為解決異常蝕刻而試制的修正掩模示例。右圖是左圖的部分放大（攝影：豐田中央研究所）（點擊放大）
在2012年2月2日閉幕的“第25屆IEEE MEMS國際會議（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，豐田中央研究所發(fā)表了一份有關蝕刻技術的頗有意思的報告。即“A DRIE Compensation Mask Pattern for Fabricating an Extremely Thick Comb Electrode”。DRIE（deep reactive ion etching，深度反應離子蝕刻）是MEMS加工中不可或缺的常見技術。雖然DRIE技術基本上可對硅進行垂直深掘，但實際做起來卻往往不盡如人意。如果把這種情況稱作“異常蝕刻”，那么筆者也看到過類似的“異常蝕刻”。

豐田中央研究所此次介紹的是，當蝕刻寬度突然改變時所產(chǎn)生的蝕刻殘余物的課題，筆者可能也遇到過這種情況，只不過當時未發(fā)現(xiàn)罷了。蝕刻速度取決于被蝕刻部分的寬度這種情況即微負載效應（Micro loading），業(yè)內(nèi)人士應該都非常了解。

豐田中央研究所介紹，根據(jù)這種效應，當蝕刻寬度突然改變時，未蝕刻到的狹窄部分與蝕刻到的寬闊部分之間會生成斜面。如果突然產(chǎn)生這樣的斜面，DRIE構造會在此形成保護膜，從而產(chǎn)生蝕刻殘余物。對此，該研究所也提出了解決方法，不過內(nèi)容比較詳細，具體內(nèi)容留給相關論文及學會報告來介紹。

此次會議傾向于采用一些貌似新穎的論文，不過日本企業(yè)發(fā)表的論文還是非常有意義的。第二天的口頭演講發(fā)表了有關陽極接合技術的內(nèi)容，不過全是普通方法，沒有任何有新意的部分。負責評審論文的委員中或許沒有人從事過陽極接合，也沒有人知道標準和古典的方法。（特約撰稿人：田中 秀治，東北大學）