三星電子今后可用此次研發(fā)的技術給晶圓代工客戶提供具有競爭力的最新半導體產(chǎn)品。

三星電子介紹說，基于同美國IBM等研發(fā)合作伙伴進行聯(lián)合研究，并獲得的研究成果，成功研發(fā)了32納米HKMG制程技術，而該技術與現(xiàn)有的45納米制程相比，密集度高出1倍。

一般而言，制程越細化漏電量越大，但HKMG技術采用新物質，有效將抵制程工藝的漏電量，并提高驅動速度，是一種最尖端的低耗電制程技術。

據(jù)展望，該技術將在研制智能手機、平板電腦等下一代移動終端方面起到重要作用。