臺(tái)積電表示，由于市場(chǎng)對(duì)于28nm晶圓的需求高于預(yù)期，加上該公司20奈米制程技術(shù)的研發(fā)制程產(chǎn)線提前到位，該公司2012年的資本支出預(yù)估將提高到80億美元至85億美元之間。

臺(tái)積電是在公布第一季財(cái)報(bào)同時(shí)召開臨時(shí)董事會(huì)，核準(zhǔn)資本預(yù)算約新臺(tái)幣311億7,974萬(wàn)元以擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能，以及核準(zhǔn)資本預(yù)算約新臺(tái)幣228億9,236萬(wàn)元以提前建置20奈米制程工程產(chǎn)能。

臺(tái)積電曾在三個(gè)月前一度下修資本支出預(yù)期，從2011年的73億美元調(diào)降至60億美元。雖然分析師預(yù)期臺(tái)積電將上調(diào)資本支出至75億美元，而今臺(tái)積電提出的資本支出數(shù)字高于預(yù)期，顯示該公司期望以此因應(yīng)包括高通(Qualcomm)等主要客戶在近期所經(jīng)歷的出貨短缺現(xiàn)象。

盡管28nm產(chǎn)能出現(xiàn)供給缺口，臺(tái)積電的第一季財(cái)報(bào)表現(xiàn)仍亮眼。估計(jì)今年第一季的合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1055.1億元(36億美元)，稅后純益為新臺(tái)幣334.7億元(11.4億美元)；與2011年同期相較增加0.1%，與前一季相較增加0.8%。[!--empirenews.page--]若以美元計(jì)算，臺(tái)積電2012年第一季營(yíng)收較前一季增加了2.7%，較2011年同期則減少了1.3%。臺(tái)積電并預(yù)計(jì)其第二季營(yíng)收可望大幅增加到新臺(tái)幣1,260億元(43億美元)至1,280億元(43.7億美元)之間。

該公司并表示，采用28nm制程技術(shù)的營(yíng)收占臺(tái)積電第一季整體晶圓銷售的5% ，40nm制程技術(shù)營(yíng)收占32%，而65%制程技術(shù)營(yíng)收占26%；總計(jì)上述先進(jìn)制程技術(shù)占到第一季整體晶圓營(yíng)收的63%。

臺(tái)積電臨時(shí)董事會(huì)同時(shí)也核準(zhǔn)將五位獨(dú)立董事被提名人：彼得?邦菲、施振榮、湯馬斯?延吉布斯、鄒至莊與陳國(guó)慈，列入為下屆董事會(huì)之獨(dú)立董事候選人，并于今年6月12日舉行的股東常會(huì)中進(jìn)行選舉。上述候選人均為現(xiàn)任獨(dú)立董事。