臺(tái)積電（2330）昨（20）日舉行第4屆「臺(tái)積電杰出學(xué)生研究獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)典禮，由臺(tái)積電研發(fā)組織資深副總經(jīng)理暨臺(tái)積科技院主席蔣尚義，頒獎(jiǎng)給臺(tái)灣、美國(guó)、英國(guó)、荷蘭、澳洲、香港、新加坡、印度等地共37名杰出得獎(jiǎng)?wù)?，?jiǎng)勵(lì)同學(xué)們?cè)?strong>半導(dǎo)體領(lǐng)域及綠能相關(guān)研究上的杰出表現(xiàn)，并鼓勵(lì)青年學(xué)子們朝更專業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn)。

本屆「臺(tái)積電杰出學(xué)生研究獎(jiǎng)」除原有的「電路設(shè)計(jì)技術(shù)類」、「電子組件與制程類」、「奈米材料之物理與化學(xué)特性研究類」等類組外，亦增設(shè)「綠色電子類」。參賽者除來(lái)自國(guó)內(nèi)頂尖大學(xué)的學(xué)生之外，另有來(lái)自全球各地優(yōu)秀學(xué)府的學(xué)生，包括美國(guó)地區(qū)的麻省理工學(xué)院、加州大學(xué)、史丹佛大學(xué)、康乃爾大學(xué)、密西根大學(xué)，來(lái)自歐洲地區(qū)的英國(guó)劍橋、牛津大學(xué)、荷蘭臺(tái)夫特科技大學(xué)，及來(lái)自新加坡及大陸北大、清大等國(guó)際一流大學(xué)。

臺(tái)灣學(xué)子在此次「臺(tái)積電杰出學(xué)生研究獎(jiǎng)」中表現(xiàn)十分突出，在4大類的前3名共13名得獎(jiǎng)?wù)咧?，就拿下?個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，顯示臺(tái)大、交大、清大等臺(tái)灣各大學(xué)的研究成果，已可與國(guó)際一流大學(xué)平起平坐。

擔(dān)任本屆評(píng)審委員主席的臺(tái)積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)表示，臺(tái)積電杰出學(xué)生研究獎(jiǎng)是學(xué)術(shù)界極為重視的活動(dòng)。它不僅是一個(gè)國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的教授和學(xué)生可以展現(xiàn)研究成果的平臺(tái)，更可促進(jìn)產(chǎn)學(xué)界知識(shí)的充分交流，也間接為臺(tái)積公司吸引更多杰出的國(guó)際級(jí)人才。

「臺(tái)積電杰出學(xué)生研究獎(jiǎng)」評(píng)選過(guò)程包含書面初審及簡(jiǎn)報(bào)決選二階段選拔。在書面審核方面，參賽同學(xué)需以英文就研究目的、意義、研究對(duì)科技貢獻(xiàn)的深度和廣度多面向清楚說(shuō)明，透過(guò)臺(tái)積科技院院士、科技委員及內(nèi)部專家所組成的評(píng)審委員會(huì)，針對(duì)研究創(chuàng)意、技術(shù)深度、技術(shù)與邏輯有效性、正確性、扼要性等進(jìn)行評(píng)核。

簡(jiǎn)報(bào)決選部分，入圍學(xué)生須參加現(xiàn)場(chǎng)英文簡(jiǎn)報(bào)及評(píng)委英文提問(wèn)，由委員們以雙向討論的方式代替單向提問(wèn)，視狀況給予演示者延伸性的研究建議，并進(jìn)行最后的決選評(píng)核。

臺(tái)積電表示，本屆競(jìng)賽共收到國(guó)內(nèi)外2百余篇研究報(bào)告，符合競(jìng)賽資格中78篇來(lái)自國(guó)內(nèi)，125篇來(lái)自海外，經(jīng)嚴(yán)謹(jǐn)審核后，分別選出各項(xiàng)類組的前3名及佳作。各類組前3名得獎(jiǎng)?wù)卟⒖煞謩e獲得6千美元、4千美元、2千美元獎(jiǎng)金及獎(jiǎng)座；佳作者可獲得5百美元之獎(jiǎng)金及獎(jiǎng)狀。