韓國發(fā)展DRAM引導發(fā)展趨勢
[導讀]韓國半導體產(chǎn)業(yè)在人才和技術都比較匱乏的情況下，通過引進國外技術、消化吸收，最后實現(xiàn)技術自有化。之所以取得成功，與韓國政府將半導體產(chǎn)業(yè)上升到國家級項目，最廣泛組織起其國內業(yè)界優(yōu)勢資源結盟攻關密不可分，這
韓國半導體產(chǎn)業(yè)在人才和技術都比較匱乏的情況下，通過引進國外技術、消化吸收，最后實現(xiàn)技術自有化。之所以取得成功，與韓國政府將半導體產(chǎn)業(yè)上升到國家級項目，最廣泛組織起其國內業(yè)界優(yōu)勢資源結盟攻關密不可分，這也是韓國人選準DRAM為突破口高起點起步，并最終建立起自己半導體產(chǎn)業(yè)核心競爭力的關鍵因素。
韓國半導體產(chǎn)業(yè)是從上世紀60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點發(fā)展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅是把半導體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè)，對促進民間資本向電子機械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動作用。
韓國政府1982年發(fā)布的《半導體工業(yè)扶持計劃》和《半導體扶持具體計劃》明確提出，實現(xiàn)國內民用消費電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設備的進口替代策略，形成一個完整的國內自給自足的半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標。但在80年代初期，韓國民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展，而是選擇了生產(chǎn)面向國外工業(yè)用的DRAM，通過引進國外新技術和設備，采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。
結果，韓國以OEM形式實現(xiàn)了半導體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期，“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項目所形成的良性互動，則促進了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應發(fā)展起自己的設備和材料產(chǎn)業(yè)，提高了半導體生產(chǎn)技術的競爭能力。
到了90年代，韓國確立了IT立國戰(zhàn)略方針，在研發(fā)、技術引進、建立經(jīng)濟特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策，而對半導體產(chǎn)業(yè)則特別實行了具有國際競爭力的優(yōu)惠政策。此外，在韓國政府重點擇優(yōu)扶植，促進大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟和國際競爭力背景下，韓國商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績等條件確定三星集團為綜合商社企業(yè)，在貿易行政、財政金融以及企業(yè)研發(fā)、設備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領先水平的重要基礎。
韓國DRAM產(chǎn)業(yè)的成功，是政府強力支持下的產(chǎn)學研聯(lián)盟成功案例。1986年10月，政府將4M DRAM列為國家項目，目標是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4M DRAM，完全消除與日本公司的技術差距。為達此目標，韓國政府推動了韓國三大半導體制造商：三星、LG和現(xiàn)代結盟進行技術開發(fā)，并由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學的協(xié)調者。3年中(1986-1989) 該R&D項目共投入了1.1億美元，而政府承擔了其中的57%研發(fā)經(jīng)費，遠超過其他國家的資金投入和政府在具體研發(fā)項目中介入的力度。
政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當1983年韓國以64K產(chǎn)品進入DRAM領域時，技術上要落后美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業(yè)中第一個宣布完成4M DRAM設計時，落后日本的時間已經(jīng)縮短到6個月。而到1992年的64M產(chǎn)品時，韓國則與日本DRAM廠商技術上實現(xiàn)了同步。從256M DRAM開始，韓國則完全處于全球領先水平，并持續(xù)擴大自己在DRAM領域技術開發(fā)速度上的優(yōu)勢。
大公司戰(zhàn)略構筑了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的基石，而說到韓國半導體產(chǎn)業(yè)，就不得不提及三星（Samsung）。成立于1969年三星電子，是三星集團在電子行業(yè)的核心企業(yè)，成立初期的主營業(yè)務是白色家電，后來將業(yè)務拓展到半導體及通信設備行業(yè)等，時至今日，三星已經(jīng)成為全球電子及半導體產(chǎn)品線最為齊全的公司。
1974年12月，三星通過收購韓國半導體進入了半導體產(chǎn)業(yè)，這就是后來的三星電子富川半導體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，并以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術領先者，也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。
由于DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費等多因素所致，到1986年，高速猛進的三星半導體累計虧損了3億美元。但這并未動搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心，為此，三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入，反倒是分批追加投資并開始了面向1M DRAM的更高技術領域開發(fā)。
1987年，三星在DRAM的投資終于取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導體事業(yè)部總裁李雨潤的心得是：“存儲業(yè)是這樣一個行業(yè)，如果你不能在過去進行適當?shù)耐顿Y，那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時賺到錢。你應該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?！?
韓國半導體產(chǎn)業(yè)是從上世紀60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點發(fā)展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅是把半導體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè)，對促進民間資本向電子機械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動作用。
韓國政府1982年發(fā)布的《半導體工業(yè)扶持計劃》和《半導體扶持具體計劃》明確提出，實現(xiàn)國內民用消費電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設備的進口替代策略，形成一個完整的國內自給自足的半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標。但在80年代初期，韓國民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展，而是選擇了生產(chǎn)面向國外工業(yè)用的DRAM，通過引進國外新技術和設備，采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。
結果，韓國以OEM形式實現(xiàn)了半導體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期，“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項目所形成的良性互動，則促進了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應發(fā)展起自己的設備和材料產(chǎn)業(yè)，提高了半導體生產(chǎn)技術的競爭能力。
到了90年代，韓國確立了IT立國戰(zhàn)略方針，在研發(fā)、技術引進、建立經(jīng)濟特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策，而對半導體產(chǎn)業(yè)則特別實行了具有國際競爭力的優(yōu)惠政策。此外，在韓國政府重點擇優(yōu)扶植，促進大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟和國際競爭力背景下，韓國商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績等條件確定三星集團為綜合商社企業(yè)，在貿易行政、財政金融以及企業(yè)研發(fā)、設備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領先水平的重要基礎。
韓國DRAM產(chǎn)業(yè)的成功，是政府強力支持下的產(chǎn)學研聯(lián)盟成功案例。1986年10月，政府將4M DRAM列為國家項目，目標是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4M DRAM，完全消除與日本公司的技術差距。為達此目標，韓國政府推動了韓國三大半導體制造商：三星、LG和現(xiàn)代結盟進行技術開發(fā)，并由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學的協(xié)調者。3年中(1986-1989) 該R&D項目共投入了1.1億美元，而政府承擔了其中的57%研發(fā)經(jīng)費，遠超過其他國家的資金投入和政府在具體研發(fā)項目中介入的力度。
政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當1983年韓國以64K產(chǎn)品進入DRAM領域時，技術上要落后美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業(yè)中第一個宣布完成4M DRAM設計時，落后日本的時間已經(jīng)縮短到6個月。而到1992年的64M產(chǎn)品時，韓國則與日本DRAM廠商技術上實現(xiàn)了同步。從256M DRAM開始，韓國則完全處于全球領先水平，并持續(xù)擴大自己在DRAM領域技術開發(fā)速度上的優(yōu)勢。
大公司戰(zhàn)略構筑了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的基石，而說到韓國半導體產(chǎn)業(yè)，就不得不提及三星（Samsung）。成立于1969年三星電子，是三星集團在電子行業(yè)的核心企業(yè)，成立初期的主營業(yè)務是白色家電，后來將業(yè)務拓展到半導體及通信設備行業(yè)等，時至今日，三星已經(jīng)成為全球電子及半導體產(chǎn)品線最為齊全的公司。
1974年12月，三星通過收購韓國半導體進入了半導體產(chǎn)業(yè)，這就是后來的三星電子富川半導體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，并以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術領先者，也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。
由于DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費等多因素所致，到1986年，高速猛進的三星半導體累計虧損了3億美元。但這并未動搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心，為此，三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入，反倒是分批追加投資并開始了面向1M DRAM的更高技術領域開發(fā)。
1987年，三星在DRAM的投資終于取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導體事業(yè)部總裁李雨潤的心得是：“存儲業(yè)是這樣一個行業(yè)，如果你不能在過去進行適當?shù)耐顿Y，那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時賺到錢。你應該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?！?
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