諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)和位于東菲什克爾的IBM公司，以及位于紐約奧爾巴尼的紐約大學(xué)奈米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)，日前于CNSE的Albany奈米科技中心共同宣布成立策略合作聯(lián)盟，將致力于發(fā)展22奈米以及更小世代的半導(dǎo)體制程技術(shù)的解決方案。
先進的45奈米和32奈米的半導(dǎo)體電路已進入量產(chǎn)，28奈米及更小世代的產(chǎn)品則正在進行開發(fā)。每進入一個更小的世代，就能促成體積更小、速度更快，并兼具更高效能的芯片，同時，也直接提高了產(chǎn)品的性能。受惠的對象則涵括服務(wù)器至智能型手機，無一例外。諾發(fā)系統(tǒng)在CNSE學(xué)院的Albany奈米科技中心，正式宣布加入這個已與IBM公司合作的CNSE研究團隊為合作伙伴，共同攜手面對進入每一個更小世代的技術(shù)挑戰(zhàn)。

這個技術(shù)聯(lián)盟成立后的第一個項目，將發(fā)展使用于28奈米和22奈米制程的無殘留物先進光阻剝除技術(shù)。光阻剝除是半導(dǎo)體芯片布線的關(guān)鍵技術(shù)，此次合作的范圍將包含一系列光阻剝除制程，包括高劑量植入光阻剝除制程兼容于高介電金屬閘極的技術(shù)，以及對極低介電系數(shù)材料無損傷的化學(xué)蝕刻技術(shù)之發(fā)展。

IBM公司在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展與制造的經(jīng)驗，可幫助這個團隊加速在28奈米以及更小世代制程的開發(fā)。IBM位于East Fishkill的半導(dǎo)體工廠和CNSE學(xué)院的Albany奈米科技中心，將使用諾發(fā)系統(tǒng)的GxT先進光阻去除平臺研發(fā)新的精密光阻剝除去應(yīng)用。諾發(fā)系統(tǒng)的GxT平臺提供良好的清洗效果，藉由導(dǎo)入特有的無氧化化學(xué)去除技術(shù)，實現(xiàn)了硅和氧化物損失小于0.1奈米的成果。CNSE學(xué)院則可在世界最先進的學(xué)術(shù)園地Albany奈米科技中心，提供技術(shù)人才與科技設(shè)施。