顧能研究副總裁王端昨天指出，晶圓代工龍頭臺積電面臨三星和格羅方德直接跨入14納米FinFET（鰭式場效晶體管）制程，可能上修資本支出，加速16納米FinFET制程量產(chǎn)腳步，推估今年資本支出恐逾百億美元。
王端推測，臺積電董事長張忠謀最快會在美國時間9日舉行的臺積電年度技術論壇揭露這項重大布局。臺積電法人關系處兼發(fā)言人孫又文表示，資本支出是董事會重大決策，一切以董事長正式對外公布的數(shù)字為準，不對預測做回應。

王端強調，臺積電在28納米制程領先三星和格羅方德長達一年半時間，20納米制程也將比原訂時程提前在明年量產(chǎn)，但三星和格羅方德緊追在后，雙方都宣稱將直接跳過20納米制程，切入14納米FinFET制程。三星和格羅方德采用的14納米制FinFET技術是采取前段14納米、后段20納米的混合版，與臺積電前后段都采16納米不同，但其實二者差異不大。


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王端強調，英特爾日前宣布同意采用14納米FinFET制程，為臺積電大客戶阿爾特拉（Altera）代工生產(chǎn)可編程邏輯閘陣列（FPGA）芯片，加上三星和格羅方德決定跳過20納米直接跨入，預料不出二年，F(xiàn)inFET將成為晶圓代工主流制程。

王端分析，臺積電原本宣稱16納米FinFET可在2015年量產(chǎn)，但從近期臺積電多次釋放包括與安謀合作等，透露臺積電將提前這項先進制程技術量產(chǎn)腳步，甚至可能在臺積電技術論壇就對外宣布。