東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即或需要與雙圖案化技術(shù)并用
[導(dǎo)讀]東芝在荷蘭阿斯麥（ASML）公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”會(huì)議上，展望了引進(jìn)EUV（超紫外線）曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的東木達(dá)彥表示“即
東芝在荷蘭阿斯麥（ASML）公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”會(huì)議上，展望了引進(jìn)EUV（超紫外線）曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的東木達(dá)彥表示“即將采用EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)（NAND閃存）”。不過(guò)，從曝光裝置及曝光光刻膠等外圍技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況來(lái)看，“EUV曝光技術(shù)可能要配合使用間隙壁工藝才能支持1Xnm工藝”（東木）。間隙壁工藝是雙圖案化（DoublePatterning）技術(shù)之一，東芝目前正在采用這種工藝量產(chǎn)基于浸沒(méi)ArF曝光技術(shù)的NAND閃存。
東木首先表示，“雖然我們?cè)敬蛩銖模|芝2009年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的）32nm工藝開(kāi)始引進(jìn)EUV曝光技術(shù)，但現(xiàn)在卻不得不采用基于浸沒(méi)ArF曝光技術(shù)的間隙壁工藝。盡管有人提出了將該技術(shù)的使用范圍擴(kuò)大至（東芝預(yù)定于2012年前后量產(chǎn)的）1Xnm工藝的方案，但因制造工藝非常復(fù)雜，成本大幅上漲將不可避免”。
東木以工藝周期為例，介紹了采用雙圖案化技術(shù)時(shí)成本是如何上漲的。他表示，要采用雙圖案化技術(shù)制造半導(dǎo)體，“需要約100個(gè)制程，總周期需要50～60天。要支持2X～1Xnm工藝的話，還需要優(yōu)化曝光的外圍工藝等，再加上掩模圖案補(bǔ)正（OPC）時(shí)間等，所需時(shí)間驚人”。據(jù)東木介紹，如果采用EUV曝光技術(shù)，就能將工藝周期縮短至數(shù)天。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，“推遲一天就會(huì)導(dǎo)致5億日元左右的機(jī)會(huì)損失?？紤]到這一點(diǎn)，盡快啟動(dòng)基于EUV曝光技術(shù)的量產(chǎn)十分重要”。
東木列舉了引進(jìn)EUV曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)時(shí)面臨的4個(gè)技術(shù)課題，分別為（1）提高光源輸出功率；（2）解決掩模缺陷問(wèn)題；（3）確立計(jì)算機(jī)光刻（computationallithography）等可改善曝光光學(xué)特性的技術(shù)；（4）改善曝光光刻膠的特性。據(jù)東木介紹，其中的最大課題是如何提高曝光光刻膠的特性?！肮饪棠z的開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況預(yù)示著EUV曝光技術(shù)的未來(lái)”（東木）。基于現(xiàn)行曝光光刻膠的制造工藝“將在20nm附近達(dá)到分辨率極限。要獲得超過(guò)這一界限的分辨率，需要快速提高曝光光刻膠的特性”（東木）。
要提高EUV曝光技術(shù)的分辨率，今后除了改善曝光光刻膠的特性之外，還需要提高曝光裝置的NA以及利用off-axis照明等。從這些技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況來(lái)看，“可能EUV也無(wú)法實(shí)現(xiàn)一次曝光，必須同時(shí)采用間隙壁工藝”（東木）。關(guān)于東芝針對(duì)這種情況而采取的措施，東木介紹了通過(guò)結(jié)合使用EUV曝光技術(shù)與間隙壁工藝實(shí)現(xiàn)14nm半間距圖案的成果。他由此認(rèn)為，“EUV曝光技術(shù)與間隙壁工藝為互補(bǔ)關(guān)系。需要進(jìn)一步完善（以間隙壁工藝為代表的）雙圖案化技術(shù)，為迎接即將到來(lái)的EUV曝光時(shí)代作好準(zhǔn)備”。
東木首先表示，“雖然我們?cè)敬蛩銖模|芝2009年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的）32nm工藝開(kāi)始引進(jìn)EUV曝光技術(shù)，但現(xiàn)在卻不得不采用基于浸沒(méi)ArF曝光技術(shù)的間隙壁工藝。盡管有人提出了將該技術(shù)的使用范圍擴(kuò)大至（東芝預(yù)定于2012年前后量產(chǎn)的）1Xnm工藝的方案，但因制造工藝非常復(fù)雜，成本大幅上漲將不可避免”。
東木以工藝周期為例，介紹了采用雙圖案化技術(shù)時(shí)成本是如何上漲的。他表示，要采用雙圖案化技術(shù)制造半導(dǎo)體，“需要約100個(gè)制程，總周期需要50～60天。要支持2X～1Xnm工藝的話，還需要優(yōu)化曝光的外圍工藝等，再加上掩模圖案補(bǔ)正（OPC）時(shí)間等，所需時(shí)間驚人”。據(jù)東木介紹，如果采用EUV曝光技術(shù)，就能將工藝周期縮短至數(shù)天。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，“推遲一天就會(huì)導(dǎo)致5億日元左右的機(jī)會(huì)損失?？紤]到這一點(diǎn)，盡快啟動(dòng)基于EUV曝光技術(shù)的量產(chǎn)十分重要”。
東木列舉了引進(jìn)EUV曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)時(shí)面臨的4個(gè)技術(shù)課題，分別為（1）提高光源輸出功率；（2）解決掩模缺陷問(wèn)題；（3）確立計(jì)算機(jī)光刻（computationallithography）等可改善曝光光學(xué)特性的技術(shù)；（4）改善曝光光刻膠的特性。據(jù)東木介紹，其中的最大課題是如何提高曝光光刻膠的特性?！肮饪棠z的開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況預(yù)示著EUV曝光技術(shù)的未來(lái)”（東木）。基于現(xiàn)行曝光光刻膠的制造工藝“將在20nm附近達(dá)到分辨率極限。要獲得超過(guò)這一界限的分辨率，需要快速提高曝光光刻膠的特性”（東木）。
要提高EUV曝光技術(shù)的分辨率，今后除了改善曝光光刻膠的特性之外，還需要提高曝光裝置的NA以及利用off-axis照明等。從這些技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況來(lái)看，“可能EUV也無(wú)法實(shí)現(xiàn)一次曝光，必須同時(shí)采用間隙壁工藝”（東木）。關(guān)于東芝針對(duì)這種情況而采取的措施，東木介紹了通過(guò)結(jié)合使用EUV曝光技術(shù)與間隙壁工藝實(shí)現(xiàn)14nm半間距圖案的成果。他由此認(rèn)為，“EUV曝光技術(shù)與間隙壁工藝為互補(bǔ)關(guān)系。需要進(jìn)一步完善（以間隙壁工藝為代表的）雙圖案化技術(shù)，為迎接即將到來(lái)的EUV曝光時(shí)代作好準(zhǔn)備”。
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息，昨天半導(dǎo)體光刻機(jī)供應(yīng)商荷蘭ASML公司發(fā)布了今年Q3季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)， 其中銷售額和利潤(rùn)均好于預(yù)期，凈預(yù)訂數(shù)據(jù)更是創(chuàng)新紀(jì)錄。
關(guān)鍵字： ASML據(jù)彭博社2月9日的消息，荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）警告稱，一家此前被指控竊取其商業(yè)機(jī)密的中國(guó)公司的關(guān)聯(lián)公司已開(kāi)始銷售疑似侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： ASML 光刻機(jī) 知識(shí)產(chǎn)權(quán)在過(guò)去的幾個(gè)月里，東芝一直想推行戰(zhàn)略重組計(jì)劃，不過(guò)再次遇到挫折，近日遭到了過(guò)半數(shù)股東反對(duì)而被否決。鑒于東芝未來(lái)經(jīng)營(yíng)改革方針走向不明，外資大股東傾向于讓東芝私有化退市。
關(guān)鍵字： 東芝 重組 競(jìng)購(gòu)
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