晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布，推出A+制程技術(shù)解決方案，持續(xù)推升8寸晶圓制造能力，聯(lián)電成為業(yè)界唯一在8寸晶圓廠中，提供最完整的0.11微米后段全鋁A+技術(shù)平臺(tái)的晶圓代工廠。

聯(lián)電表示，A+制程技術(shù)解決方案可帶給客戶在主流0.13微米與0.11微米后段全銅制程之外，具有成本效益的另一選擇。此特殊的A+平臺(tái)，具備了其它晶圓代工廠所無法提供的完整技術(shù)組合，包含有邏輯制程（logic/MM）、射頻制程（RFCMOS）、嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程（eFlash）、嵌入式電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲(chǔ)器制程（eEEPROM）、嵌入式高壓制程（eHV）、CMOS影像傳感器（CIS）制程等技術(shù)，以迎合客戶在集成性、產(chǎn)品效能、及成本控制上的多樣需求。

聯(lián)電亞洲事業(yè)群暨市場(chǎng)營(yíng)銷處副總王國(guó)雍表示，由于8寸廠仍具有價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)，許多應(yīng)用產(chǎn)品持續(xù)采用8寸晶圓制造，對(duì)于像時(shí)脈控制器、LCD控制器、遠(yuǎn)程控制器、小尺寸屏幕驅(qū)動(dòng)器、監(jiān)視器與醫(yī)療用CMOS影像傳感器等應(yīng)用產(chǎn)品而言，A+即為最完美的解決方案。

王國(guó)雍表示，A+解決方案包含了全方位的技術(shù)組合，為現(xiàn)有的0.18微米或0.13/0.11微米后段全銅制程產(chǎn)品的下一代制程選擇，提供了理想的方案，使客戶得以差異化其市場(chǎng)定位，以獲取更強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。

聯(lián)電表示，獨(dú)特的0.11微米A+制程平臺(tái)，結(jié)合了8寸制造技術(shù)與最先進(jìn)的全鋁后段制程設(shè)計(jì)法則，以協(xié)助芯片設(shè)計(jì)公司在其0.11微米芯片產(chǎn)品的成本控制、產(chǎn)品效能與菜單現(xiàn)之間，取得最佳的平衡，可說是8寸晶圓制造的終極解決方案。

另外，全方位的A+解決方案包含了完備的矽智財(cái)、高壓橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（HV-LDMOS）技術(shù)、輸出入（I/O）元件、射頻模塊與被動(dòng)元件等，并結(jié)合8寸晶圓廠彈性的制造能力，足以滿足客戶在產(chǎn)品量產(chǎn)上的整體需求。