[導(dǎo)讀]日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。三星電子為滿足消費(fèi)者的需求,繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納
日前,三星電子發(fā)布,其全球首家批量生產(chǎn)20納米級(1納米=10億分之一米)工藝的4Gb LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)DRAM,旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。
三星電子為滿足消費(fèi)者的需求,繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GB DDR3筆記本電腦模塊, 4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4Gb LPDDR2 DRAM,從而成了擁有業(yè)界最大高端4Gb DRAM生產(chǎn)線的廠商。
據(jù)了解,20納米級4Gb DRAM產(chǎn)品群,不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機(jī)解決方案,而且其最小的芯片尺寸,可實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。新一代20納米級4Gb移動DRAM四顆粒堆疊封裝組成的16Gb(2GB)產(chǎn)品相比30納米4Gb DRAM四顆粒堆疊封裝產(chǎn)品,其厚度更薄,最高速度可達(dá)1,066Mbps,并保持相同的電耗。
三星電子2011年3月開始批量生產(chǎn)了30納米級存儲器。此次業(yè)界首家批量生產(chǎn)最小尺寸20納米級。此舉意味著三星電子將繼續(xù)引領(lǐng)移動存儲市場的領(lǐng)先地位。
三星電子存儲器事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示,“2011年三星電子憑借業(yè)界首家批量生產(chǎn)30納米級4Gb DRAM,擴(kuò)大了4Gb DRAM市場份額。今年,則通過20納米級4Gb的批量生產(chǎn),有望實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步差異化高端存儲器市場目標(biāo)。今年下半年,將繼續(xù)加大20納米級DRAM的比重, 逐漸把4Gb DRAM提升為主力產(chǎn)品,從而搶占高端市場,加強(qiáng)競爭優(yōu)勢?!?
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三星電子
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June 24, 2025 ---- 近期市場對于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受...
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存儲器
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May 13, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新半導(dǎo)體封測研究報(bào)告,2024年全球封測(OSAT)市場面臨技術(shù)升級和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營收分析,日月光控股、Amkor(安靠)維持領(lǐng)先地位,值得...
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自制化
AI
汽車電子
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像任何行業(yè)幫助開發(fā)可編程邏輯應(yīng)用程序一樣,我們使用標(biāo)準(zhǔn)接口來實(shí)現(xiàn)重用和簡化設(shè)計(jì)。在FPGA開發(fā)中最流行的接口是Arm可擴(kuò)展接口(AXI),它為開發(fā)人員提供了一個(gè)完整的高性能,如果需要的話,還可以緩存相干存儲器映射總線。
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FPGA
ARM
存儲器
在這篇文章中,小編將對嵌入式系統(tǒng)的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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嵌入式
嵌入式系統(tǒng)
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PSRAM,作為一種融合了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)高密度特性與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)易用性的存儲技術(shù),其重要性不言而喻。從結(jié)構(gòu)上看,PSRAM 內(nèi)部主要由 DRAM 存儲單元負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲,SRAM 接口電路...
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April 17, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,近期國際形勢變化已實(shí)質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨,以應(yīng)對...
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晶圓
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新加坡—2025年3月26日—Kulicke and Soffa Industries,股份有限公司(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出適用于大容量存儲...
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功率半導(dǎo)體
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