若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來觀察2004年以來的產(chǎn)能年成長率， LED產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)最突出，過去六年來都以兩位數(shù)的速度疾速成長。而過去由內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶領產(chǎn)業(yè)成長的局面已經(jīng)改變，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的成長率由過去是晶圓代工廠的兩倍，到2012年將維持和晶圓代工廠相當。

在制程技術(shù)升級和持續(xù)擴產(chǎn)的需求驅(qū)動下，晶圓廠支出在2011年將成長18.3%，2012年再成長9.5%。其中又以內(nèi)存、晶圓代工和MPU支出最為明顯。2011年的晶圓廠投資中，在建廠方面的支出減少11%，由于各家廠商目前沒有宣布明確的新廠建置計劃，2012年的建廠支出尚未明朗。

相對于建廠支出的減少，2011年晶圓廠在制程相關(guān)設備的投資金額預估將提高23%，達到400億美元，超越2007年的水準，創(chuàng)下19年來的最高紀錄。2010年半導體設備支出前三名的領域別則為內(nèi)存、晶圓廠和MPU。

但是報告也指出，未來兩年半導體新廠的建置計劃明顯銳減， SEMI 資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示：“由于新廠需要18~24個月的規(guī)劃、建置、設備裝機、認證和試營運，如果上線時間太慢，擔心兩年后半導體產(chǎn)業(yè)的成長動能可能會不足?！?/p>

值得注意的是，消費者對于許多新應用和電子裝置的需求讓NAND成為成長最快速的市場之一，NAND的價格下降則更加速市場需求和成長。