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[導(dǎo)讀]化學(xué)機械研磨墊(CMP)將大幅擢升先進制程良率。隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)節(jié)點持續(xù)進化至28、20奈米(nm),晶圓制造業(yè)者對于研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛,并相關(guān)材料業(yè)者加速高階研磨墊研發(fā)時程,以滿足市場需求。

化學(xué)機械研磨墊(CMP)將大幅擢升先進制程良率。隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)節(jié)點持續(xù)進化至28、20奈米(nm),晶圓制造業(yè)者對于研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛,并相關(guān)材料業(yè)者加速高階研磨墊研發(fā)時程,以滿足市場需求。

陶氏化學(xué)電子材料半導(dǎo)體技術(shù)部門大中華地區(qū)暨東南亞總經(jīng)理陳俊達指出,為更貼近主要客戶的需求,陶氏化學(xué)電子材料主要的生產(chǎn)基地與研發(fā)單位皆設(shè)立于臺灣。
陶氏化學(xué)電子材料半導(dǎo)體技術(shù)部門大中華地區(qū)暨東南亞總經(jīng)理陳俊達表示,盡管摩爾定律(Moore's Law)使半導(dǎo)體技術(shù)飛快進步,卻也因制程不斷精進而造成晶圓制造業(yè)者在良率提升方面日益艱辛。尤其是現(xiàn)今半導(dǎo)體設(shè)備支出隨著新的技術(shù)節(jié)點發(fā)展,其投資金額也越來越龐大,如何協(xié)助晶圓制造業(yè)者提升制程良率,并降低生產(chǎn)成本已成為材料供應(yīng)商勝出市場的關(guān)鍵因素。

陳俊達進一步指出,透過材料與半導(dǎo)體制程技術(shù)搭配與結(jié)合,已是產(chǎn)業(yè)持續(xù)精進的主要動力,例如藉由先進化學(xué)機械研磨墊與研磨液為晶圓進行高效率拋光,將有助提升制造良率,且花費金額亦比造價不菲的半導(dǎo)體設(shè)備便宜許多,可顯著降低生產(chǎn)成本。

為因應(yīng)此一市場需求,陶氏化學(xué)運用高分子聚合物領(lǐng)域的專業(yè),開發(fā)出全新研磨墊產(chǎn)品--IKONIC,可降低晶圓瑕疵率、并提升研磨墊與設(shè)備使用壽命。此一研磨墊亦支援包括銅(Cu)、鎢(W)、介電質(zhì)層(ILD)、淺溝渠隔離(STI)等多項半導(dǎo)體制程,其材質(zhì)結(jié)合獨特的化學(xué)特性與特定范圍的硬度和孔隙率,可提升研磨墊的使用效益。

此外,IKONIC研磨墊的設(shè)計還能大幅降低瑕疵率,以達到更高的晶圓良率,并透過上述特性延長研磨墊與設(shè)備的使用壽命,同時滿足化學(xué)機械研磨墊在制程上的移除率要求,進而提高晶圓產(chǎn)能效率。

事實上,陶氏化學(xué)研磨墊產(chǎn)品針對客戶需求,迄今已經(jīng)歷IC1000、V??ISIONPAD與IKONIC等三個階段;而IKONIC除了是專門針對28、20奈米所研發(fā)的產(chǎn)品外,不同于之前系列的研磨墊,IKONIC為可調(diào)試的平臺,能針對每間晶圓制造業(yè)者對先進制程的不同需求,提供客制化的技術(shù)和服務(wù),進而提升生產(chǎn)良率。

據(jù)悉,目前IKONIC正處于測試階段,預(yù)計2013年第一季開始量產(chǎn)。未來包括臺積電、聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)等業(yè)者,皆可望借此新產(chǎn)品提升28奈米良率,而陶氏化學(xué)亦將持續(xù)提撥每年10%營收做為持續(xù)研發(fā)下一代產(chǎn)品的資金,以瞄準明年底20奈米量產(chǎn)后的市場商機。

根據(jù)SEMI協(xié)會統(tǒng)計,臺灣已成為全球半導(dǎo)體制造材料最大支出市場。截至現(xiàn)今,包含矽晶圓、光罩(Photomask)、濕制程化學(xué)藥品、化學(xué)機械研磨墊、研磨液、各類氣體與新興材料的總產(chǎn)值支出約為490億美元,至2013年可望成長至510億美元,其中,2012年支出估計便已高達102.7億美元,顯見晶圓代工產(chǎn)業(yè)對先進材料的需求日漸高漲,而研磨墊市場規(guī)模也將持續(xù)擴大。



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