隨著新技術的不斷涌現(xiàn)以及原有技術的改進，存儲器組合也在不斷發(fā)生變化，以前未曾聽說的存儲器技術現(xiàn)在已經得到普遍使用。例如，上網本已經開始配備固態(tài)存儲器，這種存儲器能滿足上網本更低的功耗要求，從而延長上網本的電池壽命。
為獲得更大的存儲容量，需要采用不同的方法和折衷處理。例如，多層單元(MLC)閃存的容量要比單層單元(SLC)閃存的容量大，但MLC閃存的性能和硬件壽命不如SLC閃存。
與此同時，硬盤尺寸在不斷縮小。2.5英寸硬盤與以前的5.25英寸全高硬盤相比迥然不同，而且尺寸更小的硬盤卻有著更大的容量和更快的響應速度。業(yè)界還在廣泛使用RAID提供更可靠的存儲，并趨向于采用更小、更靈活的解決方案。
每個處理器都要用到存儲器，一些系統(tǒng)可能只需一種類型的存儲器，但更多的時候是采用層次化存儲器技術，例如帶有冗余磁盤陣列(RAID)存儲系統(tǒng)的服務器(圖1)。每一種存儲器，比如高容量存儲器、快速存取存儲器或非易失性存儲器，都能為系統(tǒng)做出不同的貢獻。
圖1：SAS控制器可能利用多種存儲器來滿足不同的要求。
非易失性固態(tài)存儲器
DRAM天生是易失性存儲器，但非易失性存儲器永遠是系統(tǒng)解決方案的一部分。多年來，非易失性固態(tài)存儲器有了戲劇性的變化，容量在不斷上升，成本在不斷下降。如今已有許多非易失性固態(tài)存儲器技術投入實際使用，從閃存到MRAM，再到FRAM等。
只讀存儲器(ROM)是一種眾所周知的非易失性存儲器技術，在標準微控制器中更常見。在定制芯片中總有ROM的身影，因為它是最高效的非易失性存儲技術。遺憾的是，ROM保存的內容不能像本文討論的其它非易失性存儲技術那樣被修改。
采用ROM的一個例子是Luminary Micro公司的LM3S9000微控制器，它的運行時庫可以提供StellarisWare庫服務。相比之下，基于ROM的典型定制微控制器包含整個應用程序。在Luminary Micro公司的案例中，使用ROM代碼的主程序存放在使用另一個非易失性存儲器的器件中。這種ROM可能有啟動代碼，因此允許主程序來自多個源，包括來自網絡。
閃存能提供應用范圍非常廣的解決方案。FRAM和MRAM也有很前途，目前主要用于重要而專業(yè)的一些應用中，它們也有類似的特性。
這些非易失性存儲器可以有效地替代SRAM，并以SRAM速度工作。然而，非易失性存儲器沒有閃存的寫入壽命問題，因此可以用作初級存儲器和次級存儲器。非易失性存儲器的容量在不斷提高，成本在不斷下降，但仍落后于SRAM和閃存。這就導致一些有趣的組合，如上文提到的RAID控制器。
FRAM供應商Ramtron公司開發(fā)的基于8051的VRS51L31xxx微控制器系列，整合了64kB的閃存、4kB的SRAM和多達8kB的FRAM(圖3)。閃存用于程序存儲和長期、變化緩慢的數(shù)據，SRAM和FRAM用于讀/寫數(shù)據，F(xiàn)RAM則用于處理非易失性事務。
圖3:Ramtron公司的VRS51L3xxx微控制器集成了8KB FRAM用于非易失性數(shù)據存儲。
FRAM和MRAM還可替代SRAM和閃存器件。Everspin公司的MR2Axx MRAM產品線與標準的8位和16位SRAM器件保持引腳兼容。這些器件還提供球柵陣列(BGA)封裝、35ns的讀/寫時間和擴展工業(yè)溫度版本。Everspin的MRAM已被用于愛默生網絡電源公司的基于飛思卡爾MPC864xD的MVME7100單板電腦中(圖4)。Everspin今年還推出了16Mb MRAM。
圖4：基于Freescale MPC864xD的MVME7100單板計算機采用了Everspin公司的512KB MRAM。
Numonyx公司的相變存儲器也即將推出。如同Z-RAM一樣，這種存儲器也必須戰(zhàn)勝已有技術，而它的性能和可擴展性能夠確保它一旦推出就占盡優(yōu)勢。雖然這種技術離成熟還要幾年時間，但有必要對這種技術保持密切留意。
易失性存儲器
隨機存取存儲器(RAM)是商用計算設備的中心。目前的RAM通常是易失性存儲器，包括替代非易失性磁芯存儲器的靜態(tài)RAM(SRAM)和動態(tài)RAM(DRAM)等。不過，類似鐵電RAM(FRAM)和磁性RAM(MRAM)等新技術有望改變這一局面。
單獨的SRAM芯片仍有使用，但大多數(shù)SRAM都集成在芯片上，作為微控制器的一部分，提供從寄存器文件到多級緩存等功能。它的主要優(yōu)點是高性能，缺點是需占用芯片面積且功耗較高。
雖然DRAM和邏輯部分采用的半導體技術不同，使得兩者更合適在不同芯片上實現(xiàn)，但片上DRAM卻越來越普及了。此外，DRAM的更高容量迫使設計師將DRAM拿到處理器芯片之外。這樣，設計師可以自由選擇存儲器的容量，或者由最終用戶來增加存儲器。
嵌入式設計師在選擇DRAM時會面臨許多其它方面的挑戰(zhàn)，這是因為他們使用的微處理器有廣泛的性能特性，就像DRAM一樣。嵌入式設計師還需要考慮產品壽命，而PC用戶喜歡嘗試最新、最大以及每位成本最低的存儲器。虛擬技術的崛起正推動存儲器走向更高密度。正如諺語說的那樣：再大的存儲器都不夠用。
低端市場還在采用古老但利用率仍然很高的同步DRAM(SDRAM)，至少在嵌入式應用領域是這樣。SDRAM貨源很足并且價格便宜，目前看來它最大的優(yōu)勢是接口要求簡單。與大量PC系統(tǒng)上使用的DDR2和DDR3相比，SDRAM較慢的速度對設計師來說是一種優(yōu)勢，特別是在需要匹配速度相對慢的處理器的情況下。與DDR2和DDR3相比，容量和效率是SDRAM的弱項。
微處理器設計師遇到的另一個問題是速度。提高速度上限通常意味著同時提高速度的下限。在使用ADM、Intel和VIA等公司提供的最新x86 GHz多內核處理器時，這樣做沒有什么問題，但在試圖支持200MHz處理器時就會有問題。
當然，處理器時鐘頻率的提高將伴隨著成本和功耗要求的相應提高，而這兩個指標顯然不是我們想要的。幾乎所有微控制器都能處理SDRAM，還有些能處理DDR2，但很少能處理DDR3那樣高的速度。
DDR2是目前最常用的器件，它被廣泛用于服務器、PC和筆記本電腦，但這些系統(tǒng)正在快速轉向DDR3。誠然，DDR2在很長一段時間內仍將是嵌入式系統(tǒng)的最愛，即使出貨量開始下降，價格開始攀升。這種變化不會很快，但方向不會改變。嵌入式市場的挑戰(zhàn)在于滿足低端微控制器的DDR2性能要求。
三星公司最新的16GB DDR3存儲器的應用目標是只支持DDR3存儲器的服務器主板(圖2)。當使用這些新模塊時，服務器主板可以使用容量高達192GB、傳輸速率高達1,333Mbps、功耗卻比DDR2少了60%的DDR3存儲器。大多數(shù)高端主板安裝有能夠處理DDR2或DDR3的芯片組，只支持DDR3的芯片組通常面積更小也更高效。
圖2：三星的DDR3存儲器模組的容量高達16GB，傳輸速率達到1,333Mbps。
與現(xiàn)有的DRAM技術相比，Innovative Silicon公司最新的Z-RAM單晶體管存儲器技術被認為更具有可擴展性，并且更具面積效率。Hynix(海力士)和AMD已經獲得了Z-RAM技術的許可，但應用目標不同。海力士將這一技術應用于主打存儲器產品，而AMD用于大容量片上三級緩存。Z-RAM可能還有一兩年才能量產，但推出后的市場影響力將非常巨大。
最新出現(xiàn)的一種接口是串行端口存儲器。這是一種連接存儲器的高速串行接口，由串行端口存儲器技術工作小組發(fā)起推薦。理論上這種接口可以將存儲器所需的引腳數(shù)量減少40%，并能提供3.2至12.6GBps的吞吐量。這種接口最初是設計用于多媒體移動設備，因而面積和空間非常寶貴，且功耗必須達到最小。
大容量存儲設備
SSD是大容量存儲解決方案的一部分。正是它們淘汰了1英寸硬盤市場，并且在1.8英寸、2.5英寸甚至3.5英寸市場中的份額也越來越大。SSD在外形尺寸解決方案中也盡占優(yōu)勢，并不遵循普通的硬盤配置，這是因為SSD可以很容易放在電路板上，而硬盤卻難以做到這一點。
盡管如此，當容量達到上限時，硬盤仍勝過SSD。從價格/千兆位的角度看，硬盤也是贏家。使用SSD而不使用硬盤的界限在不斷移動，但這僅僅意味著設計師和用戶會有更多的選擇。
1.8英寸硬盤最愛移動設備青睞，因此消費者很難對閃存和硬盤作出選擇。但對設計師來說比較容易，因為這種尺寸的SSD和硬盤非常多(不過價格和容量的折衷仍然存在)。
2.5英寸市場的競爭最激烈，其中包括了像富士通500GB Handy Drive這樣的外置硬盤(圖8)。這個容量在不久前還是3.5英寸硬盤的上限。
由于大量硬盤能夠很容易裝入1U機架，所以外形尺寸也對服務器設計有著顯著影響。更重要的是，數(shù)量遠遠超過了針對RAID配置的最小值，導致這種控制器市場增長迅速。八驅RAID系統(tǒng)不再是新奇的事物，而是成為標準選件，在高端存儲系統(tǒng)中硬盤數(shù)量還會更大。
2.5英寸硬盤的容量仍然無法與3.5英寸硬盤相比，但對RAID系統(tǒng)來說尺寸并不重要，更小硬盤配置下的系統(tǒng)重構時間會更短。
不要忽視3.5英寸市場。像希捷的Barracuda LP等硬盤可以提供2TB的存儲容量，非常適合數(shù)字視頻錄像機中的視頻存儲(圖9)。如果電影公司認識到使用如此大存儲容量帶來的機會，3.5英寸硬盤市場定將十分火爆。
RAID仍在使用3.5英寸硬盤，特別是消費類應用。然而，使這種配置對用戶不是很重要。很容易向消費者解釋為何要增加更多的存儲容量，或借助RAID減少容量以提高可靠性。理解RAID 1和RAID 5之間的區(qū)別則完全是另一碼事。
閃存的未來
目前最知名的存儲器技術是閃存，其實現(xiàn)方式有很多。大多數(shù)獨立閃存產品使用的閃存器密度，通常要比微控制器中使用的閃存器密度高，這是因為這種閃存必須采用與邏輯電路相同的工藝實現(xiàn)。
獨立閃存也有多種格式，從芯片到抽取式設備格式，如CF卡、SD/XD、MiniSD、MicroSD、記憶棒，當然還有USB閃存盤。這些器件的大多數(shù)都被嵌入式設備采用，這推動了更加堅固的工業(yè)版本產品的問世，如WinSystems公司的16GB工業(yè)級CF卡(圖5)。這種CF卡采用雙通道操作方式，支持高達40MBps的持續(xù)讀取速度，采用交叉方式的寫入速度也高達30MBps。
對于嵌入式應用來說還有更多存儲器選擇。插入集成式驅動電子設備(IDE)接頭的模塊已經成為硬盤的常見替代品。最初這些閃盤的容量都很低，但它們的發(fā)展非常迅速。如今這些設備已經從用于啟動發(fā)展到成為許多設備中硬盤的替代品。
西部數(shù)據固態(tài)存儲器公司(前身是Silicons Systems公司)提供采用小外形尺寸(SFF)SIG Silicon Blade外形尺寸的閃存驅動。該公司的Silicon Drive Blade具有鎖存功能且堅固耐用，可替代西部數(shù)據推出的10引腳模塊(圖6)。
與其它技術相比，外形尺寸對于選擇閃存并不重要。NAND還是NOR SLC還是MLC？這些技術的選擇往往使設計師必須進行折衷。沒有一種方案可以滿足所有應用要求。事實上，一些要求較苛格的應用經常使用多種技術。
通過東芝公司的一些通用規(guī)范可以更好地了解這些折衷。例如，NAND的擦除速度是2ms，而NOR是900ms。另一方面，NOR的容量是NAND的4倍，達到256Mb，而且還在增加。當時鐘速率為103Mbps時，NOR的讀取速度比至少NAND快4倍，但NOR的寫入速度只有0.5Mbps，而SLC NAND可達8Mbps。
對SLC和MLC的折衷也類似。MLC具有更高的密度，但寫入壽命明顯要短得多。所有閃存技術都有其局限性，這使得MRAM和FRAM等替代品有了用武之地。如果這些技術在相同的價格條件下可以接近或超過閃存的容量，那么存儲器市場的局面可能發(fā)生重大的改變。遺憾的是，這在近期不太可能現(xiàn)實。
這意味著控制器是采用這種方法的代表(圖7)。這種控制器專門針對MLC閃存設計，可以提供至少5年的壽命，隨機讀/寫的吞吐量在30k IOPS(I/O每秒)數(shù)量級，順序讀/寫操作的吞吐量可達250MBps，相當于5k IOPS/W，而硬盤只有20 IOPS/W。
SandForce公司采用的DuraClass技術同樣實現(xiàn)了獨立硅單元冗余陣列(RAISE)，本質上是使用芯片的RAID。這種技術再加上先進的動態(tài)磨損均衡和先進的糾錯編碼(ECC)，SandForce的固態(tài)驅動器(SSD)可以完全達到企業(yè)存儲提出的壽命和性能要求。
其它技術很難達到這個水平，除非采用相似的方法規(guī)避MLC閃存的局限性。例如，為保證5年的使用壽命，許多替代技術強制規(guī)定每天最多的寫入次數(shù)。SandForce可以用一個512GB、1.8英寸的SSD實現(xiàn)單芯片控制器解決方案。
保持互連性
如果不提一下日益提高的互連重要性，那么任何討論存儲器的內容都是不完整的。對于面向消費者的產品和廣泛的嵌入式應用而言，這意味著USB和SATA。對硬盤來說USB是一種間接接口，對閃盤來說很可能是一種直接接口。
包括硬盤在內的許多產品使用外部SATA或eSATA，但它與USB的關系是互補而不是替代。USB 3.0可以滿足更高吞吐量的硬盤要求，但就目前而言，高速USB 2.0的480Mbps傳輸速率已經足夠了。
SAS和光纖通道將出現(xiàn)在企業(yè)級應用中。光纖通道系統(tǒng)通常采用SATA或SAS硬盤，并且有可能或最終轉為SSD。
存儲器的選擇從未如此之多，而作出正確的選擇卻非易事，因為有很多替代方案。
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