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華邦攻46奈米制程

時間：2010-04-20 07:32:00

關(guān)鍵字：內(nèi)存 Flash 編碼先進制程

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[導(dǎo)讀]華邦（2344）積極推進先進制程，包括編碼型閃存（NOR Flash）、非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存等，今年都將有所突破，并規(guī)劃自行開發(fā)46奈米技術(shù)，成本競爭力大增，其封測協(xié)力廠華東（8110）同步受惠。華邦受惠內(nèi)存市況轉(zhuǎn)揚，去年第

華邦（2344）積極推進先進制程，包括編碼型閃存（NOR Flash）、非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存等，今年都將有所突破，并規(guī)劃自行開發(fā)46奈米技術(shù)，成本競爭力大增，其封測協(xié)力廠華東（8110）同步受惠。

華邦受惠內(nèi)存市況轉(zhuǎn)揚，去年第四季轉(zhuǎn)盈后，首季接單持續(xù)暢旺，單季營收70.13億元，創(chuàng)近十季單季高點，獲利也可望同步創(chuàng)下佳績。華邦透露，各產(chǎn)品線出貨都供不應(yīng)求，整體狀況是近年來最佳。

華邦認(rèn)為，在景氣正好的當(dāng)下，提升制程競爭力，是獲得更大利潤的關(guān)鍵。華邦原以NOR Flash、非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存等生產(chǎn)為主，目前以非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存比重最大。

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關(guān)鍵字： GBPS 三星內(nèi)存 LPDDR5

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[嵌入式硬件]

三星40年來生產(chǎn)了多少內(nèi)存？1萬億之多，一半為近三年生產(chǎn)

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關(guān)鍵字：三星內(nèi)存儲存芯片

[快訊]

臺積電第三季度7納米及更先進制程占晶圓總收入54%

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關(guān)鍵字：臺積電晶圓先進制程 TSMC

[工業(yè)控制技術(shù)文庫]

科普篇：關(guān)于Flash的介紹

Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。

關(guān)鍵字： Flash 存儲器嵌入式系統(tǒng)

[消費電子]

什么是板載內(nèi)存？為什么可插拔內(nèi)存的輕薄本越來越少了？

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關(guān)鍵字：板載內(nèi)存半導(dǎo)體

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先進制程晶圓廠也太耗電了，2025年臺積電將吃掉全臺12%電力

據(jù)彭博社報導(dǎo)，為制造制程更先進、耗電更少的芯片，往往制造需要大量的電力。光刻機巨頭ASML最先進極紫外(EUV)光刻機，每臺預(yù)估耗電1MW(megawatt，百萬瓦)，約為前幾代設(shè)備的10 倍，加上制造先進制程芯片還沒有...

關(guān)鍵字：臺積電先進制程晶圓廠

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關(guān)鍵字：模型編碼大數(shù)據(jù) 區(qū)塊鏈