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[導(dǎo)讀]日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。三星電子為滿足消費(fèi)者的需求,繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納

日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。

三星電子為滿足消費(fèi)者的需求,繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GB DDR3筆記本電腦模塊, 4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4Gb LPDDR2 DRAM,從而成了擁有業(yè)界最大高端4Gb DRAM生產(chǎn)線的廠商。

據(jù)了解,20納米級4Gb DRAM產(chǎn)品群,不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機(jī)解決方案,而且其最小的芯片尺寸,可實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。新一代20納米級4Gb移動DRAM四顆粒堆疊封裝組成的16Gb(2GB)產(chǎn)品相比30納米4Gb DRAM四顆粒堆疊封裝產(chǎn)品,其厚度更薄,最高速度可達(dá)1,066Mbps,并保持相同的電耗。

三星電子2011年3月開始批量生產(chǎn)了30納米級存儲器。此次業(yè)界首家批量生產(chǎn)最小尺寸20納米級。此舉意味著三星電子將繼續(xù)引領(lǐng)移動存儲市場的領(lǐng)先地位。

三星電子存儲器事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示,“2011年三星電子憑借業(yè)界首家批量生產(chǎn)30納米級4Gb DRAM,擴(kuò)大了4Gb DRAM市場份額。今年,則通過20納米級4Gb的批量生產(chǎn),有望實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步差異化高端存儲器市場目標(biāo)。今年下半年,將繼續(xù)加大20納米級DRAM的比重, 逐漸把4Gb DRAM提升為主力產(chǎn)品,從而搶占高端市場,加強(qiáng)競爭優(yōu)勢?!?
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