臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀（右）在昨天法說(shuō)會(huì)中表示，先進(jìn)制程的需求缺口高達(dá)30%至40%，產(chǎn)能吃緊，臺(tái)積電加速擴(kuò)產(chǎn)中，年中預(yù)計(jì)臺(tái)中12吋廠「Fab15 」正式動(dòng)土。
記者陳正興／攝影

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（27）日表示，目前先進(jìn)制程的需求缺口高達(dá)30%至40%，產(chǎn)能吃緊，臺(tái)積電加速擴(kuò)產(chǎn)中，年中預(yù)計(jì)臺(tái)中12吋廠「Fab15 」正式動(dòng)土。這將是臺(tái)積繼續(xù)新竹、臺(tái)南之后，第三座12吋廠房的用地。

臺(tái)積電今年大手筆，砸下48億美元資本支出，僅次于英特爾、三星；臺(tái)積電首季資本支出約14.4億美元。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅表示，預(yù)計(jì)今年資本支出會(huì)集中在上半年。

張忠謀表示，先進(jìn)制程需求缺口大，臺(tái)積電加緊擴(kuò)產(chǎn)中，目前竹科Fab12廠已有四期廠房，目前正興建第五期；位于南科的Fab14也有三期12吋廠房，正興建第四期廠房，F(xiàn)ab12與Fab14都是超大（Giga）晶圓廠規(guī)模，預(yù)計(jì)今年兩廠月產(chǎn)一舉突破20萬(wàn)片12吋晶圓。

此外，臺(tái)積電位于臺(tái)中的12吋廠預(yù)定地，今年年中預(yù)計(jì)正式動(dòng)土。張忠謀說(shuō)，這座廠將先從40奈米制程切入，然后慢慢導(dǎo)入28、20奈米。

臺(tái)積電首季總產(chǎn)能256.6萬(wàn)片，比前季增加1.3%。何麗梅預(yù)估，第二季總產(chǎn)能將達(dá)275.6萬(wàn)片約當(dāng)8吋晶圓，季增7%，其中，12吋增加13%，8吋增加2%；2010年全年預(yù)估總產(chǎn)能1124.87萬(wàn)片，其中，12吋將年增加35%，12吋產(chǎn)能將占總產(chǎn)能一半。

臺(tái)積電在兩岸都擴(kuò)產(chǎn)積極，張忠謀說(shuō)，臺(tái)積電上海松江廠，過(guò)去幾年年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)63%，去年來(lái)自中國(guó)大陸營(yíng)收，已經(jīng)超越日本，今年松江廠也將擴(kuò)產(chǎn)來(lái)到每月5萬(wàn)片規(guī)模。

【記者陳碧珠／臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總蔣尚義昨（27）日說(shuō)，來(lái)自先進(jìn)制程（0.13微米以下）營(yíng)收已占第一季營(yíng)收17%，其中40奈米的單季營(yíng)收達(dá)到129億元，提前破百億元，領(lǐng)先同業(yè)數(shù)十倍，在市場(chǎng)占有率上達(dá)到80%，預(yù)估到年底時(shí)可占公司20%營(yíng)收比重。

蔣尚義昨天與董事長(zhǎng)張忠謀、財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅一起出席法說(shuō)，他說(shuō)明臺(tái)積電在先進(jìn)制程上選擇的技術(shù)是「Gate-last」，來(lái)發(fā)展28奈米金屬柵極結(jié)構(gòu)（HKMG）制程。

臺(tái)積電在先進(jìn)制造的營(yíng)收中，90奈米約占17%，65奈米占27%，40奈米從上季9%提高到14%。蔣尚義表示，臺(tái)積電28奈米將于6月開始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性生產(chǎn)，最快9月底量產(chǎn)。

業(yè)界指出，臺(tái)積電去年中以前，原本采用Gate-first技術(shù)，年底才改決定采用last，而英特爾是Gate-last的支持者，英特爾是用 Gate-last；IBM/體系的全球晶圓（Globalfoundries）則是Gate-first的支持者，不同的技術(shù)將影響業(yè)者未來(lái)技術(shù)領(lǐng)先程度。