A廠區(qū)第一至四期預計資本支出將達美金80億元,第五及第六期預定再投入約美金80億元,第七及第八期廠區(qū)也將陸續(xù)展開規(guī)劃,展現聯華電子永續(xù)經營的決心?!?BR>
聯華電子執(zhí)行長孫世偉博士表示,“過去十年,我們位于臺灣與新加坡的12寸晶圓廠,鞏固了聯華電子在晶圓專工的領導地位。經由多年來自主研發(fā)的努力,聯華電子成功開發(fā)出一系列最先進半導體技術;28nmPolySiON進入行動通訊及運算產品上量的階段,28nmGate-LastHK/MG也將于今年下半年導入旗艦產品之試產,20nmHK-LastHK/MG與14nmFinFET的研發(fā)進展順利,12寸特殊制程如高壓、嵌入式非揮發(fā)性記憶體、背面照度式CMOS影像傳感器、2.5Dinterposer、3DICTSV等技術也與客戶密切合作開發(fā),使聯華電子成為供應全方位技術的晶圓專工領導廠商。我們深信,與客戶及供應鏈伙伴間的密切合作,將成為共同追求成長并降低風險的致勝關鍵。聯電Fab12A晶圓廠區(qū)第五至第八期擴建工程,將與客戶及廠商技術藍圖緊密配合,遵循聯電“客戶導向晶圓專工解決方案”的經營策略,強化本身競爭力,協(xié)助客戶順利導入新世代產品,并持續(xù)為公司成長注入動能,進一步提升獲利能力及股東權益報酬。”
聯華電子於1999年11月進駐臺南科學園區(qū),建造臺灣第一座12寸晶圓專工廠。今日動土興建的第五、第六期廠房,將成為全球供應28,20及14nm產能的尖端12寸晶圓專工廠,預計在2013年下半年進行機臺移入。潔凈室總面積為5萬3千平方公尺,相當於10座美式足球場大小,Fab12A廠區(qū)將增加超過2,600個工作機會,最大規(guī)劃月產能將由8萬片提升至13萬片,加上規(guī)劃中的第七、第八期廠房,Fab12A總計八期的晶圓廠,月產能將達到18萬片。聯華電子不斷擴增在臺南科學園區(qū)的投資規(guī)模,除了堅定落實“深耕臺灣,布局全球”的經營承諾,也將啟動聯電下一波高成長時代的來臨。
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