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[導(dǎo)讀]目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益,具功率放大倍率佳、待機(jī)耗電流低

目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益,具功率放大倍率佳、待機(jī)耗電流低、低相位雜訊、單電源設(shè)計(jì)、體積小等特色。而主要應(yīng)用端含蓋手機(jī)、無線網(wǎng)路、藍(lán)芽、基地臺(tái)、光纖通訊、衛(wèi)星通訊等。另外,pHEMT其優(yōu)點(diǎn)則包含有超高頻(高頻操作可達(dá)100GHz以上)及低雜訊等特性,低射頻雜訊、高頻率響應(yīng)、高切換速度與高功率操作,在高功率基地臺(tái)、低雜訊放大器及RFSwitch上十分重要。

化合物半導(dǎo)體在通訊應(yīng)用市場(chǎng)上已占其重要且難以取代的地位,目前隨著高資料量傳輸?shù)男枨蟪砷L(zhǎng)下,未來砷化鎵元件市場(chǎng)成長(zhǎng)可期?,F(xiàn)階段,臺(tái)系供應(yīng)鏈中,除宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體等業(yè)者外,聯(lián)電集團(tuán)的聯(lián)電新投資事業(yè)公司也成立聯(lián)穎光電加入市場(chǎng)。
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